VO4154/VO4156
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，
过零点，高dv / dt ，低输入电流
特点
高静的dV / dt为5kV / μs的
A 1
C 2
NC
3
ZCC *
6 MT2
5
NC
4 MT1
高输入灵敏度我
FT
= 1.6 ，2和3毫安
300毫安通态电流
零电压穿越检测
400和600 V阻断电压
隔离测试电压5300 V
RMS
*零交叉电路
i179030
应用
固态继电器
工业控制
办公设备
家电产品
描述
该VO4154 / VO4156包含一个砷化镓IRLED光学
耦合到光敏过零可控硅包装
在DIP -6封装。
高输入灵敏度是通过使用一个发射极跟随器来实现
光电晶体管和可控硅串联前置驱动器产生
1.6毫安的LED触发电流斌D， 2毫安为斌H，
3毫安仓M.
新的光敏可控硅过零家庭使用专有
的dV / dt钳位造成大于5千伏/ μs的静态的dV / dt 。
该VO4154 / VO4156隔离低电压逻辑120 ，
240和380伏交流线来控制电阻性，电感性，或
容性负载包括电机，螺线管，高电流
晶闸管或晶闸管和继电器。
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
CUL - 文件编号。 E52744 ，相当于CSA公告5A
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ）可用的选项1
订购信息
部分
VO4154D
VO4154D-X006
VO4154D-X007
VO4154H
VO4154H-X006
VO4154H-X007
VO4154M
VO4154M-X006
VO4154M-X007
VO4156D
VO4156D-X006
VO4156D-X007
VO4156H
VO4156H-X006
VO4156H-X007
VO4156M
VO4156M-X006
VO4156M-X007
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
400 V V
DRM
, l
ft
= 1.6毫安， DIP - 6
400 V V
DRM
, I
ft
= 1.6毫安， DIP - 6 400万
400 V V
DRM
, I
ft
= 1.6毫安， SMD- 6
400 V V
DRM
, I
ft
= 2毫安， DIP - 6
400 V V
DRM
, I
ft
= 2毫安， DIP - 6 400万
400 V V
DRM
, I
ft
= 2毫安， SMD- 6
400 V V
DRM
, I
ft
= 3毫安， DIP- 6
400 V V
DRM
, I
ft
= 3毫安， DIP - 6 400万
400 V V
DRM
, I
ft
= 3毫安， SMD- 6
600 V V
DRM
, I
ft
= 1.6毫安， DIP - 6
600 V V
DRM
, I
ft
= 1.6毫安， DIP - 6 400万
600 V V
DRM
, I
ft
= 1.6毫安， SMD- 6
600 V V
DRM
, I
ft
= 2毫安， DIP - 6
600 V V
DRM
, I
ft
= 2毫安， DIP - 6 400万
600 V V
DRM
, I
ft
= 2毫安， SMD- 6
600 V V
DRM
, I
ft
= 3毫安， DIP- 6
600 V V
DRM
, I
ft
= 3毫安， DIP - 6 400万
600 V V
DRM
, I
ft
= 3毫安， SMD- 6
文档编号： 84797
修订版1.4 ， 30 - 8 - 06
如有技术问题，请联系： optocouplers.answers@vishay.com
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1
VO4154/VO4156
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，
过零点，高dv / dt ，低输入
当前
测试条件
部分
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6
60
2.5
100
1.33
VO4154D/H/M
VO4156D/H/M
V
DRM
V
DRM
I
TM
P
DISS
400
600
300
500
6.6
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免
产量
峰值断态电压
RMS通态电流
总功耗
从25° C减免
耦合器
隔离测试电压（间
发射器和检测器，每个气候
DIN 500414 ，第2部分11月74）
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
马克斯。
≤
10秒浸焊
≥
0.5毫米从外壳底部
T = 1分
V
ISO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
5300
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
V
RMS
°C
°C
°C
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
评级的长时间可不利地影响可靠性。
350
300
负载电流（mA ）
250
I
F
= 3 mA至10毫安
200
150
100
50
0
- 40 - 20
19623
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
图。 1 - 推荐工作条件
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VO4154/VO4156
光电耦合器，光敏可控硅输出，
过零点，高dv / dt ，低
输入电流
热特性
参数
LED功耗
输出功率耗散
最大LED结温
最大输出管芯结温
热阻，结发射器登
热电阻，发射极结到外壳
热阻，结探测器登上
热敏电阻，结探测器到外壳
热阻，结发射极结点探测器
热电阻，外壳到环境
测试条件
在25℃下
在25℃下
符号
P
DISS
P
DISS
T
JMAX
T
JMAX
θ
EB
θ
EC
θ
DB
θ
DC
θ
ED
θ
CA
价值
100
500
125
125
150
139
78
103
496
3563
单位
mW
mW
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
威世半导体
记
热模型被表示在下面的热网络。在该模型中每个给定的电阻值可以被用来计算
温度在每个节点处对于一个给定的操作条件。从板的热阻至环境将依赖于印刷电路板的类型，
布局和铜线的厚度。对于热模型的详细说明，请参考Vishay的热特性
光电耦合器的应用笔记。
T
A
θ
CA
T
C
包
θ
DC
T
JD
θ
EC
θ
DE
T
JE
θ
DB
T
B
θ
EB
θ
BA
19996
T
A
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VO4154/VO4156
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，
过零点，高dv / dt ，低输入
当前
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6 V
V
F
= 0 V ， F = 1兆赫
VO4154D/H/M
VO4156D/H/M
部分
符号
V
F
I
R
C
I
V
DRM
V
DRM
I
DRM
V
TM
I
TM
I
DINH
I
H
I
F
=额定我
FT
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 25 °C
V
IH
dv / dt的
cr
dv / dt的
cr
VO4154D
VO4154H
LED触发电流，
目前需要锁存输出
V
D
= 3 V
VO4154M
VO4156D
VO4156H
VO4156M
共模耦合电容
电容（输入输出）
F = 1MHz时， V
IO
= 0 V
I
FT
I
FT
I
FT
I
FT
I
FT
I
FT
C
CM
C
IO
0.01
0.8
5000
8
1.6
2
3
1.6
2
3
400
600
100
3
300
200
500
20
分钟。
典型值。
1.2
0.1
25
马克斯。
1.4
10
单位
V
A
pF
V
V
A
V
mA
A
A
V
V / μs的
A / μs的
mA
mA
mA
mA
mA
mA
pF
pF
电气特性的影响
参数
输入
正向电压
反向电流
输入电容
产量
重复峰值断态电压
FF-态电流
通态电压
通态电流
断态电流抑制状态
保持电流
零交叉禁止电压
崛起的断态临界速率
电压
对国家崛起的临界速度
耦合器
I
DRM
= 100 A
V
D
= V
DRM ，
I
F
= 0
I
T
= 300毫安
PF = 1 ，V
T（ RMS ）
= 1.7 V
I
F
= 2毫安， V
DRM
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小和最大值被测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
安全性和绝缘等级
参数
气候分类（根据IEC 68部分1 ）
污染等级（ DIN VDE 0109 ）
符合DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分相比漏电起痕指数，
根据DIN VDE IIIa族6110 175 399
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
爬电距离
Crearance
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
7
7
175
8000
890
500
250
175
测试条件
符号
分钟。
典型值。
55/100/21
2
399
V
V
mW
mA
°C
mm
mm
马克斯。
单位
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文档编号： 84797
修订版1.4 ， 30 - 8 - 06
VO4154/VO4156
光电耦合器，光敏可控硅输出，
过零点，高dv / dt ，低
输入电流
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1000
威世半导体
1.5
1.3
I
TM
，通态电流（毫安）
100
0 °C
10
25 °C
85
°C
1
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F
= 2毫安
3.0
3.5
V
F
(V)
1.1
0 °C
0.9
25 °C
50 °C
0.7
0.1
19660
1.0
10.0
100.0
I
F
（MA ）
19685
V
TM
，导通状态
电压
(V)
图。 2 - 二极管正向电压与正向电流
图。 5 - 通态电流与通态电压
42
5000
40
输出漏电流（ NA）
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
20009
85
°C
25 °C
0 °C
V
R
(V)
38
36
34
I
R
= 10
A
32
- 60 - 40 - 20
19662
0
20
40
60
80
100
200
400
600
800
温度（℃ ）
电压
(V)
图。 3 - 二极管的反向电压与温度的关系
图。 6 - 输出关闭电流（泄漏）与电压
10000
1.8
1.6
I
DRM
漏电流（ NA）
1000
1.4
归
I
FT
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
归
I
FT
在25℃
0
20
40
60
80
100
100
I
RDM
在630
V
10
1
0
20008
20
40
60
80
100
0.0
- 60 - 40 - 20
19666
T
A
，环境温度（ ° C）
温度（℃ ）
图。 4 - 漏电流与环境温度
图。 7 - 归触发器输入电流与温度的关系
文档编号： 84797
修订版1.4 ， 30 - 8 - 06
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