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威世半导体
超快软恢复二极管， 80 A FRED铂
特点
超快恢复时间
175 ° C以下。工作结温
只螺丝安装
阴极
阳极
设计和
JEDEC-JESD47
合格
根据
to
符合RoHS指令2002/95 / EC
PowerTab
包
PowerTab
好处
??减少RFI和EMI
??更高的工作频率
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
t
rr
（典型值）。
T
J
马克斯。
二极管的变化
PowerTab
80 A
200 V
1.13 V
请参阅恢复表
175 °C
单芯片
??减少冷落
??减少了部件数量
说明/应用
这些二极管进行了优化，以减少损耗和EMI / RFI的
高频功率调节系统。
恢复的柔软性消除了对一
缓冲器在大多数应用中。这些器件是理想
适用于高频焊接，电源转换器等
应用中的开关损耗不显著
总损耗的一部分。
绝对最大额定值
参数
阴极到阳极电压
连续正向电流
单脉冲正向电流
最大重复正向电流
工作结
储存温度
符号
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
I
FRM
T
J
, T
英镑
T
C
= 112 °C
T
C
= 25 °C
方波， 20千赫
测试条件
马克斯。
200
80
800
160
- 55 175
°C
A
单位
V
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压，
阻断电压
正向电压
符号
V
BR
,
V
r
V
F
I
R
C
T
L
S
I
R
= 50 μA
I
F
= 80 A
I
F
= 80 A，T
J
= 175 °C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ，V
R
= V
R
评级
V
R
= 200 V
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
分钟。
200
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.98
0.79
-
-
89
3.5
马克斯。
-
1.13
0.92
50
2
-
-
μA
mA
pF
nH
V
单位
反向漏电流
结电容
串联电感
修订： 15军11
文档编号： 93024
1
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动态恢复特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
测试条件
I
F
= 1.0 ，二
F
/ DT = 200 A / μs的，V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 80 A
V
R
= 160 V
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
32
52
4.4
8.8
70
240
马克斯。
35
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷
nC
热 - 机械特性
参数
热阻，
结到外壳
热阻，
结到散热器
重量
安装力矩
打标设备
机箱样式PowerTab
符号
R
thJC
R
乡镇卫生院
安装表面平整，光滑和脂润滑
测试条件
分钟。
-
-
-
-
1.2
(10)
典型值。
-
0.2
-
0.18
-
马克斯。
0.70
K / W
-
5.02
-
2.4
(20)
80EBU02
g
盎司
N·m的
（磅力·英寸）
单位
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1000
1000
反向电流 - I
R
(A)
T
J
= 175C
125C
100
10
1
25C
0.1
0.01
瞬时正向电流 - I
F
(A)
100
0.001
T = 175℃
J
J
J
0
50
100
150
200
T = 125°C
中T = 25℃
反向电压 - V
R
(V)
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
10000
10
结电容 - C
T
（PF ）
T
J
= 25C
1000
100
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
正向电压下降 - V
FM
(V)
10
1
10
100
1000
反向电压 - V
R
(V)
图。 1 - 最大正向压降特性
图。 3 - 典型结电容比。
反向电压
1
热阻抗Z
thJC
（ ° C / W）
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
单脉冲
（热电阻）
P
DM
0.1
t1
t2
注意事项：
1.占空比系数D = T1 / T2
2.峰值TJ = PDM X ZthJC +锝
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
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70
180
允许外壳温度（ ℃）
60
IF = 160A
IF = 80A
IF = 40A
160
140
120
100
80
见注（ 1 ）
方波（ D = 0.50 ）
80 ％额定Vr的应用
50
DC
TRR （ NS ）
40
30
60
0
20
40
60
80
100
120
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
20
VR = 160V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
10
100
di
F
/ DT （ A / μs）内
1000
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪
F
/ DT
1200
120
RMS限制
平均功耗（瓦）
1000
VR = 160V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
0
100
di
F
/ DT （ A / μs）内
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
800
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
DC
QRR （ NC ）
IF = 160A
IF = 80A
IF = 40A
600
400
200
1000
图。 6 - 正向功率损耗特性
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
(1)
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
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V
R
= 200 V
0.01
Ω
L = 70 μH
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
（ REC ）M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
（1）的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
以点线通过
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4)
Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
（5）的dI
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 10 - 反向恢复波形和定义
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