VS-6CWQ04FNPbF
威世半导体
肖特基整流器， 2× 3.5 A
BASE
常见
阴极
4
特点
??流行的D- PAK大纲
??中心抽头配置
??小脚印，表面贴装
低正向压降
D- PAK （ TO- 252AA ）
2
常见
阴极
1
3
阳极
阳极
??高频工作
??保护环，增强耐用性和长期
可靠性
符合RoHS指令2002/95 / EC
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
I
RM
T
J
马克斯。
二极管的变化
E
AS
D- PAK （ TO- 252AA ）
2× 3.5 A
40 V
请参阅电气表
在125℃下24毫安
150 °C
共阴极
8兆焦耳
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020的LF最大峰值
260 °C
描述
在VS- 6CWQ04FNPbF表面贴装，中心抽头，
肖特基整流器系列已被设计为应用
要求低正向压降和小脚印在PC上
板。典型的应用是在磁盘驱动器，开关
电源，转换器，续流二极管，电池
充电和电池反向保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
3 APK ，T
J
= 125°C （每站）
范围
特征
方波
值
7
40
500
0.49
- 40150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
VS-6CWQ04FNPbF
40
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均
正向电流
参见图。五
每腿
I
F（ AV ）
每个器件
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1 ， L = 16毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
50％的占空比在T
C
= 135℃ ，矩形波形
7
A
500
80
8.0
1.0
mJ
A
符号
测试条件
值
3.5
单位
最大峰值一个周期
每腿不重复浪涌电流
参见图。 7
每腿非重复性雪崩能量
每腿重复雪崩电流
文档编号： 94248
修订： 14 -JAN- 11
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1
VS-6CWQ04FNPbF
威世半导体
肖特基整流器， 2× 3.5 A
电气规格
参数
符号
3A
每站最大正向压降
参见图。 1
V
调频（1）
6A
3A
6A
最大反向漏
电流每LEG
SEE图。 2
阈值电压
正向斜率电阻
每腿典型结电容
每腿典型的串联电感
变化最大电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM
(1)
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
值
0.53
0.67
0.49
0.62
2
单位
V
T
J
= 25 °C
V
R
=额定V
R
T
J
= 125 °C
mA
24
0.34
37.33
189
5.0
10 000
V
m
pF
nH
V / μs的
V
F（ TO）
r
t
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= T
J
最大
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz时） ，25°C
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻，
结到外壳
大约重量
打标设备
记
(1)
符号
T
J (1)
, T
英镑
每腿
每个器件
R
thJC
测试条件
值
- 40150
单位
°C
° C / W
g
盎司
直流操作
见图。 4
4.70
2.35
0.3
0.01
机箱样式D- PAK （类似TO- 252AA ）
6CWQ04FN
dP
合计
1
------------ ------------- <
热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
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VS-6CWQ04FNPbF
肖特基整流器， 2× 3.5 A
威世半导体
100
100
I
R
- 反向电流（mA ）
T
J
= 150 °C
10
I
F
- 瞬时
正向电流（ A）
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
1.0
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
0.1
T
J
= 50 °C
0.01
T
J
= 25 °C
0.001
1.0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
（每站）
1000
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压（每腿）
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
100
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压（每腿）
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
P
DM
1.0
t
1
单脉冲
（热电阻）
0.1
0.00001
0.0001
0.001
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
0.01
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
1.0
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特性（每腿）
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VS-6CWQ04FNPbF
威世半导体
155
肖特基整流器， 2× 3.5 A
3.0
允许外壳温度（ ℃）
150
145
140
135
130
125
120
115
110
DC
平均功耗（ W）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
方波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
R
应用的
DC
见注（ 1 ）
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流（每腿）
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
（每站）
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
10 000
1000
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下浪涌
100
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
（每站）
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
(1)
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威世半导体
订购信息表
器件代码
VS-
1
1
2
3
4
4
5
6
7
8
-
-
-
-
-
-
-
-
6
2
C
3
W
4
Q
5
04
6
FN
7
TRL的PbF
8
9
威世半导体产品
额定电流（ 7 A）
中心抽头配置 -
包装标识：
W = D- PAK
肖特基“Q”系列
电压额定值（ 04 = 40 V）
FN = TO- 252AA （ D- PAK ）
无=管（ 50件）
TR =磁带和卷轴
TRL =带和卷轴（左为导向）
TRR =带和卷轴（右导向）
9
-
PBF =铅（Pb ） - 免费
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