VOS628A系列
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威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，AC输入，低输入电流，
SSOP - 4 ，半间距，小型扁平封装
特点
很高的点击率，低输入电流
薄型封装（半间距）
的A / C
1
4
C
高集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
= 80 V
隔离测试电压， 3750 V
RMS
低耦合电容
高共模瞬态抗扰度
符合RoHS指令2002/95 / EC和
按照WEEE指令2002/96 / EC
C / A
2
3
E
16467-4
描述
该VOS628A系列具有砷化镓红外发光二极管
发射器，其被光学耦合到硅平面
光电晶体管检测器，并且在4针并入
50密耳引线间距微型扁平封装。
它具有低输入电流的高电流传输比，
低耦合电容，和高隔离电压。
联接装置被设计用于信号传输
在两个电分离电路。
应用
电信
工业控制
电池供电设备
办公设备
可编程控制器
机构认证
UL1577 ，文件号。 E76222系统代码男，双重保护
（申请中）
cUL认证CSA 22.2公告5A ，双重保护（待定）
DIN EN 60747-5-2 （待定） （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5
可通过选项1
BSI ： EN 60065 ：2002 （待定） ， EN 60950-1：2006 （待定）
FIMKO
订购信息
V
O
S
6
2
8
A
-
#
CTR
箱子
X
0
0
1
T
TAPE
和
REEL
SSOP- ＃
产品型号
封装选项
7 mm
代理认证/ PACKAGE
UL ， CUL， BSI
SSOP - 4 ， 50密耳间距
UL ， CUL， BSI ， VDE
SSOP - 4 ， 50密耳间距
63至125
VOS628A-2T
63至125
-
CTR （ ％ ）
= 1毫安
100至200
VOS628A-3T
100至200
VOS628A-3X001T
160到320
VOS628A-4T
160到320
-
记
其他选项是可能的，请联系销售办事处。
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如有技术问题，请联系：
optocoupleranswers@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
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VOS628A系列
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威世半导体
测试条件
符号
P
DISS
I
F
V
CE
V
EC
I
C
t
p
/T = 0.5, t
p
＆ LT ; 10毫秒
I
C
P
DISS
价值
100
60
80
7
50
100
150
单位
mW
mA
V
V
mA
mA
mW
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
功耗
正向电流
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
功耗
耦合器
绝缘测试电压
发射器和检测器之间
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
(1)
最大。 10秒，浸焊的距离
以飞机座位
≥
1.5 mm
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
ISO
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
3750
≥
10
12
≥
10
11
- 40至+ 125
- 40 + 110
125
260
V
RMS
Ω
Ω
°C
°C
°C
°C
笔记
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对
对于长时间处于最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
(1)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件的焊接条件。
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
正向电压
电容
产量
集电极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极电容
耦合器
集电极发射极饱和
电压
耦合电容
I
C
= 0.32毫安，我
F
= - 1毫安
I
C
= 0.5毫安，我
F
= - 1毫安
I
C
= 0.8毫安，我
F
= - 1毫安
VOS628A-2
VOS628A-3
VOS628A-4
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
C
C
0.25
0.25
0.25
0.25
0.4
0.4
0.4
V
V
V
pF
V
CE
= 10 V
V
CE
= 5 V ， F = 1兆赫
I
首席执行官
C
CE
10
7
200
nA
pF
I
F
= - 5毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
C
O
1.16
25
1.5
V
pF
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
I
C
/I
F
测试条件
I
F
= - 1毫安， V
CE
= 5 V
部分
VOS628A-2
VOS628A-3
VOS628A-4
符号
CTR
CTR
CTR
分钟。
63
100
160
典型值。
马克斯。
125
200
320
单位
%
%
%
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测试条件
V
CC
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω
V
CC
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω
V
CC
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω
V
CC
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
分钟。
典型值。
6
3.5
5.5
5
马克斯。
单位
μs
μs
μs
μs
开关特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
启动时间
上升时间
关闭时间
下降时间
V
CC
= 5 V
± I
F
R
L
V
OUT
10 %
输入脉冲
输出脉冲
90 %
t
r
t
on
isfh618a_12
t
f
t
关闭
图。 1 - 测试电路
图。 2 - 测试电路和波形
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
漏电起痕指数
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
爬电距离
间隙距离
绝缘厚度
加强评级，
符合IEC 60950 2.10.5.1
5
5
0.4
CTI
175
6000
707
265
130
150
测试条件
符号
分钟。
典型值。
40/110/21
399
V
PEAK
V
PEAK
mW
mA
°C
mm
mm
mm
马克斯。
单位
记
按照IEC 60747-5-2 ， §7.4.3.8.1 ，这种光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。符合
安全等级应以保护电路装置来保证。
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典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
威世半导体
1.8
2.0
N
CTR
- 归CTR （SAT）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 40
I
F
= 5毫安
V
F
- 正向电压（ V）
V
CE
= 0.4 V
1.6
T
AMB
= 25 °C
1.4
T
AMB
= - 40 °C
T
AMB
= 0 °C
I
F
= 1毫安
1.2
1.0
0.8
0.6
0.1
T
AMB
= 50 °C
T
AMB
= 75 °C
T
AMB
= 100 °C
T
AMB
= 110 °C
1
10
100
- 15
10
35
60
85
110
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3 - 正向电压与正向电流
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 6 - 归CTR （SAT）与环境温度
10 000
2.5
N
CTR
- 归CTR （ NS ）
I
CE0
- 漏电流（ nA的）
I
F
= 0毫安
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
- 40
V
CE
= 40 V
V
CE
= 24 V
V
CE
= 12 V
2.0
1.5
I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V
I
F
= 1毫安
1.0
0.5
0
- 40
- 15
10
35
60
85
110
- 15
10
35
60
85
110
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 4 - 漏电流与环境温度
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 7 - 归CTR （ NS ）与环境温度
14
100
I
F
= 5毫安
I
C
- 集电极电流（毫安）
V
CC
= 5 V
12
10
8
6
4
2
0
0
0.1
0.2
F
CTR
（千赫）
10
I
F
= 2毫安
I
F
= 1毫安
1
0.3
0.4
0.1
1
10
100
V
CE
- 集电极发射极电压（SAT） （V ）
图。 5 - 集电极电流与集电极发射极电压（SAT）
I
C
（MA ）
图。 8 - F
CTR
与我
C
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0
- 20
- 40
V
CE
= 5 V
相位（度）
- 60
- 80
- 100
- 120
- 140
- 160
1
10
100
1000
F（千赫）
图。 9 - F
CTR
与相角
包装尺寸
以毫米为单位
7
- 0.4
2.8 MAX 。
2.1 MAX 。
2.5
4.4 ± 0.2
0.1 ± 0.1
+ 0.3
1.9
0.45 ± 0.1
1.27 NOM 。
4
3
可能的足迹
1.27
0.9
5
7.6
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
1
2
针没有。 1鉴定
16283
包装标志
（例）
628A-3X1
V YWW M 68
笔记
只有选项1是体现在包装标识，它是由字符“ X1 ”表示。
磁带和卷轴后缀（T ）是不是封装标识的一部分。
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0.15
+ 0.10
- 0.05
+ 0.3
0.7 - 0.4
QQ：2881677436 复制
