VP2206
P沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
-60V
R
DS （ ON）
（最大）
0.9
I
D（上）
（分钟）
-4A
订单号码/套餐
TO-39
VP2206N2
TO-92
VP2206N3
MIL视觉筛选可用
高可靠性器件
请参阅军用标准流程5-4页和5-5
流动和订购信息。
先进的DMOS技术
这些增强模式（常关）晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征，这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
特点
无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
高输入阻抗和高增益
互补N和P沟道器件
封装选项
应用
电机控制
转换器
放大器器
开关
电源电路
驱动器（继电器，锤子，螺线管，灯，回忆，
显示器，双极型晶体管等）的
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
DGS
SGD
TO-39
案例：排水
TO-92
注：请参阅尺寸封装外形部分。
11/12/01
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任，并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的，由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
1
VP2206
热特性
包
TO-39
TO-92
*
I
D
（连续） *
-0.75A
-0.64A
I
D
（脉冲的）
-8.0A
-4.0A
功耗
@ T
C
= 25
°
C
6.0W
1.0W
θ
jc
°
C / W
20.8
125
θ
ja
°
C / W
125
170
I
DR
*
-0.75A
-0.64A
I
DRM
-8.0A
-4.0A
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
民
-60
-1.0
-4.3
-1
-3.5
-5.5
-100
-50
-10
I
D（上）
通态漏电流
-0.85
-4
R
DS （ ON）
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
0.8
-2
-9
1.3
0.75
0.85
1.4
325
125
30
4
16
16
22
-1.1
500
450
180
40
15
25
50
50
-1.6
V
ns
V
GS
= 0V时，我
SD
= -3.5A
V
GS
= 0V时，我
SD
= -1A
V
DD
= -25V
ns
I
D
= -4A
R
根
= 10
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= -25V
F = 1 MHz的
1.5
0.9
1.2
%/°C
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
A
mA
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -10mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -10mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -10mA
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= -5V, V
DS
= -25V
V
GS
= -10V, V
DS
=- 25V
V
GS
= -5V ，我
D
= -1A
V
GS
= -10V ，我
D
= -3.5A
V
GS
= -10V ，我
D
= -3.5A
V
DS
= -25V ，我
D
= -2A
A
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
注1 ：所有的DC参数100 ％，在25 ° C下测试，除非另有说明。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
注2 ：所有交流电参数样本进行测试。
开关波形和测试电路
0V
10%
输入
-10V
脉冲
发电机
90%
t
（上）
R
根
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
输入
t
D（上）
0V
90%
产量
V
DD
90%
10%
10%
2
D.U.T.
产量
R
L
V
DD
VP2206
典型性能曲线
BV
DSS
随温度的变化
5
1.1
4
导通电阻与漏电流
V
GS
= -5V
BV
DSS
（归一化）
R
DS （ ON）
（欧姆）
3
1.0
2
V
GS
= -10V
1
0.9
0
-50
0
50
100
150
0
-2
-4
-6
-8
-10
T
j
(°C)
传输特性
-10
1.2
I
D
（安培）
V
（ TH ）
和R
DS
随温度的变化
2.0
V
DS
= -25V
-8
R
DS （ ON）
@ -10V ， -3.5A
T
A
= -55
°C
1.1
1.6
-6
25°C
1.0
1.2
-4
125°C
0.9
0.8
V
（ TH ）
@ -1mA
0.8
0.4
-2
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
0.7
-50
0
50
100
150
0
V
GS
（伏）
电容与漏 - 源极电压
400
-10
T
j
(°C)
栅极驱动器的动态特性
F = 1MHz的
C
国际空间站
300
-8
V
DS
= -10V
C（皮法）
V
GS
（伏）
-6
V
DS
=
-40V
725 pF的
200
-4
C
OSS
100
-2
C
RSS
0
0
-10
-20
-30
-40
0
0
310 pF的
2
4
6
8
10
V
DS
（伏）
Q
G
（ nanocoulombs ）
11/12/01
2001 Supertex公司保留所有权利。未经授权擅自使用或复制禁止的。
4
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
R
DS （ ON）
（归一化）
V
GS （ TH）
（归一化）
I
D
（安培）
QQ：2880707522 复制
