【订购数量： EN5542A宽带输出模块（视频包）VP603CRT显示器视频输出放大器：高压，宽带放大】,IC型号VP603,VP603 PDF资料,VP603经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： EN5542A

宽带输出模块（视频包）

VP603

CRT显示器视频输出放大器：

高压，宽带放大

功能

对于CRT显示器三路视频输出电路

最适合于那些需要F显示器

视频

≥

70兆赫， 17英寸F

≥

64千赫

包装尺寸

单位：mm

2117

[VP603]

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在Ta = 25℃

参数

最大电源电压

允许功耗

结温

外壳温度

储存温度

符号

最大

钯最大

TJ最大

TC最大

TSTG

在Tc = 25 ℃，理想的散热片

条件

评级

150

100

-20到+110

单位

°C

工作条件

在Ta = 25℃

参数

推荐电源电压I

符号

条件

评级

单位

推荐电源电压II

三洋电机有限公司。半导体公司经营业务总部

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京，日本110

13097HA （ OT ）第5542-1 / 8

VP603

电气特性

在Ta = 25℃

参数

我的带宽（-3 dB）的

带宽II （ -3分贝）

脉冲响应特性

电压增益

符号

（DC）的

漏电流我

漏电流II

= 70 V, V

= 10 V, V

（ DC ） = 2.3 V ，

F = 10 MHz时钟，C

= 5 pF的，V

OUT

（ π-π ）= 40伏特

= 70 V, V

= 10 V, V

（ DC ） = 2.3 V ，

F = 70 MHz时钟，C

= 5 pF的，V

OUT

（ π-π ）= 40伏特

= 80 V, V

= 10 V, V

（DC） = 2.6伏，

F = 10 MHz时钟，C

= 5 pF的，V

OUT

（ π-π ）= 50伏

= 80 V, V

= 10 V, V

（DC） = 2.6伏，

F = 70 MHz时钟，C

= 5 pF的，V

OUT

（ π-π ）= 50伏

条件

= 70 V, V

= 10 V ，C

= 5 pF的，

（ DC ）= 2.5 V ，V

OUT

（ π-π ）= 40伏特

= 80 V, V

= 10 V ，C

= 5 pF的，

（ DC ）= 2.7 V ，V

OUT

（ π-π ）= 50伏

= 80 V, V

= 10 V ，C

= 5 pF的，

（ DC ）= 2.7 V ，V

OUT

（ π-π ）= 40伏特

评级

民

典型值

5.2

5.0

最大

单位

兆赫

内部等效电路

第5542-2 / 8

VP603

测试电路

第5542-3 / 8

VP603

示例应用电路

1.在CRT颈部安装

注意：

该RC匹配电路被设置以匹配的输出负载阻抗的IC内部的阻抗。当IC被安装在CRT的颈部，

这个电路可以，如果总碳去除

（负载电容）是在10 pF的。

2.电缆传输（独立委员会）

对于C安装位置，G匹配电路

加入RC匹配电路的位置尽可能接近到VP603输出引脚。

为VP603热设计

由于VP603是一个三通道的装置中，我们首先考虑一个单一信道。每个晶体管的芯片温度

实际操作中，使用下面的公式来确定。

TJ = （三） =

θJ -C

（三）

PC（三） +

ΔTC

+钽[° C] ..................... （ 1 ）

θJ -C

（三）个别晶体管的热阻

PC（三）：收藏家的损失为单个晶体管

ΔTC ：

CASE温升

TA ：

环境温度

第5542-4 / 8

VP603

该

θJ -C （三）

对于每个码片是：

θJ -C

（ Tr1的）= 45 ° C / W / θJ -C （ TR2）至（ Tr4的） = 35 ° C / W ........................ ........ （2）

虽然损失用于在视频包的每个晶体管随频率变化而不是均匀的，如果我们假设

最高工作频率f = 70兆赫（时钟），然后用最大损失的芯片将晶体管3和4以及

该损耗将是大约1/4的总loss.Thus从钯一个单信道，我们有：

PC（ Tr3的）F = 70兆赫=钯（ 1路）， F = 70 MHz的

0.25 [W] ..................... (3)

在这里，我们必须选择一个容量散热器

θh

这样，这些晶体管的TJ不超过150℃。方程

（4）在下面给出的关系

θh

和

ΔTC 。

ΔTC

=钯（ TOTAL ）

× θh

........................................................................ (4)

所需

θh

使用该方程与等式（1）来计算。

VP603散热设计实例

条件：使用F

= 70 kHz的班长，女

= 100兆赫（时钟）

= 80 V, V

= 10 V, V

OUT

= 50 VP -P （C

= 10 pF的）

由于该班班长的可以操作多达TA = 60℃ ，在这里我们考虑的情况下，最大时钟

频率为100MHz 。

如先前所提到的，具有最大损失的芯片是晶体管Tr3 / Tr4的。确定值给出：

PC（ Tr3的） = 4.3

0.25 = 1.1 [W] .............................................................. (5)

我们判断

-Tj

代的值

θJ -C

在等式（5）。

-Tj

= 1.1

35 = 38.5 [°C] ...................................................................... (6)

这里，锝（最大）（在封装表面测量）被取为100℃以下。这意味着，就足够了设计

散热器服用锝（最大值） < 100℃为设计目标，以满足以下条件： Tj max的< 150℃ ，此外该

TC （最大值） < 100 ℃;

θh

ΔTC

÷钯（ TOTAL ） = （TC - TA ） ÷ [钯（ 1路）

= 40 ÷ (4.3

3 ）= 3.1 ° C / W

第5542-5 / 8

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