VS- 80SQ ...系列， VS- 80SQ ...- M3系列
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威世半导体
肖特基整流器， 8的
特点
175 ° （C T）
J
手术
低正向压降
阴极
阳极
??高频工作
高纯度，耐高温环氧树脂
封装提高机械
强度和防潮性
保护环，增强耐用性和
长期可靠性
DO-204AR
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
I
RM
马克斯。
T
J
马克斯。
二极管的变化
E
AS
DO-204AR
8A
30 V, 35 V, 40 V, 45 V
0.44 V
为15 mA 125°C
175 °C
单芯片
10兆焦耳
符合RoHS指令2002/95 / EC
设计和合格的商用水平
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
（ -M3只）
描述
在VS- 80SQ ...轴向引线肖特基整流器系列具有
被优化的低反向漏高温。
专有的阻隔技术可以可靠
运行在高达175 ℃的结温。典型
应用在开关电源，转换器，
续流二极管，反向电池保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
特征
方波
范围
t
p
= 5 μs的正弦
8 APK ，T
J
= 125 °C
范围
值
8
30至45
2400
0.44
- 55 175
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向
电压
符号
V
R
V
RWM
30
35
40
45
V
VS-80SQ030
VS-80SQ030-M3
VS-80SQ035
VS-80SQ035-M3
VS-80SQ040
VS-80SQ040-M3
VS-80SQ045
VS-80SQ045-M3
单位
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
参见图。五
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参见图。 7
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
测试条件
50％的占空比在T
C
= 119 ° C，方波
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1.6 A ， L = 7.8 mH的
在1微秒的电流线性衰减到零
频率受限，T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
值
8
2400
380
10
1.6
mJ
A
A
单位
修订： 19 09月11
文档编号： 93398
1
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电气规格
参数
符号
8A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频（1）
16 A
8A
16 A
最大反向漏电流
SEE图。 2
最大结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
值
0.53
0.60
0.44
0.55
2
15
900
10.0
10 000
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻，
交界处领导
典型热阻，
结到空气
大约重量
符号
T
J
, T
英镑
R
thJL
R
thJA
DC操作;参见图。 4
8"分之1引线长度
测试条件
值
- 55 175
8.0
° C / W
44
1.4
0.049
80SQ030
打标设备
机箱样式DO- 204AR （ JEDEC ）
80SQ035
80SQ040
80SQ045
g
盎司
单位
°C
修订： 19 09月11
文档编号： 93398
2
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1000
I
F
- 正向电流（A ）
100
I
R
- 反向电流（mA ）
100 T
J
= 175 °C
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
1 T
J
= 100 °C
0.1
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
0.01 T
J
= 25 °C
0.001
10
T
J
= 175 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1
0.1
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
0
93398_02
5
10
15
20
25
30
35
40
45
93398_01
V
FM
- 正向压降（ V）
V
R
- 反向电压（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
100
0
93398_03
10
20
30
40
50
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容比。
反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
= 1/8英寸
1
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.17
D = 0.08
D = 0.01
单脉冲
（热电阻）
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
P
DM
t
1
t
2
0.1
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
10
100
93398_04
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJL
特征
修订： 19 09月11
文档编号： 93398
3
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6
允许外壳温度（ ℃）
180
170
平均功耗（ W）
80SQ
R
thJL
（DC ）= 80℃ / W的
5
4
3
D = 0.08
D = 0.17
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
DC
RMS限制
160
150
DC
2
1
0
140
= 1/8英寸
130
0
93398_05
2
4
6
8
10
12
93398_06
0
2
4
6
8
10
12
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 6 - 正向功率损耗特性
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
I
FSM
- 非重复性
浪涌
电流（A ）
10 000
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下
浪涌
1000
100
10
100
1000
10 000
93398_07
t
p
-
方
波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
L
快速
开关
飞轮
二极管
40HFL40S02
+
V
d
= 25
V
D.U.T.
IRFP460
R
g
= 25
Ω
当前
MONITOR
图。 8 - 非钳位感应测试电路
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订购信息表
威世半导体
器件代码
VS-
1
1
2
3
4
5
6
7
80
2
S
3
Q
4
045
5
TR
6
-M3
7
-
-
-
-
-
-
-
威世半导体产品
80 =电流×10
S = DO- 204AR
Q =肖特基Q系列..
额定电压
TR =磁带和卷轴包装
无=散包
环境位数
无=铅（ Pb），并且符合RoHS标准
-M3 =无卤素，符合RoHS标准，并终止铅（Pb ） - 免费
030
035
040
045
=
=
=
=
30
35
40
45
V
V
V
V
订购信息
（例）
首选的P / N
VS-80SQ030
VS-80SQ030TR
VS-80SQ030-M3
VS-80SQ030TR-M3
VS-80SQ035
VS-80SQ035TR
VS-80SQ035-M3
VS-80SQ035TR-M3
VS-80SQ040
VS-80SQ040TR
VS-80SQ040-M3
VS-80SQ040TR-M3
VS-80SQ045
VS-80SQ045TR
VS-80SQ045-M3
VS-80SQ045TR-M3
QUANTITY PER T / R
300
1500
300
1500
300
1500
300
1500
300
1500
300
1500
300
1500
300
1500
最小起订量
300
1500
300
1500
300
1500
300
1500
300
1500
300
1500
300
1500
300
1500
包装说明
体积
磁带和卷轴
体积
磁带和卷轴
体积
磁带和卷轴
体积
磁带和卷轴
体积
磁带和卷轴
体积
磁带和卷轴
体积
磁带和卷轴
体积
磁带和卷轴
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