VOL617A
www.vishay.com
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，低输入电流，
4针LSOP ，爬电距离长的Mini-扁平封装
特点
薄型封装
A
C
1
2
4
3
C
E
高集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
= 80 V
绝缘测试电压， 5000 V
RMS
隔离电压V
IORM
= 1050 V
PEAK
低耦合电容
高共模瞬态抗扰度
材料分类：对于定义
符合请参阅
www.vishay.com/doc?99912
17295-6
描述
该VOL617A有在一个GaAs红外发光二极管发射器，
其被光学耦合到硅平面光电晶体管
检测器，并在4针LSOP宽体结合
封装。
它具有高电流传输比，低耦合
电容和高隔离电压。
联接装置被设计用于信号传输
在两个电分离电路。
应用
电信
工业控制
电池供电设备
办公设备
可编程控制器
机构认证
（所有部件都在示范基地VOL617A认证）
UL1577 ，文件号。 E76222
cUL认证CSA 22.2公告5A ，双重保护
DIN EN 60747-5-5 （ VDE 0884-5 ） ，可以使用选项1
BSI ： EN 60065 ：2002 ， EN 60950-1：2006
FIMKO EN60950-1
CQC ： GB8898-2011 ， GB4943.1-2011
订购信息
V
O
L
6
1
7
A
-
#
CTR
箱子
X
0
0
1
T
TAPE
和
REEL
LSOP-5
产品型号
封装选项
10.2 mm
代理认证/ PACKAGE
UL ， CUL， BSI ， FIMKO ， CQC
4针LSOP ，微型扁平，长爬电距离
UL ， CUL， BSI ， FIMKO ， CQC ， VDE （选项1）
4针LSOP ，微型扁平，长爬电距离
40至80
VOL617A-1T
40至80
VOL617A-1X001T
63至125
VOL617A-2T
63至125
CTR （ ％ ）
5毫安
100至200
VOL617A-3T
100至200
VOL617A-3X001T
160到320
VOL617A-4T
160到320
VOL617A-4X001T
VOL617A-2X001T
修订版1.6 30 -JAN- 13
文档编号： 82424
1
如有技术问题，请联系：
optocoupleranswers@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
VOL617A
www.vishay.com
威世半导体
测试条件
符号
V
R
P
DISS
I
F
T
j
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
C
P
DISS
T
j
V
ISO
P
合计
T
英镑
T
AMB
T
SLD
价值
6
100
60
125
80
7
50
100
150
125
5000
250
- 55至+ 125
- 55至+ 110
260
单位
V
mW
mA
°C
V
V
mA
mA
mW
°C
V
RMS
mW
°C
°C
°C
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
反向电压
功耗
正向电流
结温
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
功耗
结温
耦合器
发射器与检测器之间的隔离测试电压
总功耗
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
(1)
t
p
/T = 0.5, t
p
＆ LT ; 10毫秒
T = 1分
10 s
笔记
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对
对于长时间处于最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
(1)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件的焊接条件。
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
300
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
150
100
红外二极管
50
0
0
20
40
60
80
100
120
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 总功率耗散与环境温度
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
正向电压
电容
反向电流
产量
集电极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极电容
耦合器
集电极发射极饱和
电压
耦合电容
测试条件
I
F
= 5毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
R
= 6 V
V
CE
= 10 V，I
F
= 0 A
V
CE
= 5 V ， F = 1兆赫
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 5毫安
F = 1 MHz的
符号
V
F
C
O
I
R
I
首席执行官
C
CE
V
CESAT
C
C
分钟。
典型值。
1.16
45
马克斯。
1.5
100
10
7
0.25
0.25
200
单位
V
pF
μA
nA
pF
V
pF
0.4
记
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
修订版1.6 30 -JAN- 13
文档编号： 82424
2
如有技术问题，请联系：
optocoupleranswers@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
VOL617A
www.vishay.com
威世半导体
测试条件
部分
VOL617A-1
VOL617A-2
VOL617A-3
VOL617A-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
40
63
100
160
典型值。
马克斯。
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
电流传输比
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
I
C
/I
F
I
F
= 5毫安， V
CE
= 5 V
开关特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
启动时间
上升时间
关闭时间
下降时间
测试条件
V
CC
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
V
CC
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
V
CC
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
V
CC
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
V
CC
= 5 V
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
分钟。
典型值。
6
3.5
5.5
5
马克斯。
单位
μs
μs
μs
μs
输入脉冲
输入
R
L
V
OUT
10 %
输出脉冲
90 %
t
r
t
on
t
f
t
关闭
isfh618a_10
isfh618a_12
图。 2 - 测试电路
图。 3 - 测试电路和波形
安全和绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压-
例行试验
局部放电试验电压-
很多试验（样品测试）
绝缘电压
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
½
150 °C
（仅适用于建筑试验）
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（见图4）
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
V
IORM
R
IO
R
IO
R
IO
I
si
P
SO
V
IOTM
T
si
8
8
0.4
10
12
10
11
10
9
130
265
8
150
分钟。
2
8
1.68
1050
典型值。
马克斯。
单位
kV
kV
kV
V
PEAK
mA
mW
kV
°C
mm
mm
mm
安全等级 - 最大输入电流
安全等级 - 最大功率耗散
额定脉冲电压
安全等级 - 最高环境温度
间隙距离
爬电距离
绝缘距离（内部）
记
根据DIN EN 60747-5-5 （ VDE 0884 ） ， § 7.4.3.8.2 ， （见图4 ） 。这个光电耦合器适用于只在安全的电气隔离
安全评级。遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
修订版1.6 30 -JAN- 13
文档编号： 82424
3
如有技术问题，请联系：
optocoupleranswers@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
VOL617A
www.vishay.com
威世半导体
V
IOTM
t
1
, t
2
t
3
, t
4
t
TEST
t
STRES
V
pd
= 1秒至10秒
=1s
= 10 s
= 12 s
300
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
红外二极管
I
si
（MA ）
PHOTOTRANSISTOR
P
SO
（ mW）的
V
IOWM
V
IORM
0
150
13930
t
3
t
TEST
t
4
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
STRES
t
T
si
- 安全温度（℃ ）
图。 4 - 降额图
图。 5 - 测试脉冲图的样品测试，根据
DIN EN 60747-5-5
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
100
10 000
I
CE0
- 漏电流（ nA的）
I
F
- 正向电流（mA ）
10
T
AMB
= 110 °C
T
AMB
= 75 °C
T
AMB
= 25 °C
T
AMB
= 0 °C
T
AMB
= - 55 °C
I
F
= 0毫安
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 24 V
V
CE
= 40 V
1
V
CE
= 12 V
0.1
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
- 60 - 40 - 20 0
20
40
60
80 100 120
V
F
- 正向电压（ V）
图。 6 - 正向电流与正向电压
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 8 - 集电极发射极电流与环境温度
55
30
I
F
= 35毫安
I
C
- 集电极电流（毫安）
I
C
- 集电极电流（毫安）
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
I
F
= 1毫安
25
20
15
10
I
F
= 1毫安
5
0
I
F
= 25毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 25毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 15毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 2毫安
5
6
7
8
9
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
V
CE
- 集电极发射极电压（非SAT ） （V ）
图。 7 - 集电极电流与集电极发射极电压
（不饱和）
V
CE
- 集电极发射极电压（SAT） （V ）
图。 9 - 集电极电流与集电极发射极电压（饱和）
修订版1.6 30 -JAN- 13
文档编号： 82424
4
如有技术问题，请联系：
optocoupleranswers@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
VOL617A
www.vishay.com
威世半导体
2.0
N
CTR
- 归一化的中心（非饱和的）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 60 - 40 - 20 0
20
40
60
80 100 120
标准化为CTR值：
I
F
= 5毫安， V
CE
= 5 V ，T
AMB
= 25 °C
N
CTR
- 归CTR （SAT）
I
F
= 5毫安
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
T
AMB
= 0 °C
T
AMB
= - 55 °C
T
AMB
= 25 °C
T
AMB
= 110 °C
1
10
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 10 - 归一化电流传输比（非-SAT ）与
环境温度
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 13 - 归一化电流传输比（SAT）主场迎战
正向电流
1.2
0
- 20
V
CE
= 5 V
R
L
= 100
Ω
R
L
= 1000
Ω
N
CTR
- 归CTR （SAT）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 60 - 40 - 20 0
20
40
60
80 100 120
标准化为CTR值：
I
F
= 5毫安， V
CE
= 5 V ，T
AMB
= 25 °C
相位角（度）
- 40
- 60
- 80
- 100
- 120
- 140
- 160
1
10
100
1000
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 11 - 归一化电流传输比（SAT）主场迎战
环境温度
的F - 截止频率（kHz ）
图。 14 - F
CTR
与相角
2.5
1000
T
AMB
= 0 °C
V
CC
= 5 V
T
AMB
= - 55 °C
N
CTR
- 归CTR （ NS ）
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.1
T
AMB
= 25 °C
f
CTR
（千赫）
T
AMB
= 110 °C
100
10
1
1
10
100
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 12 - 归一化电流传输比（非-SAT ）与
正向电流
I
C
（MA ）
图。 15 - F
CTR
与集电极电流
修订版1.6 30 -JAN- 13
文档编号： 82424
5
如有技术问题，请联系：
optocoupleranswers@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
QQ：2881677436 复制
