VS- 60CPU02 -F， VS- 60CPU02 -N3
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威世半导体
超快整流器，
FRED铂
， 2× 30 A
特点
超快恢复时间
基地2
常见
阴极
阳极1
TO-247AC
阳极2
2
1共3
阴极
低正向压降
低漏电流
175 ° C的工作结温
符合RoHS指令2002/95 / EC
根据设计和合格
JEDEC-JESD47
符合IEC 61249-2-21无卤素
定义（ -N 3只）
描述
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
t
rr
典型值。
T
J
马克斯。
二极管的变化
TO-247AC
2× 30 A
200 V
1.1 V
30纳秒
175 °C
共阴极
VS- 60CPU02 ...系列是最先进超快的状态
恢复整流器设计与优化的性能
正向压降和超快恢复时间。
平面结构和铂掺杂寿命时间控制
保证最佳的整体性能，耐用性和
可靠性的特点。
这些设备被设计用于输出整流用
SMPS ，焊接， UPS ， DC的舞台/ DC转换器，以及
续流二极管低电压逆变器和斩波
电机驱动器。
他们非常优化的存储电荷和低恢复
电流最小化开关损耗和降低了
耗散在开关元件和缓冲电路。
绝对最大额定值
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
每腿
每个器件
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
为V
R
, T
C
= 145 °C
T
J
= 25 °C
为V
R
，方波， 20千赫，T
C
= 137 °C
测试条件
值
200
30
60
300
60
- 65 175
°C
A
单位
V
每腿非重复峰值浪涌电流
每腿重复峰值正向电流
工作结温和存储温度
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压，
阻断电压
正向电压
符号
V
BR
,
V
R
V
F
I
R
C
T
L
S
测试条件
I
R
= 100 μA
I
F
= 30 A
I
F
= 30 A，T
J
= 150 °C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ，V
R
= V
R
评级
V
R
= 200 V
测量导致引线5毫米封装体
分钟。
200
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.92
0.75
-
30
100
12
马克斯。
-
1.1
0.85
50
300
-
-
A
pF
nH
V
单位
反向漏电流
结电容
串联电感
修订： 26 -JAN- 12
文档编号： 94657
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威世半导体
动态恢复特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
测试条件
I
F
= 1.0 ，二
F
/ DT = 100 A / μs的，V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 30 A
dI
F
/ DT = - 200 A / μs的
V
R
= 160 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
30
30
47
3
6.5
42
160
马克斯。
36
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷
nC
热 - 机械特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大结点和
存储温度范围
热阻，
结每腿区分
热阻，
每个路口站到环境
热阻，
案件散热器
重量
安装力矩
打标设备
机箱样式TO- 247AC
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
R
乡镇卫生院
典型的插座安装
安装面，平整，光滑
与润滑
测试条件
分钟。
- 65
-
-
-
-
-
6.0
(5.0)
典型值。
-
0.6
-
0.5
6.0
0.21
-
马克斯。
175
1.0
40
-
-
-
12
(10)
60CPU02
g
盎司
千克力·厘米
（磅力·英寸）
° C / W
单位
°C
1000
1000
I
F
- 正向
电流（A ）
I
R
- 反向电流（ μA ）
100
10
1
0.1
T
J
= 175 °C
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
100
10
T
J
= 175 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
0.01
0.001
T
J
= 25 °C
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
50
100
150
200
V
F
- 正向压降（ V）
图。 1 - 典型正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
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威世半导体
1000
C
T
- 结电容（pF ）
100
10
0
50
100
150
200
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
0.1
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.01
单脉冲
（热电阻）
0.001
0.00001
0.0001
.
0.001
0.01
0.1
1
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
180
40
允许外壳温度（ ℃）
平均功耗（ W）
170
160
150
140
130
见注（ 1 ）
120
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
方
WAVE
(D = 0.50)
评级
V
R
应用的
DC
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
DC
RMS限制
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
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1000
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70
60
I
F
= 30 A，T
J
= 125 °C
50
I
F
= 30 A，T
J
= 125 °C
Q
rr
（ NC ）
t
rr
（纳秒）
40
30
20
10
100
I
F
= 30 A，T
J
= 25 °C
100
I
F
= 30 A，T
J
= 25 °C
1000
10
100
1000
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪
F
/ DT
(1)
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
V
R
= 200 V
0.01
Ω
L = 70 μH
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
（ REC ）M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
（1）的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
以点线通过
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4)
Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
（5）的dI
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 10 - 反向恢复波形和定义
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订购信息表
器件代码
威世半导体
VS-
1
1
2
3
60
2
-
-
-
-
-
-
-
C
3
P
4
U
5
02
6
-F
7
威世半导体产品
额定电流（ 60 = 60 A）
电路配置：
C =共阴极
包装：
P = TO- 247AC （修正）
U =超快整流器
电压额定值（ 02 = 200 V）
环境位数：
-F =符合RoHS标准，完全无铅（Pb ） - 免费
N 3 =无卤素，符合RoHS标准，完全无铅（Pb ） - 免费
4
5
6
7
订购信息
（例）
首选的P / N
VS-60CPU02-F
VS-60CPU02-N3
QUANTITY PER T / R
25
25
最小起订量
500
500
包装说明
防静电塑料管
防静电塑料管
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