VS-HFA140FA120
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威世半导体
HEXFRED
超快软恢复二极管， 140一个
特点
快速恢复时间特性
电隔离底板
终端之间的大爬距
简化机械设计，快速组装
设计和工业级合格
SOT-227
UL认证文件E78996
材料分类：为符合定义
请参阅
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说明/应用
产品概述
V
R
V
F
（典型值）
t
rr
（典型值）
I
F（ DC）的
在T
C
，每个模块
I
F（ AV ）
在T
C
，每个模块
1200 V
2.8 V
48纳秒
140一在74℃
140一46℃
双二极管系列配置VS- HFA140FA120是
用于输出整流或续流/夹紧
操作和高电压应用。
在SOT -227封装的半导体由分离
铜基板，允许普通散热器和
紧凑的组件来建造。
这些模块被用于这样的一般应用
如高压电源，电子焊工，马达控制和
逆变器。
绝对最大额定值
参数
阴极到阳极电压
连续正向电流
单脉冲正向电流
最大功耗，每腿
RMS的隔离电压
工作结存储
温度范围
每腿
每个模块
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
D
V
ISOL
T
J
, T
英镑
T
C
= 74 °C
T
J
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
任何终端的情况下，T = 1分钟
测试条件
马克斯。
1200
70
140
350
357
143
2500
- 55至+ 150
W
V
°C
A
单位
V
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
阴极到阳极
击穿电压
符号
V
BR
测试条件
I
R
= 100 μA
I
F
= 60 A
正向电压，每腿
V
FM
I
F
= 120 A
I
F
= 60 A，T
J
= 125 °C
I
F
= 60 A，T
J
= 150 °C
V
R
= V
R
评级
反向漏电流，每个腿
I
RM
T
J
= 125°C ，V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ，V
R
= V
R
评级
分钟。
1200
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
2.8
3.6
2.7
2.65
2.0
1.6
5
马克斯。
-
4.0
5.3
-
-
75
5
10
μA
mA
V
单位
修订： 20 -JUL- 12
文档编号： 94746
1
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威世半导体
动态恢复特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
测试条件
I
F
= 1 ;的dI
F
/ DT = 200 A / μs的; V
R
= 30 V
反向恢复时间，每腿
t
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流，每腿
I
RRM
Q
rr
C
T
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
= 1200 V
I
F
= 50 A
dI
F
/ DT = - 200 A / μs
V
R
= 200 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
48
145
218
13
18
910
1920
27
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷，每腿
结电容，每腿
nC
pF
热 - 机械特性
参数
结到外壳，单腿开展
结到外壳，两条腿进行
案件散热器，每腿
重量
安装扭矩，在终端和散热器
T
符号
R
thJC
R
乡镇卫生院
平，脂及表面
测试条件
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
0.05
30
-
马克斯。
0.35
0.175
-
-
1.3
g
Nm
° C / W
单位
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威世半导体
10 000
T
J
= 150 °C
I
F
- 正向电流（A ）
1000
I
R
- 反向电流（ μA ）
1000
100
10
1
T
J
= 125 °C
100
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 25 °C
0.1
0.01
1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0
200
400
600
800
1000
1200
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 典型正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
C
T
- 结电容（pF ）
100
10
10
100
1000
10 000
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
1
0.1
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
P
DM
t
1
t
2
DC
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.01
0.1
1
10
0.01
0.0001
0.001
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特性（每腿）
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3
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175
150
250
300
I
F
= 50 A
V
R
= 200 V
T
J
= 125 °C
威世半导体
允许外壳温度（ ℃）
125
DC
75
50
25
0
0
20
40
60
80
100
120
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
方波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
R
应用的
t
rr
（纳秒）
100
200
150
T
J
= 25 °C
100
50
100
1000
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪
F
/ DT
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
500
3000
2500
2000
RMS限制
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
DC
I
F
= 50 A
V
R
= 200 V
平均功耗（ W）
400
Q
rr
（ NC ）
300
T
J
= 125 °C
1500
1000
T
J
= 25 °C
500
0
100
200
100
0
0
20
40
60
80
100
120
140
I
F（ AV ）
-
平均正向电流（ A）
1000
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
图。 6 - 正向功率损耗特性
40
I
F
= 50 A
V
R
= 200 V
30
T
J
= 125 °C
I
rr
(A)
20
T
J
= 25 °C
10
0
100
1000
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 9 - 典型的峰值恢复电流的dI对比
F
/ DT
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图5） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
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4
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(1)
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威世半导体
V
R
= 200 V
0.01
Ω
L = 70 μH
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 10 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
（ REC ）M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
（1）的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
以点线通过
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4)
Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
（5）的dI
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 11 - 反向恢复波形和定义
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