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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符V型号页 > 首字符V的型号第169页 > VRF151G
VRF151G
50V ， 300W ， 175MHz的
射频功率MOSFET垂直
该VRF151G是专为宽带商业和军事应用
在频率为175MHz 。的高功率，高增益和宽带perfor-
该器件的曼斯成为可能的固态发射机FM广播
或电视信道的频带。
特点
提高耐用性V
（ BR ） DSS
= 170V
300W与16分贝典型增益@ 175MHz时， 50V
卓越的稳定性&低IMD
公共源CON组fi guration
符合RoHS
5 ： 1 VSWR负载能力，在特定网络编工作条件
氮化物钝化
耐火材料镀金
高压置换MRF151G
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
存储温度范围
工作结温
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定编
VRF151G
170
36
±40
500
-65到150
200
单位
V
A
V
W
°C
静态电气特性
符号
V
（ BR ） DSS
V
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
g
fs
V
GS （ TH）
参数
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 100毫安）
在国家漏极电压（I
D（上）
= 10A ，V
GS
= 10V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 100V, V
GS
= 0V)
门源漏电流（V
DS
= ±20V, V
DS
= 0V)
正向跨导（V
DS
= 10V ，我
D
= 10A)
栅极阈值电压（V
DS
= 10V ，我
D
= 100毫安）
5.0
2.9
3.6
4.4
民
170
典型值
180
2.0
3.0
1.0
1.0
最大
单位
V
mA
μA
姆欧
V
热特性
符号
R
θ
JC
特征
结到外壳热阻
民
典型值
最大
0.35
单位
° C / W
050-4938版本G 11-2009
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
F = 1MHz的
民
典型值
375
200
12
最大
VRF151G
单位
pF
功能特点
符号
G
PS
η
D
ψ
参数
F = 175MHz时， - V
DD
= 50V ，我
DQ
= 500毫安，P
OUT
= 300W
F = 175MHz时，V
DD
= 50V ，我
DQ
= 500毫安，P
OUT
= 300W
F = 175MHz时，V
DD
= 50V ，我
DQ
= 500毫安，P
OUT
= 300W 5 ： 1VSWR - 所有相位角
民
14
50
典型值
16
55
最大
单位
dB
%
在输出功率不降低
1. MIL -STD -1311版本A ，测试方法2204B ，双音，参考每个音
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
典型性能曲线
25
14V
20
I
D
,
漏电流（ A）
10V
9V
8V
7V
I
D
，漏电流（ A）
30
25
T
J
= -55°C
20
T
J
= 25°C
15
T
J
= 125°C
10
5
0
250μs的脉冲
TEST<0.5 ％占空比
周期
15
10
6V
5
5V
V
GS
= 4V
0
0
V
DS （上
)
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
12
，漏极至源极电压（ V）
图1中，输出特性
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图2 ，传输特性
1.0E9
C
国际空间站
C，电容（ F）
C
OSS
I
D
，漏电流（ A）
100
I
DMAX
1.0E10
10
RDS （ ON）
钯最大
C
RSS
1.0E11
050-4938版本G 11-2009
T
J
=
125°C
T
C
=
75°C
0
10
20
30
40
50
60
1
1
10
100
250
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图3 ，电容VS漏 - 源极电压
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图4 ，正向安全工作区
典型性能曲线
0.40
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
10
-5
0.3
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
0.7
D = 0.9
VRF151G
0.5
注意：
PDM
t1
t2
t
1
=脉冲持续时间
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图5.最大有效瞬态热阻抗结到外壳与脉冲持续时间
400
350
输出功率（W
PEP
)
300
250
200
150
100
50
0
0
2
4
6
8
输入功率（瓦特PEP ）
图6. P
OUT
与P
IN
10
VDD = 50V ， IDQ = 250毫安，
Freq=150MHz
1.0
175MHz
150MHz
200MHz
050-4938版本G 11-2009
VRF151G
+
BIAS 0-6 V
–
D.U.T.
T2
L1
产量
C12
R1
C4
C5
C9
C10
L2
C11
+
50 V
–
R2
C1
T1
C6
C2
C3
输入
C7
C8
图7 ， 175 MHz的测试电路
R1 - 100欧姆， 1/2 W
R2 - 1.0千欧， 1 / 2W
C1 - 阿科424
C3，C4， C7 ，C8，C9 - 1000pF的片状
C5, C10 - 0.1
μF
芯片
C11 - 0.47
μF
陶瓷芯片，基美1215或同等学历（ 100V ）
C12 - 阿科422
L1 - 10圈AWG ＃ 18漆包线。关闭伤口， 1/4“内径
2.0 - L2 - 1.5合适的材料铁氧体磁珠
μH
电感
除非另有说明，所有的贴片电容是ATC类型100
或等价物。
T1 - 9 ： 1的RF变压器，可制成15 - 18欧姆
半刚性有限公司 - 斧， 62 - 90密尔外径
T2 - 1 ： 4的RF变压器，可制成16 - 18欧姆半刚性
合作 - 斧， 70 - 90密尔外径
板材料 - 0.062 “玻璃纤维（ G10 ） ， 1盎司铜包钢， 2
两侧，
ε
r
= 5.0
注：对于稳定性，输入变压器T1必须装载
铁氧体磁环或磁珠，以增加共模电感。
对于低于100 MHz的操作。同样是必需的输出
变压器。
1.100
.435
1
0.400
2
0.390
PIN 1.排放
2.漏
3.门
4.门
5.源
5
0.200
危险材料
警告
该装置的陶瓷部
导线和安装之间
法兰是氧化铍。
氧化铍粉尘是非常
吸入有毒时。必须注意
处理过程中应采取与
安装，以避免损坏这
区。这些设备必须永远
被扔掉的一般
工业或生活垃圾。
3
.225
4
0.065弧度2 PL
.107
.860
.005
.060
1.340
.210
封装尺寸（英寸）
所有尺寸均为
±
.005
050-4938版本G 11-2009
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583
4748103 5283202 5231474 5434095 5528058 6939743 7342262 7352045和外国专利。美国和外国专利正在申请中。所有权利
版权所有。
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