VP1304
VP1306
VP1310
P沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
-40V
-60V
-100V
R
DS ( ON)
(最大)
25
25
25
I
D(上)
(分钟)
-0.25A
-0.25A
-0.25A
订单号码/套餐
TO-92
VP1304N3
VP1306N3
VP1310N3
特点
无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
高输入阻抗和高增益
互补N和P沟道器件
先进的DMOS技术
这些增强模式(常关)晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征,这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压,高输入阻抗,低输入电容,并快速
开关速度是期望的。
9
应用
电机控制
转换器
放大器器
开关
电源电路
驱动器(继电器,锤子,螺线管,灯,
存储器,显示器,双极型晶体管等)的
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
* 1.6毫米的情况下10秒的距离。
SGD
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
TO-92
注:请参阅尺寸封装外形部分。
7-251
VP1304/VP1306/VP1310
热特性
包
TO-92
I
D
(连续) *
-0.15A
T
A
= 25°C
I
D
(脉冲的)
-0.65A
功耗
@ T
C
= 25
°
C
1.0W
θ
jc
°
C / W
125
θ
ja
°
C / W
170
I
DR
*
-0.15A
I
DRM
-0.65A
*
I
D
(续)由最大限制额定牛逼
j.
电气特性
( 25°C ,除非另有规定)
符号
BV
DSS
参数
VP1310
漏 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS ( TH)
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
VP1306
VP1304
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
民
-100
-60
-40
-1.5
-3.2
-0.1
-3.5
-3.85
-100
-10
-500
I
D(上)
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
-0.08
-0.25
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS ( ON)
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
75
-0.23
-0.7
32
19
0.8
120
20
12
3
3
3
3
3
-1.2
350
35
15
5
5
5
5
8
-1.7
V
ns
I
SD
= -0.25A ,V
GS
= 0V
I
SD
= -0.25A ,V
GS
= 0V
ns
V
DD
= -25V
I
D
= -250mA
R
根
= 25
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= -25V
F = 1 MHz的
40
25
1.1
%/°C
m
A
A
V
毫伏/°C的
nA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1mA
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= -5V, V
DS
= -25V
V
GS
= -10V, V
DS
= -25V
V
GS
= -5V ,我
D
= -50mA
V
GS
= -10V ,我
D
= -250mA
V
GS
= -10V ,我
D
= -250mA
V
DS
= -25V ,我
D
= -200mA
V
I
D
= -1mA ,V
GS
= 0V
典型值
最大
单位
条件
注意事项:
1.所有的DC参数,除非另有说明, 100%在25℃下进行测试。 (脉冲测试: 300μS脉冲, 2 %的占空比)。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
0V
输入
-10V
t
(上)
t
D(上)
0V
90%
产量
V
DD
10%
10%
V
DD
90%
t
r
90%
t
(关闭)
t
D(关闭)
t
F
输入
R
L
D.U.T.
产量
10%
脉冲
发电机
R
根
7-252