VS- MUR3020WTPbF ， VS- MUR3020WT -N3
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威世半导体
超快整流器， 2× 15 A FRED铂
BASE
常见
阴极
2
特点
超快恢复时间
低正向压降
175 ° C的工作结温
低漏电流
符合RoHS指令2002/95 / EC
设计
和
JEDEC-JESD47
合格
根据
to
TO-247AC
1
3
阳极
阳极
2
1
2
常见
阴极
符合IEC 61249-2-21无卤素
定义（ -N 3只）
说明/应用
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
t
rr
典型值。
T
J
马克斯。
二极管的变化
TO-247AC
2× 15 A
200 V
1.05 V
请参阅恢复表
175 °C
共阴极
VS- MUR3020WT ......是艺术超快恢复状态
整流专门的性能优化设计
正向压降和超快恢复时间。
平面结构和铂掺杂寿命时间
控制，保证了最佳的整体性能，
耐用性和可靠性的特点。
这些设备被设计用于输出整流用
开关电源， UPS ， DC的舞台/ DC转换器，以及
在低电压逆变器和斩波续流二极管
电机驱动器。
他们非常优化的存储电荷和低恢复
电流最小化开关损耗和降低了
耗散在开关元件和缓冲电路。
绝对最大额定值
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
每腿
设备总
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
为V
R
，方波， 20千赫，T
C
= 150 °C
为V
R
, T
C
= 150 °C
测试条件
马克斯。
200
15
30
200
30
- 65
175
°C
A
单位
V
每腿非重复峰值浪涌电流
每腿重复峰值正向电流
工作结温和存储温度
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压，
阻断电压
正向电压
符号
V
BR
,
V
R
V
F
I
R
C
T
L
S
I
R
= 100 μA
I
F
= 15 A
I
F
= 15 A，T
J
= 150 °C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ，V
R
= V
R
评级
V
R
= 200 V
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
分钟。
200
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
55
12
马克斯。
-
1.05
0.85
10
500
-
-
μA
pF
nH
V
单位
反向漏电流
结电容
串联电感
修订： 15 - 8 - 11
文档编号： 94080
1
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威世半导体
测试条件
I
F
= 1.0 ，二
F
/ DT = 50 A / μs的，V
R
= 30 V
分钟。
-
-
-
I
F
= 15 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 160 V
-
-
-
-
典型值。
-
22
39
1.6
4.1
19
90
马克斯。
35
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
动态恢复特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
反向恢复时间
t
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
反向恢复电荷
nC
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
热阻，
结每腿区分
热阻，
每个路口站到环境
热阻，
案件散热器
重量
安装力矩
打标设备
机箱样式TO- 247AC
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
R
乡镇卫生院
典型的插座安装
安装面，平整，光滑，
脂润滑
测试条件
分钟。
- 65
-
-
-
-
-
6.0
(5.0)
典型值。
-
-
-
0.5
6.0
0.21
-
马克斯。
175
1.5
40
-
-
-
12
(10)
g
盎司
千克力·厘米
（磅力·英寸）
° C / W
单位
°C
MUR3020WT
修订： 15 - 8 - 11
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1000
T
J
= 175 °C
100
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
10
T
J
= 100 °C
I
F
- 正向电流（A ）
100
10
1
T
J
= 175 °C
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
I
R
- 反向电流（ μA ）
1
0.1
T
J
= 25 °C
0.1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.01
0
50
100
150
200
250
V
F
- 正向压降（ V）
图。 1 - 典型正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
C
T
- 结电容（pF ）
100
T
J
= 25 °C
10
1
10
100
1000
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
P
DM
0.1
单脉冲
（热电阻）
0.01
0.00001
0.0001
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.001
0.01
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
.
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
.
1
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
修订： 15 - 8 - 11
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180
60
V
R
= 160 V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
I
F
= 30 A
I
F
= 15 A
I
F
= 8 A
威世半导体
允许外壳温度（ ℃）
170
50
DC
150
t
rr
（纳秒）
20
160
40
方波（ D = 0.50 ）
为V
R
应用的
30
140
见注（ 1 ）
130
0
5
10
15
25
20
10
100
1000
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
25
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪
F
/ DT
200
V
R
= 160 V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
I
F
= 30 A
I
F
= 15 A
I
F
= 8 A
平均功耗（ W）
20
RMS限制
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
160
Q
rr
（ NC ）
15
120
10
80
5
DC
0
0
5
10
15
40
20
25
0
100
1000
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
(1)
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
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V
R
= 200 V
0.01
Ω
L = 70 μH
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
（ REC ）M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
（1）的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
以点线通过
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4)
Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
（5）的dI
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 10 - 反向恢复波形和定义
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