VOM618A
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威世半导体
低输入电流，光电晶体管输出， SOP- 4 ，
微型扁平封装
特点
工作温度 - 55 ℃ + 110℃
SOP- 4微型扁平封装
A
C
1
2
4
3
C
E
CTR范围40％到600％ ，余
F
= 1毫安
隔离测试电压， 3750 V
RMS
低饱和电压
快速开关时间
低耦合电容
最终可堆叠， 0.100"器（2.54 mm ）间距
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
i179089
描述
在110℃下的额定VOM618A有一个砷化镓红外发光
二极管发射器，其被光学耦合到硅平面
光电晶体管检测器，并且在一个4针并入
100密耳引线间距miniflat包。它具有很高的电流
具有低输入电流传输比，低耦合
电容和高隔离电压。
这些耦合装置被设计用于信号传输
在两个电分离电路。
应用
PLC的
电信
照明控制系统
太阳能逆变器
交流驱动器
机构认证
（所有部件都在示范基地VOM618A认证）
UL1577 ，文件号。 E52744
cUL认证测试， CSA 22.2 5A公告
DIN EN 60747-5-5 （ VDE 0884-5 ） ，可以使用选项1
FIMKO EN 60065和EN 60950-1
CQC ： GB8898-2011 ， GB4943.1-2011
订购信息
V
O
M
6
1
8
A
-
#
CTR
箱子
X
0
0
1
T
TAPE
和
REEL
SOP-4
产品型号
VDE选项
≥
5
AGENCY
CERTIFIED /
包
UL ， CUL，
FIMKO ，
CQC
SOP-4,
迷你平板
VDE ， UL ，
cUL认证， CQC认证，
FIMKO
SOP-4,
迷你平板
50至600
40至80
63至125
100至200
CTR （ ％ ）
1毫安
160到320
50至100
250至500
80至160
130 260
200至400
VOM618AT VOM618A -1T VOM618A -2T VOM618A -3T VOM618A -4T VOM618A -5T VOM618A - 6T VOM618A - 7T VOM618A -8T VOM618A -9T
50至600
VOM618A-
X001T
40至80
VOM618A-
1X001T
63至125
VOM618A-
2X001T
100至200
VOM618A-
3X001T
160到320
VOM618A-
4X001T
50至100
VOM618A-
5X001T
250至500
VOM618A-
6X001T
80至160
VOM618A-
7X001T
130 260
VOM618A-
8X001T
200至400
VOM618A-
9X001T
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1
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VOM618A
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威世半导体
测试条件
符号
价值
单位
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
直流正向电流
反向电压
功耗
正向电流浪涌
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
功耗
耦合器
发射极之间的绝缘测试电压
和检测器
总功耗
工作温度范围
存储温度范围
结温
焊接温度
(1)
T = 1分
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
j
T
SLD
3750
170
- 55至+ 110
- 55至+ 150
125
260
V
RMS
mW
°C
°C
°C
°C
t
p
≤
1毫秒
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
C
P
DISS
80
7
50
100
150
V
V
mA
mA
mW
t
p
≤
10 μs
I
F
V
R
P
DISS
I
FSM
60
6
70
2.5
mA
V
mW
A
笔记
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对
对于长时间处于最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
(1)
请参阅“组装说明”表面贴装器件（ www.vishay.com/doc?80054 ） 。
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
200
电荷耦合器件
150
100
PHOTOTRANSISTOR
50
红外二极管
0
0
25
50
75
100
125
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 总功率耗散与环境温度
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威世半导体
测试条件
I
F
= 5毫安
V
R
= 6 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
I
R
C
j
分钟。
典型值。
1.1
0.01
9
马克斯。
1.6
10
单位
V
μA
pF
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
正向电压
反向电流
电容
产量
集电极 - 发射极漏
当前
集电极发射极击穿
电压
发射极集电极击穿
电压
集电极 - 发射极电容
耦合器
耦合电容
集电极 - 发射极饱和电压
截止频率
F = 1 MHz的
I
F
= 1毫安，我
C
= 0.25毫安
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 100
Ω
C
C
V
CESAT
f
CTR
0.3
0.12
110
0.4
pF
V
千赫
V
CE
= 20 V
I
C
= 100 μA
I
E
= 10 μA
V
CE
= 5 V ， F = 1兆赫
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
C
CE
80
7
2.8
0.4
100
nA
V
V
pF
记
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
测试条件
部分
VOM618A
VOM618A-1
VOM618A-2
I
C
/I
F
I
F
= 1毫安， V
CE
= 5 V
VOM618A-3
VOM618A-4
VOM618A-5
VOM618A-6
VOM618A-7
VOM618A-8
VOM618A-9
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
50
40
63
100
160
50
250
80
130
200
典型值。
马克斯。
600
80
125
200
320
100
500
160
260
400
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
开关特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
非饱和
上升和下降时间
下降时间
开启时间
打开-O FF时间
饱和的
上升和下降时间
下降时间
开启时间
打开-O FF时间
I
F
= 1.6毫安， V
CC
= 5 V,
R
L
= 4.7 kΩ
t
r
t
f
t
on
t
关闭
6
29
8
35
μs
μs
μs
μs
I
C
= 2毫安， V
CC
= 5 V,
R
L
= 100
Ω
t
r
t
f
t
on
t
关闭
5
4
7
6
μs
μs
μs
μs
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
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威世半导体
输入脉冲
V
CC
= 5 V
输入
R
L
V
OUT
10 %
输出脉冲
90 %
t
r
t
on
t
f
t
关闭
图。 2 - 测试电路
图。 3 - 测试电路和波形
安全性和绝缘等级
参数
最高安全评级
输出功率安全
输入电流安全
安全温度
漏电起痕指数
绝缘额定参数
最大耐压绝缘电压
最大瞬态电压隔离
最大重复峰值电压隔离
绝缘电阻
绝缘电阻
T
AMB
= 25 ° C，V
DC
= 500 V
T
AMB
= 100℃ ，V
DC
= 500 V
V
ISO
V
IOTM
V
IORM
R
IO
R
IO
3750
6000
565
10
12
10
11
55/110/21
2
≥
5
≥
5
≥
5
≥
0.4
mm
mm
mm
mm
V
RMS
V
PEAK
V
PEAK
Ω
Ω
P
SO
I
si
T
S
CTI
300
200
150
175
mW
mW
°C
符号
价值
单位
气候分类（根据IEC 68部分1 ）
环境（按照标准DIN VDE 0109的污染程度）
内部漏电
外部爬电距离
净空
绝缘厚度
记
根据DIN EN 60747-5-5 （ VDE 0884 ） ， § 7.4.3.8.2 ，这是光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。
符合安全等级，由保护电路装置来保证。
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
100
I
F
= 25毫安
I
C
- 集电极电流（毫安）
I
F
- 正向电流（mA ）
10
T
AMB
= 110 °C
T
AMB
= 75 °C
T
AMB
= 25 °C
T
AMB
= 0 °C
T
AMB
= - 55 °C
50
40
30
I
F
= 20毫安
I
F
= 15毫安
I
F
= 10毫安
1
20
10
I
F
= 1毫安
I
F
= 5毫安
0.1
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
F
- 正向电压（ V）
图。 4 - 正向电压与正向电流
V
CE
- 集电极发射极电压（非SAT ） （V ）
图。 5 - 集电极电流与集电极发射极电压
（不饱和）
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1.4
10 000
1000
N
CTR
- 归CTR （SAT）
I
F
= 0毫安
I
CE0
- 漏电流（ nA的）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
标准化为CTR值：
I
F
= 1毫安， V
CE
= 5 V ，T
AMB
= 25 °C
- 60 - 40 - 20 0
20
40
60
80 100 120
V
CE
= 40 V
100
10
1
0.1
V
CE
= 24 V
V
CE
= 12 V
0.01
0.001
- 60 - 40 - 20 0
20
40
60
80 100 120
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 6 - 集电极发射极电流与环境温度
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 9 - 归一化电流传输比主场迎战
环境温度（饱和）
N
CTR
- 归一化的中心（非饱和的）
35
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
标准化为CTR值：
I
F
= 1毫安， V
CE
= 5 V ，T
AMB
= 25 °C
- 60 - 40 - 20 0
20
40
60
80 100 120
I
C
- 集电极电流（毫安）
30
25
20
15
10
5
0
0.0
0.1
I
F
- 0.5毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 25毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 2毫安
0.2
0.3
0.4
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图。 7 - 集电极电流与集电极发射极电压
（饱和）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 10 - 归一化电流传输比主场迎战
环境温度（不饱和）
0.12
2.0
V
CESAT
- 集电极发射极电压（V ）
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
- 60 - 40 - 20 0
20
40
60
80 100 120
N
CTR
- 归CTR （SAT）
I
F
= 1毫安
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
T
AMB
= 0 °C
T
AMB
= - 55 °C
T
AMB
= 25 °C
T
AMB
= 110 °C
1
10
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 8 - 集电极发射极电压与环境温度
（饱和）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 11 - 电流传输比与正向电流（饱和）
归一化至1 mA ，在25 ℃下
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