6N137 / VO2601 / 11 / VO2630 / 31 / VO4661
威世半导体
高速光耦， 10万桶
特点
10 KV / μs的CMR的性能选择，
5千伏/微秒和100
V / μs的
高速10MBd的典型
e3
+ 5
V
CMOS兼容
保证AC和DC性能比温
perature ： - 40 + 100 ℃的温度。范围
纯锡引线
符合IEC60068-2-42 （ SO
2
）和
IEC60068-2-43 （H
2
S）的要求
低输入电流能力： 5毫安
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
单通道
双通道
NC
A
C
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
VE
VO
GND
18921_5
A1
1
C1
C2
A2
2
3
4
8
7
6
5
VCC
VO1
VO2
GND
6N137 ， VO2601 ， VO2611
VO2630 ， VO2631 ， VO4661
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
CUL - 文件号E52744 ，相当于CSA公告
5A
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
每个IEC60950强化绝缘等级
2.10.5.1
VDE
可通过选项1
开路集电极肖特基钳位晶体管输出。
该
VO2630 ， VO2631
和
VO4661
是双通道
10MBd光耦合器。对于单信道类型，一
引脚7启动功能可以让探测器是
选通。内部屏蔽提供了保证
5 kV共模瞬态抗扰度/ μs的时间
VO2601
和
VO2631
10 KV / μs的时间
VO2611
和
VO4661.
使用0.1 μF旁路电容
连接销5和8之间，推荐。
订购信息
部分
6N137
6N137-X006
备注
100
V / μs的，
单路， DIP- 8
100
V / μs的，
单路， DIP - 8 400万
100
V / μs的，
单通道， SMD- 8
5千伏/微秒，单声道， DIP- 8
5千伏/微秒，单声道， DIP - 8 400万
5千伏/微秒，单声道， SMD- 8
10 KV / μs的，单通道， DIP- 8
10 KV / μs的，单通道， DIP - 8 400万
10 KV / μs的，单通道， SMD- 8
100
V / μs的，
双通道， DIP- 8
100
V / μs的，
双通道， DIP - 8 400万
100
V / μs的，
双通道， SMD- 8
5千伏/微秒，双通道， DIP- 8
5千伏/微秒，双通道， DIP - 8 400万
5千伏/微秒，双通道， SMD- 8
10 KV / μs的，双通道， DIP- 8
10 KV / μs的，双通道， DIP - 8 400万
10 KV / μs的，双通道， SMD- 8
应用
微处理器系统接口
PLC ， ATE输入/输出隔离
电脑外设接口
数字现场总线隔离： CC -Link的， DeviceNet的，
PROFIBUS， SDS
高速A / D和D / A转换
AC等离子显示面板电平转换
多道数据传送
数字控制电源
消除接地环路
6N137-X007
VO2601
VO2601-X006
VO2601-X007
VO2611
VO2611-X006
VO2611-X007
VO2630
VO2630-X006
VO2630-X007
VO2631
VO2631-X006
描述
该6N137 ，
VO2601
和
VO2611
是单声道
利用高效输入10万桶光电耦合器
LED加上集成光学光电二极管集成电路
探测器。检测器有一个开漏NMOS-转录
体管的输出，从而提供较少的泄漏相比，一个
文档编号84732
1.0版， 07军， 05
VO2631-X007
VO4661
VO4661-X006
VO4661-X007
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1
6N137 / VO2601 / 11 / VO2630 / 31 / VO4661
威世半导体
真值表（正逻辑）
LED
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
启用
H
H
L
L
NC
NC
产量
L
H
H
H
L
H
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
平均正向电流
1)
平均正向电流
2)
反向输入电压
使能输入电压
1)
使能输入电流
1)
浪涌电流
1)
2)
测试条件
符号
I
F
I
F
V
R
V
E
I
E
价值
20
15
5
V
CC
+ 0.5
V
5
200
单位
mA
mA
V
V
mA
mA
t = 100
s
I
FSM
包装：单DIP - 8
包装：双DIP - 8
产量
参数
电源电压
输出电流
输出电压
输出功率耗散
1)
输出功率耗散
2)
1)
2)
测试条件
最长1分钟。
符号
V
CC
I
O
V
O
P
O
P
O
价值
7
50
7
85
60
单位
V
mA
V
mW
mW
包装：单DIP - 8
包装：双DIP - 8
耦合器
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
1)
焊锡溢流温度
2)
绝缘测试电压
1)
2)
测试条件
符号
T
英镑
T
AMB
价值
- 55至+ 150
- 40至+ 100
260
260
单位
°C
°C
°C
°C
V
RMS
持续10秒。
1分钟
T = 1.0秒。
V
ISO
5300
封装形式：DIP - 8通孔
封装形式：DIP - 8 SMD
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2
文档编号84732
1.0版， 07军， 05
6N137 / VO2601 / 11 / VO2630 / 31 / VO4661
威世半导体
推荐工作条件
参数
工作温度
电源电压
输入电流低的水平
输入电流的高级别
逻辑高电平使能电压
逻辑低电压启动
输出上拉电阻
扇出
R
L
= 1 k
测试条件
符号
T
AMB
V
CC
I
FL
I
FH
V
EH
V
EL
R
L
N
民
- 40
4.5
0
5
2.0
0.0
330
典型值。
最大
100
5.5
250
15
V
CC
0.8
4K
5
单位
°C
V
A
mA
V
V
-
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
输入正向电压
反向电流
输入电容
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 5.0
V
F = 1MHz时，
V
F
= 0
V
符号
V
F
I
R
C
I
民
1.1
典型值。
1.4
0.01
55
最大
1.7
10
单位
V
A
pF
产量
参数
高水平的供应
电流（单
频道）
高水平的供应
电流（双
频道）
低电平电源
电流（单
频道）
低电平电源
电流（双
频道）
高电平输出
当前
低电平输出
电压
输入treshold
当前
高级别启用
当前
低电平使能
当前
高级别启用
电压
低电平使能
电压
文档编号84732
1.0版， 07军， 05
测试条件
V
E
= 0.5
V,
I
F
= 0毫安
符号
I
CCH
民
典型值。
4.1
最大
7.0
单位
mA
V
E
=
V
CC
, I
F
= 0毫安
I
F
= 0毫安
I
CCH
I
CCH
3.3
6.9
6.0
12.0
mA
mA
V
E
= 0.5
V,
I
F
= 10毫安，
I
CCL
4.0
7.0
mA
V
E
=
V
CC
, I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
CCL
I
CCL
3.3
6.5
6.0
12.0
mA
mA
V
E
= 2.0
V, V
O
= 5.5
V,
I
F
= 250
A
V
E
= 2.0
V,
I
F
= 5毫安，
I
OL
（沉没）= 13毫安
V
E
= 2.0
V, V
O
= 5.5
V,
I
OL
（沉没）= 13毫安
V
E
= 2.0
V
V
E
= 0.5
V
I
OH
V
OL
I
TH
I
EH
I
EL
V
EH
V
EL
2.0
0.002
0.2
2.4
- 0.6
- 0.8
1
0.6
5.0
- 1.6
- 1.6
A
V
mA
mA
mA
V
0.8
V
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3
6N137 / VO2601 / 11 / VO2630 / 31 / VO4661
威世半导体
开关特性
在推荐的温度（T
a
= - 40 + 100 ℃） ，
V
CC
= 5
V,
I
F
=除非另有规定编7.5毫安。
所有的标准结构在T
a
= 25 °C,
V
CC
= 5
V.
参数
传播延迟时间的高
输出电平
传播延迟时间的低
输出电平
脉冲宽度失真
传播延迟偏斜
输出上升时间（10 - 90％）
输出下降时间（ 90 - 10 ％ ）
传播延迟时间
从启用
V
EH
to
V
EL
传播延迟时间
从启用
V
EL
to
V
EH
*
测试条件
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
符号
t
PLH
t
PLH
民
20
典型值。
48
最大
75
*
100
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
t
PHL
t
PHL
25
50
75
*
100
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的，
V
EL
= 0
V, V
EH
= 3
V
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的，
V
EL
= 0
V, V
EH
= 3
V
| t
PHL
- t
PLH
|
t
PSK
t
r
t
f
t
ELH
t
EHL
2.9
8
23
7
12
11
35
40
75纳秒仅适用于6N137 ，一个JEDEC规范注册
VCC
单通道
PULSE GEN 。
ZO = 50
五六= T R = 5纳秒
输入IF
监测
节点
R
M
1
IF
2
3
4
VCC
8
VE
7
VOUT
6
GND
5
RL
0.1
F
绕行
输入IF
输出端VO
监测
节点
C
L
= 15 pF的
的TPH1
IF
= 7.5毫安
IF
= 3.75毫安
0毫安
VOH
1.5 V
VOL
TPL
输出端VO
探头和夹具电容包括C语言
L
18964-2
图1.单通道测试电路吨
PLH
, t
PHL
, t
r
和T
f
PULSE GEN 。
ZO = 50
五六= T R = 5纳秒
IF
1
输入
监测
节点
RM
2
3
4
18963-2
VCC
双通道
VCC
8
7
6
GND
5
0.1
F
绕行
RL
输出电压V
O
监测
节点
CL = 15 pF的
图2.双通道测试电路吨
PLH
, t
PHL
, t
r
和T
f
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4
文档编号84732
1.0版， 07军， 05
6N137 / VO2601 / 11 / VO2630 / 31 / VO4661
威世半导体
PULSE GEN 。
ZO = 50
五六= T R = 5纳秒
1
7.5毫安
IF
2
3
4
输入VE
监测
节点
单通道
VCC
8
VE
7
VOUT
6
GND
5
VCC
RL
0.1
F
绕行
输出端VO
监测
节点
C
L
= 15 pF的
输入VE
tEHL
tELH
输出端VO
3V
1.5 V
1.5 V
探头和夹具电容包括C语言
L
18975-2
图3.单通道测试电路吨
EHL
和T
ELH
共模瞬态抗扰度
参数
共模
瞬态抗扰度
（高）
测试条件
|V
CM
| = 10
V, V
CC
= 5
V,
I
F
= 0 mA时，
V
O（分钟）
= 2
V,
R
L
= 350
,
T
AMB
= 25 °C
|V
CM
| = 50
V, V
CC
= 5
V,
I
F
= 0 mA时，
V
O（分钟）
= 2
V,
R
L
= 350
,
T
AMB
= 25 °C
|V
CM
| = 1千伏，
V
CC
= 5
V,
I
F
= 0 mA时，
V
O（分钟）
= 2
V,
R
L
= 350
,
T
AMB
= 25 °C
3)
|V
CM
| = 10
V, V
CC
= 5
V,
I
F
= 7.5毫安，
V
O（最大值）
= 0.8
V,
R
L
= 350
,
T
AMB
= 25 °C
|V
CM
| = 50
V, V
CC
= 5
V,
I
F
= 7.5毫安，
V
O（最大值）
= 0.8
V,
R
L
= 350
,
T
AMB
= 25 °C
2)
|V
CM
| = 1千伏，
V
CC
= 5
V,
I
F
= 7.5毫安，
V
O（最大值）
= 0.8
V,
R
L
= 350
,
T
AMB
= 25 °C
3)
1)
2)
3)
1)
2)
1)
符号
|厘米
H
|
民
100
典型值。
最大
单位
V / μs的
|厘米
H
|
|厘米
H
|
|厘米
L
|
|厘米
L
|
|厘米
L
|
5000
10000
100
5000
10000
10000
15000
V / μs的
V / μs的
V / μs的
10000
15000
V / μs的
V / μs的
为6N137和
VO2630
为
VO2601
和
VO2631
为
VO2611
和
VO4661
VCC
IF
1
B
A
V
FF
2
3
4
单通道
VCC
8
VE
7
VOUT
6
GND
5
VO 0.5 V
RL
0.1
F
绕行
输出端VO
监测
节点
V
CM 0 V
VO 5 V
V（ PEAK ）
CM
交换机AT A ： IF = 0毫安
VO （分钟）
开关AT A ： IF = 7.5毫安
VO （最大）
CMH
CML
V
CM
+
-
脉冲发生器
ZO = 50
图4.单通道测试电路的共模瞬态抗扰度
18976-2
文档编号84732
1.0版， 07军， 05
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5
6N137 / VO2601 / 11 / VO2630 / 31 / VO4661
威世半导体
高速光耦， 10万桶
特点
10 KV / μs的CMR的性能选择，
5千伏/微秒和100
V / μs的
高速10MBd的典型
e3
+ 5
V
CMOS兼容
保证AC和DC性能比温
perature ： - 40 + 100 ℃的温度。范围
纯锡引线
符合IEC60068-2-42 （ SO
2
）和
IEC60068-2-43 （H
2
S）的要求
低输入电流能力： 5毫安
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
单通道
双通道
NC
A
C
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
VE
VO
GND
18921_5
A1
1
C1
C2
A2
2
3
4
8
7
6
5
VCC
VO1
VO2
GND
6N137 ， VO2601 ， VO2611
VO2630 ， VO2631 ， VO4661
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
CUL - 文件号E52744 ，相当于CSA公告
5A
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
每个IEC60950强化绝缘等级
2.10.5.1
VDE
可通过选项1
开路集电极肖特基钳位晶体管输出。
该
VO2630 ， VO2631
和
VO4661
是双通道
10MBd光耦合器。对于单信道类型，一
引脚7启动功能可以让探测器是
选通。内部屏蔽提供了保证
5 kV共模瞬态抗扰度/ μs的时间
VO2601
和
VO2631
10 KV / μs的时间
VO2611
和
VO4661.
使用0.1 μF旁路电容
连接销5和8之间，推荐。
订购信息
部分
6N137
6N137-X006
备注
100
V / μs的，
单路， DIP- 8
100
V / μs的，
单路， DIP - 8 400万
100
V / μs的，
单通道， SMD- 8
5千伏/微秒，单声道， DIP- 8
5千伏/微秒，单声道， DIP - 8 400万
5千伏/微秒，单声道， SMD- 8
10 KV / μs的，单通道， DIP- 8
10 KV / μs的，单通道， DIP - 8 400万
10 KV / μs的，单通道， SMD- 8
100
V / μs的，
双通道， DIP- 8
100
V / μs的，
双通道， DIP - 8 400万
100
V / μs的，
双通道， SMD- 8
5千伏/微秒，双通道， DIP- 8
5千伏/微秒，双通道， DIP - 8 400万
5千伏/微秒，双通道， SMD- 8
10 KV / μs的，双通道， DIP- 8
10 KV / μs的，双通道， DIP - 8 400万
10 KV / μs的，双通道， SMD- 8
应用
微处理器系统接口
PLC ， ATE输入/输出隔离
电脑外设接口
数字现场总线隔离： CC -Link的， DeviceNet的，
PROFIBUS， SDS
高速A / D和D / A转换
AC等离子显示面板电平转换
多道数据传送
数字控制电源
消除接地环路
6N137-X007
VO2601
VO2601-X006
VO2601-X007
VO2611
VO2611-X006
VO2611-X007
VO2630
VO2630-X006
VO2630-X007
VO2631
VO2631-X006
描述
该6N137 ，
VO2601
和
VO2611
是单声道
利用高效输入10万桶光电耦合器
LED加上集成光学光电二极管集成电路
探测器。检测器有一个开漏NMOS-转录
体管的输出，从而提供较少的泄漏相比，一个
文档编号84732
1.0版， 07军， 05
VO2631-X007
VO4661
VO4661-X006
VO4661-X007
www.vishay.com
1
6N137 / VO2601 / 11 / VO2630 / 31 / VO4661
威世半导体
真值表（正逻辑）
LED
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
启用
H
H
L
L
NC
NC
产量
L
H
H
H
L
H
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
平均正向电流
1)
平均正向电流
2)
反向输入电压
使能输入电压
1)
使能输入电流
1)
浪涌电流
1)
2)
测试条件
符号
I
F
I
F
V
R
V
E
I
E
价值
20
15
5
V
CC
+ 0.5
V
5
200
单位
mA
mA
V
V
mA
mA
t = 100
s
I
FSM
包装：单DIP - 8
包装：双DIP - 8
产量
参数
电源电压
输出电流
输出电压
输出功率耗散
1)
输出功率耗散
2)
1)
2)
测试条件
最长1分钟。
符号
V
CC
I
O
V
O
P
O
P
O
价值
7
50
7
85
60
单位
V
mA
V
mW
mW
包装：单DIP - 8
包装：双DIP - 8
耦合器
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
1)
焊锡溢流温度
2)
绝缘测试电压
1)
2)
测试条件
符号
T
英镑
T
AMB
价值
- 55至+ 150
- 40至+ 100
260
260
单位
°C
°C
°C
°C
V
RMS
持续10秒。
1分钟
T = 1.0秒。
V
ISO
5300
封装形式：DIP - 8通孔
封装形式：DIP - 8 SMD
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2
文档编号84732
1.0版， 07军， 05
6N137 / VO2601 / 11 / VO2630 / 31 / VO4661
威世半导体
推荐工作条件
参数
工作温度
电源电压
输入电流低的水平
输入电流的高级别
逻辑高电平使能电压
逻辑低电压启动
输出上拉电阻
扇出
R
L
= 1 k
测试条件
符号
T
AMB
V
CC
I
FL
I
FH
V
EH
V
EL
R
L
N
民
- 40
4.5
0
5
2.0
0.0
330
典型值。
最大
100
5.5
250
15
V
CC
0.8
4K
5
单位
°C
V
A
mA
V
V
-
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
输入正向电压
反向电流
输入电容
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 5.0
V
F = 1MHz时，
V
F
= 0
V
符号
V
F
I
R
C
I
民
1.1
典型值。
1.4
0.01
55
最大
1.7
10
单位
V
A
pF
产量
参数
高水平的供应
电流（单
频道）
高水平的供应
电流（双
频道）
低电平电源
电流（单
频道）
低电平电源
电流（双
频道）
高电平输出
当前
低电平输出
电压
输入treshold
当前
高级别启用
当前
低电平使能
当前
高级别启用
电压
低电平使能
电压
文档编号84732
1.0版， 07军， 05
测试条件
V
E
= 0.5
V,
I
F
= 0毫安
符号
I
CCH
民
典型值。
4.1
最大
7.0
单位
mA
V
E
=
V
CC
, I
F
= 0毫安
I
F
= 0毫安
I
CCH
I
CCH
3.3
6.9
6.0
12.0
mA
mA
V
E
= 0.5
V,
I
F
= 10毫安，
I
CCL
4.0
7.0
mA
V
E
=
V
CC
, I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
CCL
I
CCL
3.3
6.5
6.0
12.0
mA
mA
V
E
= 2.0
V, V
O
= 5.5
V,
I
F
= 250
A
V
E
= 2.0
V,
I
F
= 5毫安，
I
OL
（沉没）= 13毫安
V
E
= 2.0
V, V
O
= 5.5
V,
I
OL
（沉没）= 13毫安
V
E
= 2.0
V
V
E
= 0.5
V
I
OH
V
OL
I
TH
I
EH
I
EL
V
EH
V
EL
2.0
0.002
0.2
2.4
- 0.6
- 0.8
1
0.6
5.0
- 1.6
- 1.6
A
V
mA
mA
mA
V
0.8
V
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3
6N137 / VO2601 / 11 / VO2630 / 31 / VO4661
威世半导体
开关特性
在推荐的温度（T
a
= - 40 + 100 ℃） ，
V
CC
= 5
V,
I
F
=除非另有规定编7.5毫安。
所有的标准结构在T
a
= 25 °C,
V
CC
= 5
V.
参数
传播延迟时间的高
输出电平
传播延迟时间的低
输出电平
脉冲宽度失真
传播延迟偏斜
输出上升时间（10 - 90％）
输出下降时间（ 90 - 10 ％ ）
传播延迟时间
从启用
V
EH
to
V
EL
传播延迟时间
从启用
V
EL
to
V
EH
*
测试条件
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
符号
t
PLH
t
PLH
民
20
典型值。
48
最大
75
*
100
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
t
PHL
t
PHL
25
50
75
*
100
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的，
V
EL
= 0
V, V
EH
= 3
V
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的，
V
EL
= 0
V, V
EH
= 3
V
| t
PHL
- t
PLH
|
t
PSK
t
r
t
f
t
ELH
t
EHL
2.9
8
23
7
12
11
35
40
75纳秒仅适用于6N137 ，一个JEDEC规范注册
VCC
单通道
PULSE GEN 。
ZO = 50
五六= T R = 5纳秒
输入IF
监测
节点
R
M
1
IF
2
3
4
VCC
8
VE
7
VOUT
6
GND
5
RL
0.1
F
绕行
输入IF
输出端VO
监测
节点
C
L
= 15 pF的
的TPH1
IF
= 7.5毫安
IF
= 3.75毫安
0毫安
VOH
1.5 V
VOL
TPL
输出端VO
探头和夹具电容包括C语言
L
18964-2
图1.单通道测试电路吨
PLH
, t
PHL
, t
r
和T
f
PULSE GEN 。
ZO = 50
五六= T R = 5纳秒
IF
1
输入
监测
节点
RM
2
3
4
18963-2
VCC
双通道
VCC
8
7
6
GND
5
0.1
F
绕行
RL
输出电压V
O
监测
节点
CL = 15 pF的
图2.双通道测试电路吨
PLH
, t
PHL
, t
r
和T
f
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4
文档编号84732
1.0版， 07军， 05
6N137 / VO2601 / 11 / VO2630 / 31 / VO4661
威世半导体
PULSE GEN 。
ZO = 50
五六= T R = 5纳秒
1
7.5毫安
IF
2
3
4
输入VE
监测
节点
单通道
VCC
8
VE
7
VOUT
6
GND
5
VCC
RL
0.1
F
绕行
输出端VO
监测
节点
C
L
= 15 pF的
输入VE
tEHL
tELH
输出端VO
3V
1.5 V
1.5 V
探头和夹具电容包括C语言
L
18975-2
图3.单通道测试电路吨
EHL
和T
ELH
共模瞬态抗扰度
参数
共模
瞬态抗扰度
（高）
测试条件
|V
CM
| = 10
V, V
CC
= 5
V,
I
F
= 0 mA时，
V
O（分钟）
= 2
V,
R
L
= 350
,
T
AMB
= 25 °C
|V
CM
| = 50
V, V
CC
= 5
V,
I
F
= 0 mA时，
V
O（分钟）
= 2
V,
R
L
= 350
,
T
AMB
= 25 °C
|V
CM
| = 1千伏，
V
CC
= 5
V,
I
F
= 0 mA时，
V
O（分钟）
= 2
V,
R
L
= 350
,
T
AMB
= 25 °C
3)
|V
CM
| = 10
V, V
CC
= 5
V,
I
F
= 7.5毫安，
V
O（最大值）
= 0.8
V,
R
L
= 350
,
T
AMB
= 25 °C
|V
CM
| = 50
V, V
CC
= 5
V,
I
F
= 7.5毫安，
V
O（最大值）
= 0.8
V,
R
L
= 350
,
T
AMB
= 25 °C
2)
|V
CM
| = 1千伏，
V
CC
= 5
V,
I
F
= 7.5毫安，
V
O（最大值）
= 0.8
V,
R
L
= 350
,
T
AMB
= 25 °C
3)
1)
2)
3)
1)
2)
1)
符号
|厘米
H
|
民
100
典型值。
最大
单位
V / μs的
|厘米
H
|
|厘米
H
|
|厘米
L
|
|厘米
L
|
|厘米
L
|
5000
10000
100
5000
10000
10000
15000
V / μs的
V / μs的
V / μs的
10000
15000
V / μs的
V / μs的
为6N137和
VO2630
为
VO2601
和
VO2631
为
VO2611
和
VO4661
VCC
IF
1
B
A
V
FF
2
3
4
单通道
VCC
8
VE
7
VOUT
6
GND
5
VO 0.5 V
RL
0.1
F
绕行
输出端VO
监测
节点
V
CM 0 V
VO 5 V
V（ PEAK ）
CM
交换机AT A ： IF = 0毫安
VO （分钟）
开关AT A ： IF = 7.5毫安
VO （最大）
CMH
CML
V
CM
+
-
脉冲发生器
ZO = 50
图4.单通道测试电路的共模瞬态抗扰度
18976-2
文档编号84732
1.0版， 07军， 05
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5
QQ：2880707522 复制
