VO4154 ， VO4156
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威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，零交叉，
高dv / dt ，低输入电流
特点
A 1
C 2
NC 3
i179030_4
6 MT2
5 NC
ZCC *
4 MT1
V
D E
高静的dV / dt为5kV / μs的
高输入灵敏度我
FT
= 1.6毫安， 2毫安和
3毫安
300毫安通态电流
零电压穿越检测
400 V和600 V阻断电压
隔离测试电压5300 V
RMS
符合RoHS指令2011/65 / EU
*零交叉电路
21842-1
描述
该VO4154及VO4156由砷化镓IRLED
光学耦合到光敏过零双向可控硅
封装在一个DIP -6封装。
高输入灵敏度是通过使用发射器来实现
跟随光电晶体管和可控硅串联前置驱动器
造成1.6毫安的LED触发电流斌D， 2毫安
为斌H， 3毫安仓M.
新的光敏可控硅过零家庭使用专有
的dV / dt钳位造成的更大的静态的dV / dt比
5千伏/微秒。
该VO4154及VO4156隔离低压逻辑
120 V
AC
, 240 V
AC
，和380伏
AC
线来控制电阻，
感性或容性负载，包括电机，螺线管，
高电流晶闸管或可控硅和继电器。
应用
固态继电器
工业控制
办公设备
家电产品
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
CUL - 文件编号。 E52744 ，相当于CSA公告5A
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ）可用的选项1
订购信息
DIP-6
选6
V
O
4
1
5
#
X
-
X
0
0
#
T
TAPE
和
REEL
产品型号
封装选项
7.62 mm
选7
10.16 mm
> 0.7毫米
AGENCY
认证/ PACKAGE
UL ， cUL认证
DIP-6
DIP - 6 ， 400万，选择6
SMD - 6 ，选7
1.6
VO4154D
VO4154D-X006
VO4154D-X007T
V
DRM
400
触发电流，我
FT
（MA ）
2
VO4154H
VO4154H-X006
3
VO4154M
VO4154M-X006
1.6
VO4156D
VO4156D-X006
VO4156D-X007T
V
DRM
600
2
VO4156H
VO4156H-X006
3
VO4156M
VO4156M-X006
VO4154H - X007T VO4154M - X007T
VO4156H - X007T VO4156M - X007T
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VO4154 ， VO4156
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威世半导体
测试条件
部分
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6
60
2.5
100
1.33
VO4154D/H/M
VO4156D/H/M
V
DRM
V
DRM
I
TM
P
DISS
400
600
300
500
6.6
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免
产量
峰值断态电压
RMS通态电流
总功耗
从25° C减免
耦合器
隔离测试电压（间
发射器和检测器，每个气候
DIN 500414 ，第2部分11月74）
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
马克斯。
≤
10秒浸焊
≥
0.5毫米从外壳底部
T = 1分
V
ISO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
5300
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
V
RMS
°C
°C
°C
记
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对
对于长时间处于最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
350
300
I
L
- 负载电流（毫安）
250
I
F
= 3 mA至10毫安
200
150
100
50
0
- 40 - 20
0
20
40
60
80
100
19623
T
AMB
- 温度（℃ ）
图。 1 - 推荐工作条件
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符号
P
DISS
P
DISS
T
JMAX 。
T
JMAX 。
θ
杰布
θ
JEC
θ
加多宝
θ
JDC
θ
JED
θ
CA
价值
100
500
125
125
150
139
78
103
496
3563
单位
mW
mW
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
19996
热特性
参数
LED功耗
输出功率耗散
最大LED结温
最大输出管芯结温
热阻，结发射器登
热电阻，发射极结到外壳
热阻，结探测器登上
热敏电阻，结探测器到外壳
热敏电阻，结发射极
结点探测器
热电阻，外壳到环境
T
A
θ
CA
T
C
θ
DC
T
JD
θ
DE
包
θ
EC
T
JE
θ
DB
T
B
θ
BA
θ
EB
° C / W
T
A
记
热特性表中，测定在25℃和热模型被表示在下面的热网络。每
在这个模型中给出的电阻值可以被用来计算温度下的每个节点为一个给定的操作条件。热
从板到环境阻力将依赖于印刷电路板，布局和铜迹线厚度的类型。的详细说明
热模型，请参考Vishay的热光电耦合器应用笔记的特性。
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
正向电压
反向电流
输入电容
产量
重复峰值断态电压
FF-态电流
通态电压
通态电流
断态电流抑制状态
保持电流
零交叉禁止电压
崛起的断态临界速率
电压
对国家崛起的临界速度
耦合器
VO4154D
VO4154H
LED触发电流，
目前需要锁存输出
V
D
= 3 V
VO4154M
VO4156D
VO4156H
VO4156M
共模耦合
电容
电容（输入输出）
F = 1MHz时， V
IO
= 0 V
I
FT
I
FT
I
FT
I
FT
I
FT
I
FT
C
CM
C
IO
0.01
0.8
1.6
2
3
1.6
2
3
mA
mA
mA
mA
mA
mA
pF
pF
I
F
=额定我
FT
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 25 °C
I
DRM
= 100 μA
V
D
= V
DRM ，
I
F
= 0 A
I
T
= 300毫安
PF = 1 ，V
T（ RMS ）
= 1.7 V
I
F
= 2毫安， V
DRM
VO4154D/H/M
VO4156D/H/M
V
DRM
V
DRM
I
DRM
V
TM
I
TM
I
DINH
I
H
V
IH
dv / dt的
cr
dv / dt的
cr
5000
8
400
600
100
3
300
200
500
20
V
V
μA
V
mA
μA
μA
V
V / μs的
A / μs的
I
F
= 10毫安
V
R
= 6 V
V
F
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
I
R
C
I
1.2
0.1
25
1.4
10
V
μA
pF
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
最小和最大值进行了测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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威世半导体
测试条件
符号
分钟。
典型值。
55/100/21
2
175
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
7
7
8000
890
500
250
175
399
V
V
mW
mA
°C
mm
mm
马克斯。
单位
安全性和绝缘等级
参数
气候分类（根据IEC68第1部分）
污染等级（ DIN VDE 0109 ）
符合DIN IEC112 / VDE 0303第1部分相比漏电起痕指数，
根据DIN VDE IIIa族6110 175 399
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
爬电距离
Crearance距离
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
1.5
10 000
I
DRM
- 漏电流（ nA的）
1.3
1000
V
F
(V)
1.1
0 °C
25 °C
50 °C
100
I
RDM
在630 V
10
0.9
0.7
0.1
19660
1
1.0
10.0
100.0
20008
0
20
40
60
80
100
I
F
（MA ）
T
A
- 环境温度（ ° C）
图。 2 - 二极管正向电压与正向电流
图。 4 - 漏电流与环境温度
42
40
1000
I
TM
- 通态电流（毫安）
100
0 °C
10
25 °C
85 °C
1
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F
= 2毫安
3.0
3.5
V
R
(V)
38
36
34
I
R
= 10 A
32
- 60 - 40 - 20
19662
0
20
40
60
80 100
19685
温度（℃ ）
V
TM
- 通态电压（V ）
图。 3 - 二极管的反向电压与温度的关系
图。 5 - 通态电流与通态电压
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5000
1.4
85 °C
1.2
25 °C
0 °C
归一化我
H
在25℃下
输出漏电流（ NA）
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
200
400
600
归一化我
H
800
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
- 60 - 40 - 20
0
20
40
60
80 100
20009
电压（V）的
图。 6 - 输出关闭电流（泄漏）与电压
20011
温度（℃ ）
图。 9 - 归保持电流与温度的关系
1.8
22
20
I
FT
- 触发电流（mA ）
1.6
1.4
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
10
20
- 40 C
25 C
30
40
50
60
70
85 C
100 C
归一化我
FT
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
- 60 - 40 - 20
0
20
归一化我
FT
在25℃
40
60
80 100
19666
温度（℃ ）
20012
触发脉冲宽度（微秒）
图。 10 - I
FT
与LED脉冲宽度
图。 7 - 归触发器输入电流与温度的关系
3.5
3.0
2.5
I
FT
- （毫安）
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
10
100
1000
20010
开启时间（μs ）
图。 8 - 我
FT
（MA ）与导通时间（μs ）
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