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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符V型号页 > 首字符V的型号第72页 > VP0645
ETE -
VP0645
SOL
B
–O
VP0650
P沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
-450V
-500V
R
DS ( ON)
(最大)
30
30
I
D(上)
(分钟)
-0.2A
-0.2A
订单号码/套餐
TO-39
VP0645N2
TO-92
VP0650N3
TO-220
VP0650N5
DIE
VP0645ND
VP0650ND
MIL视觉筛选可用
7
先进的DMOS技术
这些增强模式(常关)晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征,这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压,高输入阻抗,低输入电容,并快速
开关速度是期望的。
高可靠性器件
请参阅军用标准流程5-4页和5-5
流动和订购信息。
特点
无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
高输入阻抗和高增益
互补N和P沟道器件
9
封装选项
应用
电机控制
转换器
放大器器
开关
电源电路
驱动器(继电器,锤子,螺线管,灯,回忆,
显示器,双极型晶体管等)的
S
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
7-245
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
DGS
TO-220
TAB :排水
TO-39
案例:排水
SGD
TO-92
注:请参阅尺寸封装外形部分。
VP0645/VP0650
热特性
TO-92
TO-39
TO-220
I
D
(连续) *
-0.1A
-0.25A
-0.25A
I
D
(脉冲的)
-0.3A
-0.5A
-0.5A
功耗
@ T
C
= 25
°
C
1W
6W
45W
θ
jc
°
C / W
125
21
2.7
θ
ja
°
C / W
170
125
70
I
DR
*
-0.1A
-0.25A
-0.25A
I
DRM
-0.3A
-0.5A
-0.5A
*
I
D
(续)由最大限制额定牛逼
j
.
电气特性
( 25°C ,除非另有规定)
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
参数
漏 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS ( TH)
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
VP0650
VP0645
-500
-450
-2
-4
-4.8
-100
-10
-1
I
D(上)
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
-200
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS ( ON)
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
300
50
125
95
50
10
160
75
20
10
10
20
15
-1.8
V
ns
V
GS
= 0V时,我
SD
= -50mA
V
GS
= 0V时,我
SD
= -50mA
ns
V
DD
= -25V
I
D
= -200mA
R
= 25
pF
V
GS
= 0V, V
DS
=- 25V
F = 1 MHz的
-200
-700
27
22
30
0.75
%/°C
m
V
毫伏/°C的
nA
A
mA
mA
典型值
最大
单位
V
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= -2mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -2mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -2mA
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= -5V, V
DS
= -25V
V
GS
= -10V, V
DS
= -25V
V
GS
= -5V ,我
D
= -100mA
V
GS
= -10V ,我
D
= -100mA
V
GS
= -10V ,我
D
= -100mA
V
DS
= -25V ,我
D
= -100mA
注意事项:
1.所有的DC参数,除非另有说明, 100%在25℃下进行测试。 (脉冲测试: 300μS脉冲, 2 %的占空比)。
2.所有参数交流采样测试。
ETE -
开关波形和测试电路
SOL
- OB
0V
10%
输入
-10V
脉冲
发电机
R
90%
t
(上)
t
(关闭)
t
r
t
D(关闭)
t
F
输入
t
D(上)
0V
90%
产量
V
DD
90%
10%
10%
7-246
D.U.T.
产量
R
L
V
DD
典型性能曲线
输出特性
-1.0
TE -
唯一
- OB
-0.5
-0.4
VP0645/VP0650
饱和特性
-0.8
VGS = -10V
VGS = -10V
I
D
(安培)
I
D
(安培)
-0.6
-8V
-0.4
-6V
-0.2
-4V
0
0
-10
-20
-30
-40
-50
-0.3
-6V
-0.2
-0.1
-4V
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
7
V
DS
(伏)
跨导主场迎战漏电流
0.5
50
TO-220
0.4
V
DS
(伏)
功耗对比外壳温度
V
DS
-25V
V
DS
=
=
-25V
T
A
= -55°C
40
9
G
FS
(西门子)
T
A
= 25°C
0.2
P
D
(瓦特)
0.3
30
T
A
= 125°C
0.1
20
10
TO-39
TO-92
0
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
0
0
25
50
75
100
125
150
I
D
(安培)
最大额定安全工作区
-1.0
TO- 39 (脉冲)
的TO-220 (DC)的
的TO- 39 (DC)的
1.0
T
C
(°C)
热响应特性
TO-220
P
D
= 45W
0.8
热电阻(标准化)
T
C
= 25°C
I
D
(安培)
-0.1
TO-92 (DC)的
0.6
TO-39
P
D
= 6W
T
C
= 25°C
0.4
-0.01
0.2
TO-92
P
D
= 1W
T
C
= 25°C
0.01
0.1
1.0
10
T C = 25°C
-0.001
-1
-10
-100
-1000
0
0.001
V
DS
(伏)
t
p
(秒)
7-247
典型性能曲线
BV
DSS
随温度的变化
1.1
ETE -
SOL
- OB
50
40
VP0645/VP0650
导通电阻与漏电流
V
GS
= -5V
V
GS
= -10V
BV
DSS
(归一化)
R
DS ( ON)
(欧姆)
30
1.0
20
10
0.9
0
-50
0
50
100
150
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
T
j
(°C)
传输特性
-1.0
I
D
(安培)
V
( TH )
和R
DS
随温度的变化
2.0
V
DS
= -25V
-0.8
1.2
R
DS ( ON)
@ -10V , -0.1A
V
GS ( TH)
(归一化)
1.1
-0.6
T
A
= 25
°C
-0.4
1.0
1.0
0.9
-0.2
T
A
= 150
°C
0.8
V
( TH )
@ -2mA
0
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
-50
0
50
100
150
V
GS
(伏)
电容与漏 - 源极电压
200
-10
T
j
(°C)
栅极驱动器的动态特性
F = 1MHz的
-8
150
V
DS
= -10V
V
DS
=
-40V
C(皮法)
V
GS
(伏)
-6
100
C
国际空间站
250 pF的
-4
C
OSS
50
-2
90 pF的
C
RSS
0
0
-10
-20
-30
-40
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
(伏)
Q
G
( nanocoulombs )
7-248
R
DS ( ON)
(归一化)
T
A
= -55
°C
I
D
(安培)
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    VP0645
    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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