VRF157FL
VRF157FLMP
50V ， 600W ， 80MHz的
射频功率MOSFET垂直
该VRF157FL为金的金属化硅n沟道RF功率晶体管
器设计用于需要宽带商业和军事应用
高功率和增益而不影响可靠性，耐用性，或间
调制失真。
S
D
S
G
特点
提高耐用性V
（ BR ） DSS
= 170V
600W与21分贝典型增益@ 30MHz的， 50V
卓越的稳定性&低IMD
公共源CON组fi guration
可成对
氮化物钝化
经济无凸缘封装
耐火材料镀金
高压置换MRF157
符合RoHS
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
存储温度范围
工作结温最高
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定编
VRF157FL(MP)
170
60
±40
1350
-65到150
200
单位
V
A
V
W
°C
静态电气特性
符号
V
（ BR ） DSS
V
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
g
fs
V
GS （ TH）
参数
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 100毫安）
在国家漏极电压（I
D（上）
= 40A ，V
GS
= 10V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 100V, V
GS
= 0V)
门源漏电流（V
DS
= ±20V, V
DS
= 0V)
正向跨导（V
DS
= 10V ，我
D
= 20A)
栅极阈值电压（V
DS
= 10V ，我
D
= 100毫安）
16
2.9
3.6
4.4
民
170
典型值
180
3.0
5.0
4.0
4.0
最大
单位
V
mA
μA
姆欧
V
热特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JHS
特征
结到外壳热阻
结到散热器的热阻
（使用高英法fi效率导热化合物和平面散热器
面。 ）
民
典型值
最大
0.13
单位
° C / W
0.22
050-4940 F版9-2010
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
F = 1MHz的
民
典型值
1580
810
65
VRF157FL(MP)
最大
单位
pF
功能特点
符号
G
PS
η
D
IMD
(d3)
参数
F = 30MHz的，V
DD
= 50V ，我
DQ
= 800毫安，P
OUT
= 600W
F = 30MHz的，V
DD
= 50V ，我
DQ
= 800毫安，P
OUT
= 600W
PEP
F1 = 30MHz的， F2 = 30.001MHz ，V
DD
= 50V ，我
DQ
= 800毫安，P
OUT
= 600W
PEP 1
民
17
典型值
21
45
-25
最大
单位
dB
%
dBc的
1. MIL -STD -1311版本A ，测试方法2204B ，双音，参考每个音
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
典型性能曲线
45
40
35
I
D
,
漏电流（ A）
4.5V
I
D
，漏电流（ A）
30
25
20
15
10
5
0
0
V
DS （上
)
100
5.5V
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
250μs的脉冲
TEST<0.5 ％占空比
周期
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
3.5V
2.5V
1.5V
.5V
2
4
6
8
10
T
J
= 125°C
2
4
6
8
10
，漏极至源极电压（ V）
图1中，输出特性
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图2 ，传输特性
1.0E8
100
C
国际空间站
1.0E9
C，电容（ F）
C
OSS
I
D
，漏电流（V ）
I
DMAX
10
RDS （ ON）
钯最大
1.0E10
C
RSS
050-4940 F版9-2010
1.0E11
0.1
25
50
75
100
1
T
J
=
125°C
T
C
=
75°C
1
10
100 180
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图3 ，电容VS漏 - 源极电压
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图4 ，正向安全工作区
BVDSS线
VRF157FL(MP)
网络连接gure 8 。
30MHz的测试电路
VBIAS
R1
R2
C14
L1
C1
50V
L3
C12
C11
L2
L6
C15
C13
C16
C9
产量
C6
C7
C8
C10
R3
L4
C4
L5
C5
C2
C3
RF
输入
C1，C2， C6，C7的ARCO 465云母微调
C3 1800pF ATC700B陶瓷
C4为680pF金属包覆云母500V
C5 390pF金属包覆云母500V
C8 100pF的ATC 700E陶瓷
C9 120pF ATC 700E陶瓷
C10 - C13 .01uF 100V陶瓷贴片
C14 - C16 .1uF 100V陶瓷贴片
L1 110nH 4吨＃ 22 0.312"d 0.30"升
L2 29nH 2吨＃ 22 0.188"直径0.10"升
L3 0.3uH - 6吨＃ 16 ENAM 。 0.5"直径。
L4 22nH - 1吨＃ 16 ENAM 。 0.375"直径。
L5 117nH - 3吨＃ 16 ENAM 。 0.5"直径。 0.3"升
L6 1吨＃ 16上2倍267300081 0.5"珠
R1-R2 1kW的1 / 4W
R3 10W 1 / 4W
图9. 2-50MHz
1kW的宽带放大器器
D2
R1
C3
R12
C7
R14
L1
C9
T1
L2
R15
R10
D.U.T.
+
C13
50V
-
R14
OUTPU
T
22pF
C10
C14
C11
C12
-
BIAS 36-50V
+
R5
R4
10
12
11
13
D1
C1
7
R3
R8
6
2
3
4
R7
5
R6
D3
R2
C4
R13
R11
C8
T2
D.U.T.
C2
R9
050-4940 F版9-2010
C1 - 1000pF的陶瓷
C2 ， C3 ， C4 -0.1μF瓷片电容器
C5 - 0.01μF的陶瓷贴片电容器
C6 ， C12 - 0.1μF的陶瓷贴片电容
C7 ， C8 - 两个2200 pF的陶瓷贴片电容
并行
C9 - 820pF陶瓷贴片电容器
C10 ， C1 1 - 1000pF的陶瓷贴片电容
C13 - 0.47μF的陶瓷贴片电容和两个较小
并联值
C14 - 未封装的云母， 500V 1000pF的两个单位
在系列，安装在T2
D1 - IN5357A或同等
D2 ， D3 - IN4148或等效
C1 - MC1723 （ 723 ）稳压器
L1, L2 - 15
ηH
将导线与R14和R15 ，
2.5厘米每＃ 20 AWG
L3 - 10μH ， 10回合＃ 12 AWG漆包线上
公平的爱色丽产品公司铁氧体磁环
＃ 5961000401或同等
R1 ， R2 - 1.0K单圈电位器
R3 - 10K单圈可调电位器
R4 - 470欧姆， 2.0瓦
R5 - 10欧姆
R 6 ，R 12 ，R 13 - 2.0K欧姆
R7 - 10K欧姆
R8 - 精确值的热敏电阻R9取决于所用
（通常5.0 - 10K ）
R9 - 热敏电阻，梯形RL1009-5820-97 -D1或
当量
R 10 ，R 11 - 100欧姆， 1.0W碳
R14 ， R15 - EMC技术示范5308或KDI
Pyrofilm PPR 970-150-3电源
电阻器， 25欧姆
T1，T2 - 9:1和1:9阻抗比射频
变形金刚
VRF157FL(MP)
加入MP在P的端/ N特定网络连接的ES匹配的一对，其中V
GS （ TH）
相匹配的两部分之间。 V
TH
值
标记在每下表中的设备。
CODE
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
VTH范围
2.900 - 2.975
2.975 - 3.050
3.050 - 3.125
3.125 - 3.200
3.200 - 3.275
3.275 - 3.350
3.350 - 3.425
3.425 - 3.500
3.500 - 3.575
3.575 - 3.650
代码2
M
N
P
R
S
T
W
X
Y
Z
VTH范围
3.650 - 3.725
3.725 - 3.800
3.800 - 3.875
3.875 - 3.950
3.950 - 4.025
4.025 - 4.100
4.100 - 4.175
4.175 - 4.250
4.250 - 4.325
4.325 - 4.400
V
TH
值基于Microsemi的测量结果在表条件的1.0 ％的准确度。
散热注意事项
安装：
和
包
额定1350W的功耗仅
当封装的安装面是在25℃和
结温度为200℃ 。热敏电阻
路口和案例安装面之间tance
0.13 ° C / W 。安装时，额外的热
0.09 ° C /阻抗W上的包间基地
与安装表面是光滑和
在。热
关节化合物必须用来降低的效果
小的不规则表面。散热器应断路器中
porate铜散热片，以获得最佳效果。
盖子保持所需的压力越来越大，而
允许两个设备的热膨胀和
散热器。四个6-32 （ M3.5 ）螺丝提供
最低125英镑所需的安装力。 T = - 磅4-6 。
请参考应用笔记1802 "Mounting说明
对无凸缘Packages."
.466
.250
D
.150r
.500
G
S
.250
.750
1.000
1
.125d
.500
2
3
1.250
1.500
.300
有害材料警告
该装置的动态之间的陶瓷部
MOUNTING
昂热是氧化铍。氧化铍粉尘
剧毒吸入时。护理过程中必须采取
在处理和安装，以避免损坏该区域。
这些设备必须永远不会被扔掉一般
工业或生活垃圾。
4
.200
.005 .040
050-4940 F版9-2010
引脚1 - 漏极
2脚 - 来源
引脚3 - 来源
PIN 4 - 门
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583
4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743, 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
QQ：2880707522 复制
