VOM160
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威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，非过零，
0.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
特点
高静的dV / dt > 0.5千伏/微秒
输入灵敏度我
FT
= 5毫安， 7毫安和10毫安
A
C
1
2
4
3
MT2
MT1
开启状态RMS电流I
T（ RMS ）
= 70毫安
600 V峰值断态电压阻断
隔离测试电压3750 V
RMS
材料分类：
对于合规的定义，请参见
www.vishay.com/doc?99912
i179066
描述
该VOM160系列光敏可控硅由一个铝镓砷红外
发光二极管（ IRED ），其光学耦合到光敏
非过零可控硅封装在一个SOP- 4封装。它
具有5毫安， 7毫安和10mA的IRED的触发电流。
该VOM160系列光敏可控硅隔离低压逻辑
从120 V
AC
, 240 V
AC
，和380伏
AC
线来控制
电阻，电感或电容性负载，包括电动机，
螺线管，高电流晶闸管或双向晶闸管和继电器。
应用
家电产品
三端双向可控硅驱动器
固态继电器
电机控制
办公设备
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744 ，双重保护（待定）
CUL文件没有。 E52744 ，相当于CSA公告5A
（申请中）
VDE 0884-5 ， DIN EN 60747-5-5
CQC （待定）
订购信息
SOP-4
V
O
M
1
6
0
X
T
7.21 mm
产品型号
代理认证/ PACKAGE
UL ， CUL， CQC
SOP-4
VDE ， UL ， CUL， CQC
SOP-4
5毫安
VOM160NT
5毫安
VOM160N-X001T
触发电流I
FT
7毫安
VOM160PT
7毫安
VOM160P-X001T
10毫安
VOM160RT
10毫安
VOM160R-X001T
笔记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
本产品仅适用于磁带和卷轴。
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文档编号： 81349
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如有技术问题，请联系：
optocoupleranswers@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
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威世半导体
测试条件
部分
符号
V
R
I
F
100微秒， 200 PPS
I
FSM
P
DISS
V
DRM
I
T（ RMS ）
PW = 100毫秒， 120 PPS
I
TSM
P
DISS
T = 1分
V
ISO
P
合计
T
英镑
T
AMB
T
SLD
价值
6
60
0.5
100
600
70
1
200
3750
300
- 55至+ 150
- 40至+ 100
260
单位
V
mA
A
mW
V
mA
A
mW
V
RMS
mW
°C
°C
°C
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
反向电压
正向电流
峰值浪涌电流
功耗
产量
峰值断态电压
RMS通态电流
峰值不重复浪涌电流
功耗
耦合器
绝缘测试电压
功耗
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
(1)
笔记
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对
对于长时间处于最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
(1)
波峰焊三个周期是允许的。另请参阅“组装说明”表面贴装器件（ www.vishay.com/doc?80054 ） 。
100
I
L
- 负载电流（毫安）
80
60
40
20
0
- 40 - 20
0
20
40
60
80 100 120
T
AMB
- 温度（℃ ）
图。 1 - 推荐工作条件
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电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
正向电压
反向电流
输入电容
产量
FF-态电流
通态电压
上升断态电压临界速度
上升电压的临界速度
电流换向
耦合器
VOM160N
LED触发电流，
目前需要锁存输出
电容（输入 - 输出）
峰值断态电压
保持电流
V
D
= 3 V
F = 1MHz时， V
IO
= 0 V
I
C
= 100 μA
VOM160P
VOM160R
I
FT
I
FT
I
FT
C
IO
V
DRM
I
HOLD
600
0.3
0.8
5
7
10
mA
mA
mA
pF
V
mA
V
D
= V
DRM
I
T
= 100毫安
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 25 °C
I
DRM
V
TM
dv / dt的
cr
dv / dt的
CRQ
500
0.13
100
2.8
nA
V
V / μs的
V / μs的
I
F
= 10毫安
V
R
= 6 V
V
F
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
I
R
C
I
25
1.2
1.5
10
V
μA
pF
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
最小和最大值进行了测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
安全性和绝缘等级
参数
气候分类（根据IEC 68部分1 ）
污染等级（ DIN VDE 0109 ）
漏电起痕指数
峰值瞬态过电压
峰值绝缘电压
在T绝缘电阻
AMB
= 100℃ ，V
DC
= 500 V
在T绝缘电阻
AMB
= 25 ° C，V
DC
= 500 V
安全等级 - 额定功率
安全评级 - 输入电流
安全评级 - 温度
爬电距离
间隙距离
绝缘厚度
CTI
V
IOTM
V
IORM
R
IO
R
IO
P
SO
I
SI
T
SI
5
5
0.4
10
11
10
12
400
150
165
175
符号
分钟。
典型值。
40/100/21
2
399
6000
707
V
PEAK
V
PEAK
Ω
Ω
mW
mA
°C
mm
mm
mm
马克斯。
单位
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典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
1.6
威世半导体
I
DRM
- 断态泄漏电流（ NA）
100 000
10 000
1000
100
10
1
0.1
- 40 - 20
V
F
- 正向电压（ V）
1.4
100 °C
85 °C
50 °C
1.2
25 °C
1.0
0 °C
- 40 °C
0.8
1
10
100
0
20
40
60
80
100
I
FT
- 正向电流（mA ）
图。 2 - 正向电流与正向电压
21993
T
AMB
- 环境温度
图。 5 - 断态泄漏电流与环境温度
100
I
FT
- 归触发电流（mA ）
1.5
V
D
= 3 V
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
- 40
V
R
- 反向电压（ V）
80
60
40
20
0
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
- 20
0
20
40
60
80
100
21983
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
21985
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 3 - 反向电压与环境温度
图。 6 - 归触发电流与环境温度
100
100
I
TM
- 通态电流（毫安）
75
25
0
- 25
- 50
- 75
- 100
- 2.5 - 2 - 1.5 - 1 - 0.5 0
0.5 1 1.5 2 2.5
开启时间（μs ）
50
10
V
L
= 7 V
1
10
21987
20
30
40
50
21982
V
TM
- 通态电压（V ）
I
FT
- 触发电流（mA ）
图。 4 - 通态电流与通态电压
图。 7 - 触发电流与导通时间
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8
I
H
- 归保持电流（ μA ）
2.5
I
FT
- 触发电流（mA ）
2.0
1.5
1.0
0.5
7
6
5
4
3
0
- 40 - 20
0
20
40
60
80
100
21990
0
100
200
300
400
500
600
21986
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
负载
- 负载电压（ V）
图。 8 - 归一化控股电流与环境温度
图。 11 - 触发电流与负载电压
100
t
GD
- 延迟时间（μs ）
10
1
10
21988
20
30
40
50
I
FT
- 触发电流（mA ）
图。 9 - 触发电流和延迟时间
8
I
FT
- 触发电流（mA ）
V
L
= 7 V
7
6
5
4
3
2
20
40
60
80
100
21989
P
W
- 触发脉冲宽度（微秒）
图。 10 - 触发电流和触发脉冲宽度
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