VO617A
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威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，高可靠性， 5300 V
RMS
特点
55 ° C至+ 110 °C - 从工作温度
良好的CTR线性度取决于正向电流
绝缘测试电压， 5300 V
RMS
高集电极发射极电压，V
首席执行官
= 80 V
低饱和电压
快速开关时间
低CTR退化
温度稳定
低耦合电容
最终可堆叠， 0.100"器（2.54 mm ）的间距
高共模干扰的抗扰度
材质分类：对于合规的定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
A
C
1
2
4
3
C
E
应用
描述
在110℃下的额定VO617A配备了高电流传输
比，低耦合电容和高隔离电压。
这些成色剂有在一个GaAs红外二极管发射器，这是
光学耦合到硅平面光电晶体管
检测器，并且在一个塑料DIP -4封装并入。
联接装置被设计用于信号传输
在两个电分离电路。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米间距。
的> 8.0毫米间隙和爬电距离
实现了与选项6.这个版本符合
IEC 60950 （ DIN VDE 0805 ）对加强绝缘长达一个
400 V的工作电压
RMS
或DC 。规格如有
发生变化。
AC适配器
SMPS
PLC
工厂自动化
游戏机
机构认证
涵盖所有的产品在安全应用型号
本数据表是VO617A 。这个型号应该是
安全咨询机构的文件时使用。
UL1577 ，文件号。 E52744
cUL认证测试， CSA 22.2 5A公告
DIN EN 60747-5-5 （ VDE 0884-5 ） ，可以使用选项1
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
FIMKO EN 60065 ， EN 60950-1
CQC GB8898-2001
订购信息
DIP-4
选6
V
O
6
1
7
A
-
#
CTR
箱子
X
0
#
#
T
TAPE
和
REEL
7.62 mm
选7
产品型号
封装选项
10.16 mm
> 8毫米
AGENCY
认证/ PACKAGE
UL ， CUL， BSI ， FIMKO
DIP-4
DIP - 4 ， 400万，选择6
SMD - 4 ，选7
DIP - 4 ， 400万，选择6
SMD - 4 ，选7
50至600
VO617A
-
-
-
-
40至80
VO617A-1
-
-
40至80
-
63至125
VO617A-2
-
63至125
-
CTR （ ％ ）
5毫安
100至200
VO617A-3
VO617A-3X006
100至200
VO617A-3X016
160到320
VO617A-4
VO617A-4X006
160到320
VO617A-4X016
80至160
-
-
-
80至160
-
130 260
-
-
-
130 260
-
VO617A - 2X007T VO617A - 3X007T VO617A - 4X007T
VDE ， UL ， CUL， BSI ， FIMKO 50至600
VO617A - 1X017T VO617A - 2X017T VO617A - 3X017T VO617A - 4X017T VO617A - 7X017T VO617A - 8X017T
记
其他选项是可能的，请联系销售办事处。
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VO617A
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威世半导体
测试条件
符号
V
R
I
F
t
p
10 μs
在25℃下
I
FSM
P
DISS
V
首席执行官
V
ECO
I
C
t
p
/T = 0.5, t
p
10毫秒
在25℃下
T = 1分
I
CM
P
DISS
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
2毫米的情况下，
10 s
T
SLD
价值
6
60
2.5
70
80
7
50
100
150
5300
200
- 55至+ 110
- 55至+ 150
260
单位
V
mA
A
mW
V
V
mA
mA
mW
V
RMS
mW
°C
°C
°C
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
LED功耗
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
输出继电器的功耗
耦合器
隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作温度
存储温度范围
焊接温度
(1)
笔记
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对
对于长时间处于最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
(1)
请参阅回流焊温度曲线表面贴装器件的焊接条件（ SMD ）和波曲线为通孔焊接条件
设备（ DIP ） ，请到“集结号指令” （ www.vishay.com/doc?80054 ） 。
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
250
200
150
探测器
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
电荷耦合器件
LED
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 总功率耗散与环境温度
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测试条件
I
F
= 60毫安
V
R
= 6 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
VO617A-1
VO617A-2
VO617A-3
VO617A-4
VO617A-7
VO617A-8
部分
符号
V
F
I
R
C
j
分钟。
1
典型值。
1.35
0.01
13
2
2
5
5
5
5
5.2
80
7
0.25
0.4
0.4
马克斯。
1.65
10
单位
V
μA
pF
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
正向电压
反向电流
结电容
产量
集电极 - 发射极漏电流
V
CE
= 10 V
I
首席执行官
50
50
100
100
100
100
nA
集电极 - 发射极电容
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
耦合电容
V
CE
= 5 V ， F = 1兆赫
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 μA
I
F
= 5毫安，我
C
= 1.0毫安
F = 1 MHz的
C
CE
BV
首席执行官
BV
ECO
V
CESAT
C
C
pF
V
V
V
pF
记
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
测试条件
部分
VO617A
VO617A-1
VO617A-2
I
C
/I
F
I
F
= 5毫安， V
CE
= 5 V
VO617A-3
VO617A-4
VO617A-7
VO617A-8
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
50
40
63
100
160
80
130
典型值。
马克斯。
600
80
125
200
320
160
260
单位
%
%
%
%
%
%
%
开关特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
非饱和
上升和下降时间
开启时间
打开-O FF时间
截止频率
饱和的
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
I
F
= 5毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 5毫安
t
on
t
关闭
t
r
t
f
6
25
4.6
15
μs
μs
μs
μs
I
F
= 5毫安， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
I
F
= 5毫安， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
I
F
= 5毫安， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
t
r
, t
f
t
on
t
关闭
f
CTR
2
3
2.3
100
μs
μs
μs
千赫
测试条件
CTR BIN
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
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VO617A
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I
F
0
I
F
+5V
威世半导体
I
F
0
I
C
t
p
t
R
G
= 50
Ω
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
通道I
道II
50
Ω
95 10804-3
100 %
90 %
示波器
R
L
= 1 MΩ
C
L
= 20 pF的
10 %
0
t
r
t
d
t
on
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
96 11698
R
L
t
图。 2 - 测试电路，非饱和运算
+5V
I
F
0
I
F
= 10毫安
图。 4 - 开关时间
I
C
R
G
= 50
Ω
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
通道I
道II
50
Ω
95 10843
示波器
R
L
≥
1 MΩ
C
L
≤
20 pF的
1 kΩ
图。 3 - 测试电路，饱和运算
安全性和绝缘等级
参数
最高安全评级
输出功率安全
输入电流安全
安全温度
漏电起痕指数
绝缘额定参数
最大耐压绝缘电压
最大瞬态电压隔离
最大重复峰值电压隔离
绝缘电阻
绝缘电阻
T
AMB
= 25 ° C，V
DC
= 500 V
T
AMB
= 100℃ ，V
DC
= 500 V
V
ISO
V
IOTM
V
IORM
R
IO
R
IO
5300
8000
890
10
12
10
11
55/110/21
2
7
8
7
8
0.4
mm
mm
mm
mm
mm
V
RMS
V
PEAK
V
PEAK
P
SO
I
si
T
S
CTI
265
130
150
175
mW
mA
°C
符号
价值
单位
气候分类（根据IEC 68部分1 ）
环境（按照标准DIN VDE 0109的污染程度）
内部和外部爬电距离
净空
绝缘厚度
标准DIP - 4
400万DIP- 4
标准DIP - 4
400万DIP- 4
记
根据DIN EN 60747-5-5 ， § 7.4.3.8.2 ，这是光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。合规
与安全评级，由保护电路装置来保证。
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典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
100
14
威世半导体
I
C
- 集电极电流（毫安）
I
F
- 正向电流（mA ）
10
T
AMB
= 110 °C
T
AMB
= 75 °C
T
AMB
= 25 °C
T
AMB
= 0 °C
T
AMB
= - 55 °C
I
F
= 10毫安
12
10
8
6
4
2
0
I
F
= 1毫安
I
F
= 5毫安
1
I
F
= 2毫安
0.1
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
0.1
0.2
0.3
0.4
V
F
- 正向电压（ V）
图。 5 - 正向电压与正向电流
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图。 8 - 集电极电流与集电极发射极电压
55
N
CTR
- 归一化的中心（非饱和的）
I
C
- 集电极电流（毫安）
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
I
F
= 1毫安
I
F
= 35毫安
1.2
I
F
= 5毫安
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
F
= 30毫安
I
F
= 25毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 15毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
标准化为CTR值：
I
F
= 5毫安， V
CE
= 5 V ，T
AMB
= 25 °C
- 60 - 40 - 20 0
20
40
60
80 100 120
5
6
7
8
9
10
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图。 6 - 集电极电流与集电极发射极电压
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 9 - 归一化电流传输比（不饱和）与
环境温度
10 000
1000
1.2
N
CTR
- 归CTR （SAT）
I
F
= 0毫安
I
F
= 5毫安
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
CE0
- 漏电流（ nA的）
V
CE
= 40 V
100
10
1
0.1
V
CE
= 24 V
V
CE
= 12 V
0.01
0.001
- 60 - 40 - 20 0
20
40
60
80 100 120
标准化为CTR值：
I
F
= 5毫安， V
CE
= 5 V ，T
AMB
= 25 °C
- 60 - 40 - 20 0
20
40
60
80 100 120
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 7 - 漏电流与环境温度
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 10 - 归一化电流传输比（饱和）与
环境温度
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