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VS- 8TQ ...的PbF系列, VS- 8TQ ...- N3系列
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威世半导体
肖特基整流器, 8的
特点
BASE
阴极
2
175 ° (C T)
J
手术
低正向压降
??高频工作
=高
纯度,
温度
环氧树脂
封装提高机械
强度和防潮性
保护环,增强耐用性和长期
长期可靠性
符合RoHS指令2002/95 / EC
根据JEDEC - JESD47设计和合格
TO-220AC
1
阴极
3
阳极
产品概述
I
F( AV )
V
R
V
F
在我
F
I
RM
马克斯。
T
J
马克斯。
二极管的变化
E
AS
TO-220AC
8A
60 V, 80 V, 100 V
0.58 V
7毫安在125°C
175 °C
单芯片
7.5兆焦耳
无卤素,符合IEC 61249-2-21定义
( -N 3只)
描述
在VS- 8TQ ...肖特基整流器系列进行了优化
用于低反向漏电流在高温下。该专利
屏障技术允许可靠运行达175 ℃的
结温。典型的应用是在开关
电源,转换器,续流二极管和
电池反接保护。
主要额定值及特点
符号
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
特征
方波
范围
t
p
= 5 μs的正弦
8 A
pk
, T
J
= 125 °C
范围
8
60至100
850
0.58
- 55 175
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流
反向电压
最大工作
反向峰值
电压
符号
V
R
60
V
RWM
60
80
80
100
100
V
VS-
8TQ060PbF
VS-
8TQ060-N3
VS-
8TQ080PbF
VS-
8TQ080-N3
VS-
8TQ100PbF
VS-
8TQ100-N3
单位
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
参见图。五
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参见图。 7
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F( AV )
测试条件
50%的占空比在T
C
= 157 ℃,矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
8
850
A
230
7.50
0.50
mJ
A
单位
A
T
J
= 25 ° C,I
AS
= 0.50 , L = 60毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
修订: 8月29日11
文档编号: 94265
1
您所在区域内的技术问题:
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本文如有更改,恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
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VS- 8TQ ...的PbF系列, VS- 8TQ ...- N3系列
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威世半导体
电气规格
参数
符号
8A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频(1)
16 A
8A
16 A
最大反向漏电流
SEE图。 2
最大结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
(1)
脉冲宽度< 300微秒,占空比< 2 %
I
RM ( 1 )
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
0.72
0.88
0.58
0.69
0.55
7
500
8
10 000
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
V
R
= 5 V
DC
(测试信号范围100 kHz至1 MHz)的25℃
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻,
结到外壳
典型热阻,
案件散热器
大约重量
最低
最大
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
乡镇卫生院
直流操作
见图。 4
安装面,光滑,润滑
测试条件
- 55 175
2.0
° C / W
0.50
2
0.07
6 (5)
12 (10)
g
盎司
千克力·厘米
(磅力·英寸)
8TQ060
打标设备
机箱样式TO- 220AC
8TQ080
8TQ100
单位
°C
安装力矩
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文档编号: 94265
2
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威世半导体
100
1000
T
J
= 175 °C
I
F
- 正向
电流(A )
I
R
- 反向电流(mA )
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
T
J
= 25 °C
100
10
T
J
= 175 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1
0.1
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
1.6 1.8 2.0 2.2
0
20
40
60
80
100
V
FM
- 正向压降( V)
图。 1 - 最大正向压降特性
V
R
- 反向电压( V)
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
C
T
- 结电容(pF )
T
J
= 25 °C
100
0
10
20 30 40 50 60 70
80
90 100
110
V
R
- 反向电压( V)
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻( ° C / W)
10
1
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
单脉冲
(热电阻)
0.1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
- 矩形脉冲持续时间( S)
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
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7
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
180
允许外壳温度( ℃)
170
165
160
155
150
145
见注( 1 )
140
0
2
4
6
方波( D = 0.50 )
80 %为V
R
应用的
DC
平均功耗( W)
175
6
5
4
3
2
DC
1
0
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 6 - 正向功率损耗特性
I
FSM
- 不重复浪涌电流(A )
1000
在任何额定负载条件和
额定V
RRM
应用的
以下浪涌
100
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间(微秒)
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
L
快速
开关
飞轮
二极管
40HFL40S02
+
V
d
= 25
V
D.U.T.
IRFP460
R
g
= 25
Ω
当前
MONITOR
图。 8 - 非钳位感应测试电路
公式中使用:T已
C
= T
J
- ( PD +钯
)个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F( AV )
X V
FM
在(我
F( AV )
/ D ) (参见图6) 。
Pd
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
( 1 - D) ;我
R
在V
R1
= 80 %额定V
R
(1)
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4
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订购信息表
威世半导体
器件代码
VS-
1
1
2
3
4
5
8
2
-
-
-
-
-
T
3
Q
4
100
5
PBF
6
威世半导体产品
额定电流( 8 = 8 A)
包装:
T = TO- 220
肖特基"Q"系列
电压额定值
环境位数
060 = 60 V
080 = 80 V
100 = 100 V
6
-
PBF =铅( Pb),并且符合RoHS标准
N 3 =无卤素,符合RoHS标准,而且完全无铅(Pb ) - 免费
订购信息
(例)
首选的P / N
VS-8TQ060PbF
VS-8TQ060-N3
VS-8TQ080PbF
VS-8TQ080-N3
VS-8TQ100PbF
VS-8TQ100-N3
QUANTITY PER T / R
50
50
50
50
50
50
最小起订量
1000
1000
1000
1000
1000
1000
包装说明
防静电塑料管
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:171-4729-0036(微信同号)
联系人:卢小姐,171-4729-0036微信同号,无线联通更快捷
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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20918
TO-220
原装现货上海库存,欢迎查询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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21+
20000
TO-220-2
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
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