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VP0808B / L / M ， VP1008B / L / M
P沟道增强型MOSFET晶体管
产品概述
产品型号
VP0808B
VP0808L
VP0808M
VP1008B
VP1008L
VP1008M
–100
–80
V
（ BR ） DSS
敏（ V）
r
DS （ ON）
最大值（W）的
5 @ V
GS
= –10 V
5 @ V
GS
= –10 V
5 @ V
GS
= –10 V
5 @ V
GS
= –10 V
5 @ V
GS
= –10 V
5 @ V
GS
= –10 V
V
GS （ TH）
(V)
-2至-4.5
-2至-4.5
-2至-4.5
-2至-4.5
-2至-4.5
-2至-4.5
I
D
(A)
–0.88
–0.28
–0.31
–0.79
–0.28
–0.31
特点
D
D
D
D
D
高侧开关
低导通电阻： 2.5
W
中等阈值： -3.4 V
开关速度快： 40纳秒
低输入电容： 75 pF的
TO- 205AD （TO- 39）的
（案例漏）
S
1
好处
D
D
D
D
D
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速开关
轻松驱动无缓冲器
TO-226AA
(TO-92)
应用
D
司机：继电器，螺线管，照明灯，锤子，
显示器，记忆，晶体管等。
D
电池供电系统
D
电源供应器，转换器电路
D
电机控制
TO-237
（制表漏）
S
1
S
1
G
VP0808B
VP1008B
D
顶视图
2
VP0808L
VP1008L
3
G
2
VP0808M
VP1008M
3
2
G
3
D
D
顶视图
顶视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 150_C)
漏电流脉冲
a
功耗
T
A
=
25_C
T
A
=
100_C
T
A
=
25_C
T
A
=
100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
R
thJC
T
J
, T
英镑
VP0808B
b
–80
"20
–0.88
–0.53
–3
6.25
2.5
20
VP0808L
–80
"30
–0.28
–0.17
–3
0.8
0.32
156
VP0808M
–80
"30
–0.31
–0.20
–3
1
0.4
125
VP1008B
b
–100
"20
–0.79
–0.53
–3
6.25
2.5
20
VP1008L
–100
"30
–0.28
–0.17
–3
0.8
0.32
156
VP1008M
–100
"30
–0.31
–0.20
–3
1
0.4
125
单位
V
A
W
° C / W
_C
最大结点到环境
最大结到外壳
工作结
存储温度范围
-55到150
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。参考案例为所有温度测试。
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70218 。
Siliconix公司
P- 37655 -REV 。 B， 25 -JUL- 94
1
VP0808B / L / M ， VP1008B / L / M
特定网络阳离子
a
范围
VP0808B/L/M
VP1008B/L/M
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体
门体漏
符号
测试条件
典型值
b
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= –10
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -1毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
T
J
= 125_C
V
DS
= –80 V, V
GS
= 0 V
–110
–3.4
–80
–2
–4.5
"100
"500
–10
–500
–100
V
–2
–4.5
"100
"500
nA
零栅极电压漏极电流
I
DSS
T
J
= 125_C
V
DS
= –100 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 125_C
–10
–500
–2
2.5
4.4
325
0.45
200
–1.1
5
8
200
–1.1
5
8
mA
通态漏电流
c
漏源导通电阻
漏源导通电阻
c
正向跨导
c
常见的来源
输出电导
c
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
g
os
V
DS
= –15 V, V
GS
= –10 V
V
GS
= -10 V，I
D
= –1 A
T
J
= 125_C
V
DS
= -10 V，I
D
= –0.5 A
V
DS
= -7.5 V，I
D
= –0.1 A
A
W
mS
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= –25 V, V
GS
= 0 V
25 V
F = 1 MHz的
75
40
18
150
60
25
150
60
25
pF
开关
d
开启
启动时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
笔记
一。牛逼
A
= 25_C除非另有说明。
B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
V
DD
=
–25
V ，R
L
= 47
W
I
D
^
–0 5
A V
根
= -10 V
–0.5
A,
R
G
= 25
W
11
30
20
20
15
40
30
30
15
40
ns
30
30
VPDV10
打开-O FF时间
2
Siliconix公司
P- 37655 -REV 。 B， 25 -JUL- 94
VP0808B / L / M ， VP1008B / L / M
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
欧姆地域特征
–2.0
T
J
= 25_C
–1.6
I
D
- 漏极电流（ A）
V
GS
= –10 V
I
D
- 漏电流（mA ）
–9 V
–8 V
–7 V
–0.8
–6 V
–0.4
–5 V
–4 V
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
–16
–20
T
J
= 25_C
V
GS
= –4.0 V
输出特性为低栅极驱动
–1.2
–12
–3.8 V
–8
–3.6 V
–3.4 V
–3.2 V
–4
–0.5
传输特性
7
T
J
= –55_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
6
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 25_C
–0.4
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
= –10 V
–0.3
125_C
25_C
I
D
= 0.1 A
5
4
3
2
1
0.5 A
1.0 A
–0.2
–0.1
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
10
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
W
)
导通电阻与漏电流
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻
（归一化）
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
归一化的导通电阻
- 结温
V
GS
= –10 V
I
D
= 0.5 A
8
6
4
V
GS
= –10 V
2
0
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
–3.0
I
D
- 漏极电流（ A）
–50
–10
30
70
110
150
T
J
=结温（ ° C）
Siliconix公司
P- 37655 -REV 。 B， 25 -JUL- 94
3
VP0808B / L / M ， VP1008B / L / M
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
–10
V
DS
= –5 V
I
D
- 漏电流（mA ）
160
–1
T
J
= 150_C
25_C
125_C
–0.1
–55_C
- 电容（pF ）
阈值区域
200
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
电容
120
C
国际空间站
C
OSS
40
C
RSS
80
–0.01
–1.0
0
–1.5
–2.0
–2.5
–3.0
–3.5
–4.0
–4.5
0
–10
–20
–30
–40
–50
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
–15.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
–12.5
–10.0
V
DS
= –50 V
–7.5
–5.0
–2.5
0
0
100
200
300
400
500
Q
g
- 总栅极电荷（ PC）
1
10
–80 V
I
D
= –0.5 A
吨 - 开关时间（纳秒）
100
推动性的影响对切换
t
r
t
f
t
D（关闭）
10
t
D（上）
V
DD
= –25 V
R
L
= 50
W
V
GS
= 0至-10 V
I
D
= -500毫安
20
50
R
G
- 栅极电阻（W）的
100
1
标准化的有效瞬态热阻抗，结到环境（ TO- 226AA ）
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
t
1
注意事项：
P
DM
0.01
单脉冲
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 156
_
C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
t
1
t
2
0.01
0.1
1
10
100
1K
10 K
t
1
- 方波脉冲持续时间（秒）
4
Siliconix公司
P- 37655 -REV 。 B， 25 -JUL- 94
VP0808B / L / M ， VP1008B / L / M
P沟道增强型MOSFET晶体管
产品概述
产品型号
VP0808B
VP0808L
VP0808M
VP1008B
VP1008L
VP1008M
–100
–80
V
（ BR ） DSS
敏（ V）
r
DS （ ON）
最大值（W）的
5 @ V
GS
= –10 V
5 @ V
GS
= –10 V
5 @ V
GS
= –10 V
5 @ V
GS
= –10 V
5 @ V
GS
= –10 V
5 @ V
GS
= –10 V
V
GS （ TH）
(V)
-2至-4.5
-2至-4.5
-2至-4.5
-2至-4.5
-2至-4.5
-2至-4.5
I
D
(A)
–0.88
–0.28
–0.31
–0.79
–0.28
–0.31
特点
D
D
D
D
D
高侧开关
低导通电阻： 2.5
W
中等阈值： -3.4 V
开关速度快： 40纳秒
低输入电容： 75 pF的
TO- 205AD （TO- 39）的
（案例漏）
S
1
好处
D
D
D
D
D
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速开关
轻松驱动无缓冲器
TO-226AA
(TO-92)
应用
D
司机：继电器，螺线管，照明灯，锤子，
显示器，记忆，晶体管等。
D
电池供电系统
D
电源供应器，转换器电路
D
电机控制
TO-237
（制表漏）
S
1
S
1
G
VP0808B
VP1008B
D
顶视图
2
VP0808L
VP1008L
3
G
2
VP0808M
VP1008M
3
2
G
3
D
D
顶视图
顶视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 150_C)
漏电流脉冲
a
功耗
T
A
=
25_C
T
A
=
100_C
T
A
=
25_C
T
A
=
100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
R
thJC
T
J
, T
英镑
VP0808B
b
–80
"20
–0.88
–0.53
–3
6.25
2.5
20
VP0808L
–80
"30
–0.28
–0.17
–3
0.8
0.32
156
VP0808M
–80
"30
–0.31
–0.20
–3
1
0.4
125
VP1008B
b
–100
"20
–0.79
–0.53
–3
6.25
2.5
20
VP1008L
–100
"30
–0.28
–0.17
–3
0.8
0.32
156
VP1008M
–100
"30
–0.31
–0.20
–3
1
0.4
125
单位
V
A
W
° C / W
_C
最大结点到环境
最大结到外壳
工作结
存储温度范围
-55到150
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。参考案例为所有温度测试。
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70218 。
Siliconix公司
P- 37655 -REV 。 B， 25 -JUL- 94
1
VP0808B / L / M ， VP1008B / L / M
特定网络阳离子
a
范围
VP0808B/L/M
VP1008B/L/M
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体
门体漏
符号
测试条件
典型值
b
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= –10
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -1毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
T
J
= 125_C
V
DS
= –80 V, V
GS
= 0 V
–110
–3.4
–80
–2
–4.5
"100
"500
–10
–500
–100
V
–2
–4.5
"100
"500
nA
零栅极电压漏极电流
I
DSS
T
J
= 125_C
V
DS
= –100 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 125_C
–10
–500
–2
2.5
4.4
325
0.45
200
–1.1
5
8
200
–1.1
5
8
mA
通态漏电流
c
漏源导通电阻
漏源导通电阻
c
正向跨导
c
常见的来源
输出电导
c
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
g
os
V
DS
= –15 V, V
GS
= –10 V
V
GS
= -10 V，I
D
= –1 A
T
J
= 125_C
V
DS
= -10 V，I
D
= –0.5 A
V
DS
= -7.5 V，I
D
= –0.1 A
A
W
mS
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= –25 V, V
GS
= 0 V
25 V
F = 1 MHz的
75
40
18
150
60
25
150
60
25
pF
开关
d
开启
启动时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
笔记
一。牛逼
A
= 25_C除非另有说明。
B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
V
DD
=
–25
V ，R
L
= 47
W
I
D
^
–0 5
A V
根
= -10 V
–0.5
A,
R
G
= 25
W
11
30
20
20
15
40
30
30
15
40
ns
30
30
VPDV10
打开-O FF时间
2
Siliconix公司
P- 37655 -REV 。 B， 25 -JUL- 94
VP0808B / L / M ， VP1008B / L / M
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
欧姆地域特征
–2.0
T
J
= 25_C
–1.6
I
D
- 漏极电流（ A）
V
GS
= –10 V
I
D
- 漏电流（mA ）
–9 V
–8 V
–7 V
–0.8
–6 V
–0.4
–5 V
–4 V
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
–16
–20
T
J
= 25_C
V
GS
= –4.0 V
输出特性为低栅极驱动
–1.2
–12
–3.8 V
–8
–3.6 V
–3.4 V
–3.2 V
–4
–0.5
传输特性
7
T
J
= –55_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
6
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 25_C
–0.4
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
= –10 V
–0.3
125_C
25_C
I
D
= 0.1 A
5
4
3
2
1
0.5 A
1.0 A
–0.2
–0.1
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
10
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
W
)
导通电阻与漏电流
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻
（归一化）
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
归一化的导通电阻
- 结温
V
GS
= –10 V
I
D
= 0.5 A
8
6
4
V
GS
= –10 V
2
0
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
–3.0
I
D
- 漏极电流（ A）
–50
–10
30
70
110
150
T
J
=结温（ ° C）
Siliconix公司
P- 37655 -REV 。 B， 25 -JUL- 94
3
VP0808B / L / M ， VP1008B / L / M
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
–10
V
DS
= –5 V
I
D
- 漏电流（mA ）
160
–1
T
J
= 150_C
25_C
125_C
–0.1
–55_C
- 电容（pF ）
阈值区域
200
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
电容
120
C
国际空间站
C
OSS
40
C
RSS
80
–0.01
–1.0
0
–1.5
–2.0
–2.5
–3.0
–3.5
–4.0
–4.5
0
–10
–20
–30
–40
–50
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
–15.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
–12.5
–10.0
V
DS
= –50 V
–7.5
–5.0
–2.5
0
0
100
200
300
400
500
Q
g
- 总栅极电荷（ PC）
1
10
–80 V
I
D
= –0.5 A
吨 - 开关时间（纳秒）
100
推动性的影响对切换
t
r
t
f
t
D（关闭）
10
t
D（上）
V
DD
= –25 V
R
L
= 50
W
V
GS
= 0至-10 V
I
D
= -500毫安
20
50
R
G
- 栅极电阻（W）的
100
1
标准化的有效瞬态热阻抗，结到环境（ TO- 226AA ）
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
t
1
注意事项：
P
DM
0.01
单脉冲
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 156
_
C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
t
1
t
2
0.01
0.1
1
10
100
1K
10 K
t
1
- 方波脉冲持续时间（秒）
4
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