新产品
VS- APU3006 -F3 ， VS- APU3006 -N 3， VS- EPU3006 -F3 ， VS- EPU3006 -N3
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威世半导体
超快整流器， 30 A FRED铂
特点
低正向压降
超快恢复时间
175 ° C的工作结温
TO-247AC
阴极基地
4, 2
TO- 247AC莫迪网络版
阴极基地
2
设计和
JEDEC-JESD47
合格
根据
to
材料分类：
对于合规的定义，请参见
www.vishay.com/doc?99912
1
阳极
3
阳极
说明/应用
1
阴极
3
阳极
VS-APU3006-F3
VS-APU3006-N3
VS-EPU3006-F3
VS-EPU3006-N3
超低V
F
，软交换超快整流器优化
不连续的（严重）模式（ DCM ）功率因数
校正（PFC） 。
的最小的导通损耗，优化存储的电荷
和低恢复电流最小化开关损耗
并减少了损耗在开关元件和
缓冲器。
该装置还打算用作续流二极管
在电源和其它电源开关应用。
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
t
rr
典型值。
T
J
马克斯。
二极管的变化
TO-247AC,
TO- 247AC修改（ 2针）
30 A
600 V
2V
30纳秒
175 °C
单芯片
应用
AC / DC开关电源70瓦到400瓦
例如笔记本电脑和打印机的电源适配器，台式电脑，电视和
监控，游戏单元和DVD的AC / DC电源。
绝对最大额定值
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
工作结存储
温度
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
T
C
= 127 °C
T
C
= 25 °C
测试条件
马克斯。
600
30
220
- 65 175
单位
V
A
°C
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压，
阻断电压
正向电压
符号
V
BR
,
V
R
V
F
I
R
C
T
L
S
I
R
= 100 μA
I
F
= 30 A
I
F
= 30 A，T
J
= 150 °C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ，V
R
= V
R
评级
V
R
= 600 V
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
分钟。
600
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
1.4
1.15
-
-
20
8.0
马克斯。
-
2
1.35
30
250
-
-
μA
pF
nH
V
单位
反向漏电流
结电容
串联电感
修订： 05 -APR- 12
文档编号： 93570
1
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
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威世半导体
动态恢复特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
测试条件
I
F
= 1 ，二
F
/ DT = 50 A / μs的，V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 30 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 200 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
30
45
100
5.6
10
127
580
马克斯。
45
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷
nC
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
热阻，
结到外壳
热阻，
每个路口站到环境
热阻，
案件散热器
重量
安装力矩
打标设备
机箱样式TO- 247AC
机箱样式TO- 247AC修改
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
R
乡镇卫生院
典型的插座安装
安装面，平整，光滑，
脂润滑
测试条件
分钟。
- 65
-
-
-
-
-
1.2
(10)
典型值。
-
0.7
-
0.5
2.0
0.07
-
马克斯。
175
1.1
70
-
-
-
2.4
(20)
APU3006
EPU3006
g
盎司
千克力·厘米
（磅力·英寸）
单位
°C
° C / W
修订： 05 -APR- 12
文档编号： 93570
2
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威世半导体
1000
100
反向电流 - I
R
(μA)
10
1
0.1
0.01
0.001
0
100
200
300
400
500
600
175 °C
150 °C
125 °C
100 °C
75 °C
50 °C
25 °C
1000
100
瞬时正向电流 - I
F
(A)
T
J
= 175 °C
反向电压 - V
R
(V)
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
10
T
J
= 150 °C
结电容 - C
T
（PF ）
100
T
J
= 25 °C
10
1
0.0
1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
100
200
300
400
500
600
正向电压下降 - V
FM
(V)
反向电压 - V
R
(V)
图。 1 - 典型正向压降特性
图。 3 - 典型结电容比。
反向电压
10
热阻抗Z
thJC
（ ° C / W）
D = 0.5
1
D = 0.2
D = 0.1
D = 0.05
0.1
D = 0.02
D = 0.01
单身
脉冲
（热电阻）
0.01
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
T1 ，矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大。热抗Z
thJC
特征
修订： 05 -APR- 12
文档编号： 93570
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180
允许外壳温度（ ℃）
170
160
150
140
130
120
110
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
DC
平均功耗（ W）
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.5
DC
RMS限制
平均正向电流 - IF
（AV）
(V)
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
图。 6 - 正向功率损耗特性
130
120
110
1800
1600
1400
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
100
dI
F
/ DT （ A / μS ）
典型的价值
200
I
F
= 30 A ，25°C
典型的价值
1000
0
100
dI
F
/ DT （ A / μS ）
1000
I
F
= 30 A ，25°C
Q
rr
（ NC ）
t
rr
（纳秒）
I
F
= 30 A， 125°C
1200
1000
800
I
F
= 30 A， 125°C
600
400
图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪
F
/ DT
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
修订： 05 -APR- 12
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V
R
= 200 V
0.01
Ω
L = 70 μH
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
（ REC ）M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
（1）的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
以点线通过
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4)
Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
（5）的dI
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 10 - 反向恢复波形和定义
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