VS- 30CPH03PbF ， VS- 30CPH03 -N3
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威世半导体
超快整流器， 2× 15 A FRED铂
BASE
常见
阴极
2
特点
超快恢复时间
低正向压降
175 ° C的工作结温
低漏电流
设计和
JEDEC-JESD47
合格
根据
to
TO-247AC
1
3
阳极
阳极
2
1
2
常见
阴极
材料分类：
对于合规的定义，请参见
www.vishay.com/doc?99912
说明/应用
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
t
rr
典型值。
T
J
马克斯。
二极管的变化
TO-247AC
2× 15 A
300 V
1.25 V
请参阅恢复表
175 °C
共阴极
300 V系列是最先进的超快恢复状态
整流器设计的正向优化的性能
电压降和超快恢复时间。
平面结构和铂掺杂寿命时间控制
保证最佳的整体性能，耐用性和
可靠性的特点。
这些器件旨在用于输出使用
开关电源， UPS电源，直流的整流级/ DC转换器，以及
为续流二极管低电压逆变器和斩波
电机驱动器。
他们非常优化的存储电荷和低恢复
电流最小化开关损耗和降低了
耗散在开关元件和缓冲电路。
绝对最大额定值
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
每腿
设备总
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
T
C
= 142 °C
T
J
= 25 °C
测试条件
值
300
15
30
140
- 65 175
°C
A
单位
V
每腿非重复峰值浪涌电流
工作结温和存储温度
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压，
阻断电压
正向电压
符号
V
BR
,
V
R
V
F
I
R
C
T
L
S
I
R
= 100 μA
I
F
= 15 A
I
F
= 15 A，T
J
= 125 °C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 125°C ，V
R
= V
R
评级
V
R
= 300 V
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
分钟。
300
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
1.05
0.85
0.05
12
45
8
马克斯。
-
1.25
1.00
40
400
-
-
μA
pF
nH
V
单位
反向漏电流
结电容
串联电感
修订： 6月26日12
文档编号： 94012
1
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威世半导体
动态恢复特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
测试条件
I
F
= 1.0 ，二
F
/ DT = 50 A / μs的，V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 15 A
dI
F
/ DT = - 200 A / μs的
V
R
= 200 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
32
45
2.4
6.1
38
137
马克斯。
40
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷
nC
热 - 机械特性
参数
最大结点和
存储温度范围
热阻，
结每腿区分
热阻，
每个路口站到环境
热阻，
案件散热器
重量
安装力矩
打标设备
机箱样式TO- 247AC
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
R
乡镇卫生院
典型的插座安装
安装面，平整，光滑
与润滑
测试条件
分钟。
- 65
-
-
-
-
-
6.0
(5.0)
典型值。
-
0.9
-
0.4
6.0
0.21
-
30CPH03
马克斯。
175
2.0
40
-
-
-
12
(10)
g
盎司
千克力·厘米
（磅力· in ）
° C / W
单位
°C
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威世半导体
1000
T
J
= 175 °C
T
J
= 150 °C
10
1
T
J
= 100 °C
0.1
0.01
0.001
T
J
= 125 °C
100
I
F
- 正向
电流（A ）
10
T
J
= 175 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
I
R
- 反向电流（ μA ）
100
T
J
= 25 °C
0
50
100
150
200
250
300
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
F
- 正向压降（ V）
图。 1 - 典型正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
C
T
- 结电容（pF ）
100
T
J
= 25 °C
10
0
50
100
150
200
250
300
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
10
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
1
P
DM
t
1
t
2
0.1
单脉冲
（热电阻）
0.01
0.00001
0.0001
0.001
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.01
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
.
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
1
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
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180
100
I
F
= 30 A ,
T
J
= 25 °C
I
F
= 30 A ,
T
J
= 125 °C
威世半导体
允许外壳温度（ ℃）
170
160
150
140
130
见注（ 1 ）
120
0
5
10
15
20
25
10
100
方波（ D = 0.50 ）
为V
R
应用的
DC
t
rr
（纳秒）
1000
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
22
20
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪
F
/ DT
1000
平均功耗（ W）
18
16
RMS限制
I
F
= 30 A ,
T
J
= 125 °C
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
DC
Q
rr
（ NC ）
14
100
I
F
= 30 A ,
T
J
= 25 °C
20
25
10
100
1000
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
(1)
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威世半导体
V
R
= 200 V
0.01
Ω
L = 70 μH
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
（ REC ）M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
（1）的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
以点线通过
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4)
Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
（5）的dI
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 10 - 反向恢复波形和定义
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