VOD205T ， VOD206T ， VOD207T ， VOD211T ， VOD213T ，
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威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，双通道，
SOIC -8封装
特点
A1
C2
A3
C4
i179018-1
i179074
8C
7E
6C
5E
V
D E
双通道耦合器
SOIC - 8表面贴装封装
标准铅0.05"间距
仅适用于磁带和卷轴选项
（符合EIA标准481-2 ）
绝缘测试电压， 4000 V
RMS
兼容双波，汽相和红外回流焊
焊接
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
描述
该VOD205T ， VOD206T ， VOD207T ， VOD211T ， VOD213T ，
VOD217T是光耦合对同一个砷化镓
红外LED和硅NPN光电晶体管。信号
信息，其中包括一个DC电平，可以由发送
设备，同时维持电隔离程度高
之间的输入和输出。
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码Y
CUL - 文件编号。 E52744 ，相当于CSA公告5A
DIN EN 60747-5-5批准（ VDE 0884-5 ） ，接触
如果需要该选项的客户服务
订购信息
SIOC-8
V
O
D
2
产品型号
#
#
T
6.1 mm
代理认证/ PACKAGE
UL ， cUL认证
SOIC-8
笔记
(1)
I = 10毫安
F
(2)
我= 1毫安
F
40至80
VOD205T
63至125
VOD206T
CTR （ ％ ）
100至200
VOD207T
＆ GT ; 20
VOD211T
＆ GT ; 100
(1)
VOD213T
＆ GT ; 100
(2)
VOD217T
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
峰值反向电压
峰值脉冲电流
每声道连续正向电流
功耗
从25° C减免线性
产量
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
连续输出电流
每通道功耗
从25° C减免线性
BV
首席执行官
BV
ECO
I
CMAX 。
P
DISS
70
7
50
125
1.67
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
1微秒， 300 PPS
V
R
I
FM
I
F
P
DISS
6
1
30
50
0.66
V
A
mA
mW
毫瓦/°C的
测试条件
符号
价值
单位
修订版1.2 ， 11月23日 - 12
文档编号： 81956
1
如有技术问题，请联系：
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威世半导体
测试条件
t=1s
符号
V
ISO
P
合计
价值
4000
300
4
T
英镑
T
AMB
- 40 + 150
- 40至+ 100
10
单位
V
RMS
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
s
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
耦合器
绝缘测试电压
总包散热环境
（ 2个LED和2个探测器， 2个通道）
从25° C减免线性
储存温度
工作温度
从260℃焊接时间
(1)
T
SLD
笔记
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对
对于长时间处于最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
(1)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件的焊接条件。
200
封装功耗（ MW）
总PKG
150
100
50
每通道
0
25
iild205t_07
50
75
100
125
T
A
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗与环境温度
电气特性的影响
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
正向电压
反向电流
电容
产量
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极电容
集电极 - 发射极饱和电压
耦合器
电容（输入输出）
C
IO
0.5
pF
记
最小和最大值进行了测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
I
C
= 100 μA
I
E
= 100 μA
V
CE
= 10 V，I
F
= 0 A
V
CE
= 0 V
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
V
CESAT
70
7
5
10
0.4
50
V
V
nA
pF
V
I
F
= 10毫安
V
R
= 6 V
V
R
= 0 V
V
F
I
R
C
O
1.2
0.1
25
1.55
100
V
μA
pF
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
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威世半导体
测试条件
部分
VOD205T
VOD206T
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
VOD207T
VOD211T
VOD213T
VOD205T
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
VOD206T
VOD207T
VOD217T
符号
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
分钟。
40
63
100
20
100
13
22
34
100
30
45
70
120
典型值。
马克斯。
80
125
200
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
电流传输比
参数
I
C
/I
F
开关特性
参数
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
测试条件
I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 5 V
I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 5 V
I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 5 V
I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 5 V
符号
t
on
t
关闭
t
r
t
f
分钟。
典型值。
5
4
5
4
马克斯。
单位
μs
μs
μs
μs
输入
V
CC
= 5 V
0
t
on
输入
R
L
V
OUT
t
上升
V
0
10 %
50 %
90 %
t
关闭
t
秋天
产量
10 %
50 %
90 %
iil215at_17
图。 2 - 开关测试电路
共模瞬态抗扰度
参数
共模瞬态抗扰度
在逻辑高
共模瞬态抗扰度
在逻辑低电平
测试条件
V
CM
= 1000 V
P-P
, R
L
= 1 kΩ,
I
F
= 0毫安
V
CM
= 1000 V
P-P
, R
L
= 1 kΩ,
I
F
= 10毫安
符号
|C
MH
|
|C
ML
|
分钟。
典型值。
10 000
10 000
马克斯。
单位
V / μs的
V / μs的
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威世半导体
的dV = V 63 ％
CM
B
R
L
1K
A
R
F
1, 2, 4
V
B
= 4.5 V
2.0 V
2.0 V
5
0.1 F
3
6
V
O
5 V
DC
的dV = V 63 ％
CM
共模
电压V
CM
dt
时间
+
-
V
O
dt
CM
H
21628
V
O
V
CM
投入高压脉冲源
21626
CM
L
0.8 V
0.8 V
图。 3 - 测试电路的共模瞬态抗扰度
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
污染度
漏电起痕指数
峰值瞬态过电压
峰值绝缘电压
电阻（输入到输出）
显然充电方法
表观电荷方法B
安全等级 - 功率输出
安全评级 - 输入电流
安全评级 - 温度
外部爬电距离
内部爬电距离
外部安全距离
绝缘厚度
CTI
V
IOTM
V
IORM
R
IO
q
pd
q
pd
P
SO
I
SI
T
SI
4
4
4
0.2
350
150
165
175
6000
560
100
测试条件
根据IEC 68部分1
符号
分钟。
典型值。
40/100/21
2
399
V
V
GΩ
C
C
mW
mA
°C
mm
mm
mm
mm
马克斯。
单位
记
按照IEC 60747-5-5 ， §7.4.3.8.2 ，这种光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。符合
安全等级应以保护电路装置来保证。
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典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
30
25
I
F
- LED电流（mA ）
20
60 °C
15
10
5
0
0.6
iild205t_01
威世半导体
1.2
85 °C
NCTR
ce
- 归CTR
ce
1.0
0.8
0.6
I
F
= 5毫安
0.4
0.2
I
F
= 1毫安
0.0
20
40
I
F
= 10毫安
CTR nonsat归一
I
F
= 10毫安
V = 10 V
CE
25 °C
0.8
1.0
1.2
1.4
60
80
100
V
F
- LED的正向电压（ V）
iild205t_04
T
A
- 温度（℃ ）
图。 4 - 正向电流与正向电压
图。 7 - 电流传输比（归一化）与
环境温度
1.2
NIC归集电极电流
10
3
科尔目前的归一化在我
F
= 10毫安
V
CE
= 10 V
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
脉冲宽度= 100毫秒
占空比= 50 ％
10
2
1.0
0.8
0.6
开关速度（微秒）
t
关闭
I
F
= 5毫安
0.4
0.2
I
F
= 1毫安
0.0
0
iild205t_02
t
on
10
1
2
4
6
8
10
12
10
0
0.1
iild205t_05
1
10
100
V
CE
- 集电极到发射极电压（ V）
R
L
- 负载电阻值（kΩ ）
图。 5 - 集电极发射极电流与V
CE
图。 8 - 开关速度与负载电阻
1.2
NCTR
CE
- 归CTR
CE
1.0
0.8
0.6
0.4
V
CE
= 0.4 V
0.2
0.0
0.01
iild205t_03
1
CTR归一
I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V
I
首席执行官
- 漏电流（ μA ）
V
CE
= 50 V
0.1
0.01
V
CE
= 10 V
0.001
0.1
1
10
100
20
iild205t_06
40
60
80
100
I
F
- LED电流（mA ）
T
A
- 温度（℃ ）
图。 6 - 归CTR
CE
与正向电流
图。 9 - 集电极电流与环境温度
修订版1.2 ， 11月23日 - 12
文档编号： 81956
5
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