VRF152
50V ， 150W ， 175MHz的
射频功率MOSFET垂直
该VRF152为金的金属化硅n沟道RF功率晶体管DE-
签名用于需要高功率的宽带商业和军事应用
并取得不影响可靠性，耐用性，或互调
失真。
M174
特点
提高耐用性V
（ BR ） DSS
= 130V
150W与22分贝典型增益@ 30MHz的， 50V
150W与14分贝典型增益@ 175MHz时， 50V
卓越的稳定性&低IMD
公共源CON组fi guration
30 ： 1 VSWR负载能力，在特定网络编工作条件
氮化物钝化
耐火材料镀金
低导通电阻更换为MRF151 / BLF177 / SD2941
符合RoHS
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
存储温度范围
工作结温
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定编
VRF152
130
20
±40
300
-65到150
200
单位
V
A
V
W
°C
静态电气特性
符号
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
g
fs
V
GS （ TH）
参数
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 50毫安）
漏源导通电阻
1
(V
GS
= 10V ，我
D
= 10A)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 100V, V
GS
= 0V)
门源漏电流（V
DS
= ±20V, V
DS
= 0V)
正向跨导（V
DS
= 10V ，我
D
= 5A)
栅极阈值电压（V
DS
= 10V ，我
D
= 100毫安）
5.0
2.9
6.2
3.6
4.4
民
130
0.13
0.20
50
1.0
典型值
最大
单位
V
欧
μA
μA
姆欧
V
热特性
符号
R
θ
JC
特征
结到外壳热阻
民
典型值
最大
0.60
单位
° C / W
050-4950修订版A 8-2008
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
F = 1MHz的
民
典型值
383
215
20
最大
VRF152
单位
pF
功能特点
符号
G
PS
G
PS
η
D
IMD
(d3)
IMD
(d11)
ψ
参数
f
1
= 30MHz的，女
2
= 30.001MHz ，V
DD
= 50V ，我
DQ
= 250毫安，P
OUT
= 150W
PEP
F = 175MHz时，V
DD
= 50V ，我
DQ
= 250毫安，P
OUT
= 150W
f
1
= 30MHz的，女
2
= 30.001MHz ，V
DD
= 50V ，我
DQ
= 250毫安，P
OUT
= 150W
PEP
f
1
= 30MHz的，女
2
= 30.001MHz ，V
DD
= 50V ，我
DQ
= 250毫安，P
OUT
= 150W
PEP 1
f
1
= 30MHz的，女
2
= 30.001MHz ，V
DD
= 50V ，我
DQ
= 250毫安，P
OUT
= 150W
PEP
f
1
= 30MHz的，女
2
= 30.001MHz ，V
DD
= 50V ，我
DQ
= 250毫安，P
OUT
= 150W
PEP
30 ： 1 VSWR - 所有相位角
民
18
典型值
22
13
50
-30
-60
最大
单位
dB
%
dBc的
在输出功率不降低
1. MIL -STD -1311版本A ，测试方法2204B ，双音，参考每个音
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
典型性能曲线
45
40
35
I
D
,
漏电流（ A）
30
25
20
15
10
5
0
0
V
V
GS
= 5V
7V
15V
40
13V
10V
9V
8V
I
D
，漏电流（ A）
35
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图2 ，传输特性
250μs的脉冲
TEST<0.5 ％占空比
周期
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
6V
4
8
12
16
，漏极至源极电压（ V）
DS （上
)
图1中，输出特性
1000
30
I
20
C
国际空间站
I
D
，漏电流（ A）
10
DMAX
PDMAX
C，电容
C
OSS
100
RDS （ ON）
DC线
050-4950修订版A 8-2008
C
RSS
T
J
=
125°C
T
C
=
75°C
10
0
20
40
60
80
100
120
V
DS
，栅 - 源极电压（ V）
图3 ，电容VS漏 - 源极电压
1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图4 ，正向安全工作区
VRF152
30 MHz的测试电路
175 MHz的测试电路
0.5 “国有企业的封装外形
所有尺寸均为± 0.005
A
U
M
1
暗淡
A
B
英寸
民
0.096
0.465
0.229
0.216
0.084
0.144
0.003
0.435
45 ° NOM
0.115
0.246
0.720
0.130
0.255
0.730
最大
0.990
0.510
0.275
0.235
0.110
0.178
0.007
MILLIMETERS
民
24.39
11.82
5.82
5.49
2.14
3.66
0.08
11.0
45 ° NOM
2.93
6.25
18.29
3.30
6.47
18.54
最大
25.14
12.95
6.98
5.96
2.79
4.52
0.17
Q
M
4
C
D
R
引脚1 - 来源
PIN 2 - GATE
引脚3 - 来源
PIN 4 - 漏极
B
E
H
2
3
D
K
J
J
K
M
Q
050-4950修订版A 8-2009
H
E
C
飞机座位
R
U
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583
4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743, 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
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