VP1506
VP1509
P沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
-60V
-90V
MIL视觉筛选可用。
R
DS （ ON）
（最大）
8.0
8.0
I
D（上）
（分钟）
-0.5A
-0.5A
订单号码/套餐
DIE
VP1506NW
VP1509NW
特点
无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
高输入阻抗和高增益
互补N和P沟道器件
先进的DMOS技术
这些增强模式（常关）晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征，这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
应用
电机控制
转换器
放大器器
开关
电源电路
驱动器（继电器，锤子，螺线管，灯，回忆，
显示器，双极型晶体管等）的
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
07/08/02
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做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
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BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
VP1506/VP1509
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
漏 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
参数
VP1509
VP1506
民
-90
-60
-1.5
5.8
-1.0
-3.5
6.5
-100
-10
-1
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
150
-0.15
-0.50
-0.25
-1.2
11
6.0
0.55
190
45
22
3
4
3
8
4
-1.2
400
60
30
8
6
10
12
10
-2.0
V
ns
ns
V
DD
= -25V
I
D
= -0.5A
R
根
= 25
I
SD
= -1.0A ，V
GS
= 0V
I
SD
= -1.0A ，V
GS
= 0V
pF
15
8.0
1.0
%/°C
m
V
V
毫伏/°C的
nA
A
mA
A
I
D
= -1.0mA ，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
I
D
= -1.0mA ，V
GS
= V
DS
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= -5V, V
DS
= -25V
V
GS
= -10V, V
DS
= -25V
V
GS
= -5V ，我
D
= -0.1A
V
GS
= -10V ，我
D
= -0.5A
V
GS
= -10V ，我
D
= -0.5A
V
DS
= -25V ，我
D
= -0.5A
V
GS
= 0V, V
DS
= -25V
F = 1 MHz的
典型值
最大
单位
条件
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
0V
10%
输入
-10V
脉冲
发电机
90%
t
（上）
R
根
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
输入
t
D（上）
0V
90%
产量
V
DD
90%
10%
10%
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1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
D.U.T.
产量
R
L
V
DD
07/08/02
QQ：2880707522 复制
