VS - 8E2TL06 -E ， VS - 8E2TL06 -M ， VS - 8E2TL06FP -E
威世半导体
超低V
F
超快整流器， 8的FRED铂
特点
超快恢复时间，极低的V
F
和
软恢复
175°C最高工作结温
对于DCM PFC操作
真正的2引脚封装
低漏电流
全隔离封装（V
插件
= 2500 V
RMS
)
符合RoHS指令2002/95 / EC
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
设计和工业级合格
2L TO- 220AC
BASE
阴极
2
2L TO- 220 FULL- PAK
1
阴极
3
阳极
1
阴极
2
阳极
描述
最先进的技术，超低V
F
，软交换超快整流器
对于连续优化（严重）模式（ DCM ）电源
因数校正（PFC ） 。
的最小的导通损耗，优化存储的电荷
和低恢复电流最小化开关损耗和
降低了损耗在开关元件和
缓冲器。
该装置还打算用作续流二极管
在电源和其它电源开关应用。
VS-8E2TL06
VS-8E2TL06FP
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
t
rr
（典型值）。
T
J
马克斯。
二极管的变化
2L的TO- 220AC ，2L的TO-220的FP
8A
600 V
1.07 V
60纳秒
175 °C
单芯片
应用
AC / DC开关电源70瓦到400瓦
例如笔记本电脑和打印机的电源适配器，台式电脑，电视和
监视器，游戏单元和DVD的交流 - 直流电源。
绝对最大额定值
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
重复峰值正向电流
工作结温和存储温度
符号
V
RRM
FULL- PAK
I
F（ AV ）
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
T
C
= 156 °C
T
C
= 131 °C
T
J
= 25 °C
测试条件
值
600
8
125
16
- 65 175
°C
A
单位
V
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压，
阻断电压
正向电压
符号
V
BR
,
V
R
V
F
I
R
C
T
L
S
I
R
= 100 μA
I
F
= 8 A
I
F
= 8 A，T
J
= 150 °C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ，V
R
= V
R
评级
V
R
= 600 V
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
分钟。
600
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
1
0.85
0.04
10
6
8
马克斯。
-
1.07
0.90
4
70
-
-
μA
pF
nH
V
单位
反向漏电流
结电容
串联电感
文档编号： 93168
修订： 19 - 8 - 10
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1
VS - 8E2TL06 -E ， VS - 8E2TL06 -M ， VS - 8E2TL06FP -E
威世半导体
超低V
F
超快整流器，
8一个FRED铂
动态恢复特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
测试条件
I
F
= 1.0 ，二
F
/ DT = 100 A / μs的，V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
I
F
= 8.0 A ，二
F
/ DT = 100 A / μs的，V
R
= 30 V
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 8 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 390 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
60
150
200
255
15
20
1.5
2.4
马克斯。
100
250
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷
μC
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
热阻，
结到外壳
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
R
乡镇卫生院
典型的插座安装
安装面，平整，光滑
与润滑
测试条件
分钟。
- 65
-
-
-
-
-
-
6
(5)
封装类型TO- 220
机箱样式TO- 220 FULL- PAK
典型值。
-
2
5
-
0.5
2
0.07
-
马克斯。
175
2.4
5.5
70
-
-
-
12
(10)
8E2TL06
8E2TL06FP
g
盎司
千克力·厘米
（磅力·英寸）
° C / W
单位
°C
FULL- PAK
热阻，
每个路口站到环境
典型热阻，
案件散热器
重量
安装力矩
打标设备
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VS - 8E2TL06 -E ， VS - 8E2TL06 -M ， VS - 8E2TL06FP -E
超低V
F
超快整流器，
8一个FRED铂
I
F
- 正向电流（A ）
100
100
威世半导体
I
R
- 反向电流（mA ）
T
J
= 175 °C
10
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
0.1
T
J
= 75 °C
0.01
T
J
= 50 °C
T
J
= 25 °C
10
T
J
= 175 °C
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
0.1
0.2
0.001
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
93168_02
0
100
200
300
400
500
600
93168_01
V
F
- 正向压降（ V）
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
图。 1 - 典型正向压降特性
100
C
T
- 结电容（pF ）
10
1
0
93168_03
100
200
300
400
500
600
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.1
单身
脉冲
（热电阻）
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
93168_04
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特性（ TO-220 ）
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威世半导体
10
超低V
F
超快整流器，
8一个FRED铂
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
1
单身
脉冲
（热电阻）
0.1
0.00001
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
93168_05
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 5 - 最大热抗Z
thJC
特性（ FULL -PAK ）
允许外壳温度（ ℃）
允许外壳温度（ ℃）
180
180
170
160
DC
150
140
130
120
110
SEE
注（1）
100
0
2
4
6
8
10
12
方
波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
R
应用的
170
DC
160
150
方
波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
R
应用的
SEE
注（1）
140
0
93168_06
2
4
6
8
10
12
93168_07
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流（ TO- 220 ）
12
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 7 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流（ FULL- PAK ）
平均功耗（ W）
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
RMS限制
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
DC
93168_08
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 8 - 正向功率损耗特性
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
; PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
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超低V
F
超快整流器，
8一个FRED铂
400
350
I
F
= 8 A，T
J
= 125 °C
300
2.5
I
F
= 8 A，T
J
= 125 °C
3.0
威世半导体
200
150
I
F
= 8 A，T
J
= 25 °C
100
50
0
100
Q
rr
（ NC ）
250
t
rr
（纳秒）
2.0
I
F
= 8 A，T
J
= 25 °C
1.5
1000
1.0
100
93168_10
1000
93168_09
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 9 - 典型的反向恢复时间 - 的dI
F
/ DT
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 10 - 典型的存储电荷主场迎战的dI
F
/ DT
V
R
= 200 V
0.01
Ω
L = 70 μH
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 11 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
（ REC ）M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
（1）的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
以点线通过
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4)
Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
（5）的dI
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 12 - 反向恢复波形和定义
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