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16F (R )系列
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威世半导体
标准恢复二极管
(梭哈版) , 16 A
特点
高浪涌电流能力
梭哈阴极和阳极螺柱版本
宽电流范围
种类多达1200 V V
RRM
设计和合格的工业和消费水平
DO- 203AA (DO- 4)
RoHS指令
柔顺
材料分类:为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
典型应用
电池充电
转换器
电源
16 A
产品概述
I
F( AV )
机床控制
主要额定值及特点
参数
I
F( AV )
I
F( RMS )
I
FSM
I
2
t
V
RRM
T
J
50赫兹
60赫兹
50赫兹
60赫兹
范围
测试条件
16
T
C
140
25
350
370
612
560
100至1200
- 65 175
单位
A
°C
A
A
A
2
s
V
°C
电气规格
电压额定值
TYPE
电压
CODE
10
20
40
16F(R)
60
80
100
120
V
RRM
最大
重复峰值
反向电压
V
100
200
400
600
800
1000
1200
V
RSM
最大
不重复
峰值电压
V
150
275
500
725
950
1200
1400
V
R( BR )
,最小
雪崩
电压
V
(1)
-
-
500
750
950
1150
1350
12
I
RRM
最大
在T
J
= 175 °C
mA
(1)
只能从V雪崩版本
RRM
400 V至1200 V
修订: 04 -APR- 13
文档编号: 93491
1
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16F (R )系列
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威世半导体
正向导通
参数
最大平均正向电流
在外壳温度
最大RMS正向电流
最大的重复性峰值
反向功率
符号
I
F( AV )
I
F( RMS )
P
R(1)
10 μs的方波脉冲,T
J
= T
J
最大
T = 10毫秒
最大峰值,一个周期向前,
非重复浪涌电流
I
FSM
T = 8.3毫秒
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
T = 10毫秒
我最大
2
吨融合
I
2
t
T = 8.3毫秒
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
我最大
2
t
对于融合
阈值电压的低电平值
阈值电压高的电平值
正向低电平值
斜率电阻
正向高层次的价值
斜率电阻
最大正向电压降
I
2
t
V
F(TO)1
V
F(TO)2
r
f1
r
f2
V
FM
无电压
重新申请
100 % V
RRM
重新申请
无电压
重新申请
100 % V
RRM
重新申请
测试条件
180度通电,半正弦波
16
140
25
15
350
370
295
正弦半波,
初始的T
J
= T
J
最大
310
612
560
435
395
6120
0.77
0.90
7.80
m
(I GT ;
X我
F( AV )
), T
J
= T
J
最大
I
pk
= 50 A,T
J
= 25 ° C,T
p
= 400 μs的矩形波
5.70
1.23
V
A
2
s
V
A
2
s
A
单位
A
°C
A
K / W
T = 0.1 10毫秒,无电压重新申请
(16.7 % x
X我
F( AV )
& LT ; I& LT ;
X我
F( AV )
), T
J
= T
J
最大
(I GT ;
X我
F( AV )
), T
J
= T
J
最大
(16.7 % x
X我
F( AV )
& LT ; I& LT ;
X我
F( AV )
), T
J
= T
J
最大
(1)
仅适用于雪崩的版本,所有其它参数相同, 16F
热和机械规格
参数
最高结operating
温度范围
最大存储温度范围
最大热电阻,
结到外壳
最大热电阻,
案件散热器
符号
T
J
T
英镑
R
thJC
R
乡镇卫生院
直流操作
安装面,光滑,扁平的和润滑
不润滑螺纹
允许安装力矩
润滑螺纹
大约重量
机箱样式
见尺寸 - 链接数据表的末尾
测试条件
- 65 175
- 65 200
1.6
K / W
0.5
1.5
+ 0 - 10 %
(13)
1.2
+ 0 - 10 %
(10)
7
0.25
N·m的
(磅力·英寸)
N·m的
(磅力·英寸)
g
盎司
单位
°C
DO- 203AA (DO- 4)
修订: 04 -APR- 13
文档编号: 93491
2
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16F (R )系列
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威世半导体
R
thJC
传导
导通角
180°
120°
90°
60°
30°
正弦传导
0.31
0.38
0.49
0.72
1.20
长方形的导
0.23
0.40
0.54
0.75
1.21
T
J
= T
J
最大
K / W
测试条件
单位
上表显示了热敏电阻R的增加
thJC
当器件工作在不同的导通角比DC操作
最大允许外壳温度( ℃)
16F (R )系列
R
thJC
(DC) = 1.6 K / W
最大允许外壳温度( ℃)
180
180
16F (R )系列
R
thJC
(DC) = 1.6 K / W
170
170
160
导通角
160
导通时间
150
150
90°
60° 120°
30°
130
0
5
10
15
20
25
30
平均正向电流( A)
180°
DC
140
60°
30°
130
0
4
8
90°
120°
180°
12
16
20
140
平均正向电流( A)
图。 1 - 额定电流特性
图。 2 - 额定电流特性
最大正向平均功耗( W)
20
180°
120°
90°
60°
30°
RMS限制
8
导通角
R
16
6K
/W
8K
/W
10 K
/W
th
SA
=
4K
/W
-D
ELT
aR
12
15 K/
W
20 K / W
4
30 K / W
16F (R )系列
T = 175℃
J
0
4
8
12
16
20
0
25
50
75
100
0
平均正向电流( A)
最大允许环境温度( ° C)
图。 3 - 正向功率损耗特性
修订: 04 -APR- 13
文档编号: 93491
3
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16F (R )系列
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25
DC
180°
120°
90°
60°
30°
R
威世半导体
th
SA
=
最大正向平均功耗( W)
20
6K
/W
RMS限制
8K
/W
10 K
/W
4K
/W
-D
ELT
aR
15
10
导通时间
15 K/
W
20 K / W
5
30 K / W
16F (R )系列
T = 175℃
J
0
5
10
15
20
25
30
0
25
50
75
100
0
平均正向电流( A)
最大允许环境温度( ° C)
图。 4 - 正向功率损耗特性
峰值半正弦波正向电流( A)
325
300
275
250
225
200
175
150
125
1
正向电流(A )
在任何额定载荷条件和
为V
RRM
适用于以下浪涌。
初始T = 175℃
J
@ 60 Hz的0.0083 s
@ 50 Hz的0.0100 s
1000
中T = 25℃
J
T = 175℃
J
100
10
16F (R )系列
16F (R )系列
1
0
1
2
3
4
5
6
10
100
等幅半周期电流脉冲数(N )
正向电压( V)
图。 5 - 最大不重复浪涌电流
图。 7 - 正向压降特性
峰值半正弦波正向电流( A)
瞬态热阻抗Z
thJC
(K / W)
350
325
300
275
250
225
200
175
150
125
0.01
最大非重复浪涌电流
对比脉冲序列的持续时间。
初始的T
J
= 175°C
没有再通电
为V
RRM
重新申请
10
稳态值
RthJC = 1.6 K / W
(直流操作)
1
16F (R )系列
16F (R )系列
0.1
0.001
0.1
脉冲串持续时间( S)
1
0.01
0.1
1
10
方波脉冲持续时间( S)
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
图。 8 - 热抗Z
thJC
特征
修订: 04 -APR- 13
文档编号: 93491
4
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订购信息表
威世半导体
器件代码
16
1
1
2
3
-
-
-
F
2
R
3
120
4
M
5
额定电流:代码= I
F( AV )
F =标准设备
无=梭哈正极性(阴极螺柱)
R =螺栓反极性(阳极螺柱)
4
5
-
-
电压代码×10 = V
RRM
(见电压额定值表)
无=梭哈基地DO- 203AA ( DO - 4 ) 10-32UNF -2A
M =梭哈基地DO - 203AA ( DO - 4 ) M5 ×0.8
(不适用于雪崩二极管)
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    VS-16F10
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    -
    -
    -
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电话:0755-22929859
联系人:朱先生
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Vishay
2025+
26820
DO-203AA
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联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
VS-16F10
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
24+
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DO-203AA(DO-4)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
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地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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24+
16000
DO-203AA(DO-4)
全新原装现货,原厂代理。
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