VO3062 ， VO3063
威世半导体
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
特点
1500 V /μs的的dV / dt最低
A 1
C 2
NC
3
i179030
6 MT2
5
NC
ZCC *
4 MT1
600 V阻断电压
百毫安通态电流
零交叉检测器
低输入触发电流
6引脚DIP封装
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
*零交叉电路
应用
家用电器
描述
该VO3062 / 3063三端双向可控硅驱动器系列包括一个砷化镓
红外线LED光学耦合到一个单片感光
过零TRIAC检测器芯片。
在600 V阻断电压允许脱机控制
电压高达240伏交流电，与更多的安全系数比
2 ，并足以用于多达380 V.
三端双向可控硅驱动器/交流马达驱动器
电磁阀/阀门控制
办公自动化设备/机器
温度（ HVAC ） /照明控制
开关电源
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统标记U / J
CUL - 文件编号。 E52744 ，相当于CSA公告5A
DIN EN 60747-5-5 （ VDE 0884 ）可用的选项1
BSI IEC 60950
订购信息
部分
VO3063
VO3062
VO3063-X006
VO3062-X006
VO3063-X007T
VO3062-X007T
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
DIP - 6 ， ZC ， 600 V，I
ft
= 5毫安
DIP - 6 ， ZC ， 600 V，I
ft
= 10毫安
DIP - 6 400万， ZC ， 600 V，I
ft
= 5毫安
DIP - 6 400万， ZC ， 600 V，I
ft
= 10毫安
SMD - 6 ， ZC ， 600 V，I
ft
= 5毫安
SMD - 6 ， ZC ， 600 V，I
ft
= 10毫安
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流 - 连续
功耗
产量
断态输出端电压
峰值重复浪涌电流
功耗
开启状态RMS电流
文档编号： 83748
修订版1.6 ， 23 -OCT- 08
PW = 100毫秒， 120 PPS
VO3062/3063
V
DRM
I
TSM
P
DISS
I
T（ RMS ）
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
600
1
200
100
V
A
mW
mA
www.vishay.com
927
V
R
I
F
P
DISS
6
60
100
V
mA
mW
测试条件
部分
符号
价值
单位
VO3062 ， VO3063
威世半导体
绝对最大额定值
参数
耦合器
绝缘测试电压
总功耗
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
最大
≤
10 s
t=1s
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
5300
300
- 40至+ 100
- 55至+ 150
260
V
RMS
mW
°C
°C
°C
测试条件
部分
符号
价值
单位
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
120
100
负载电流（mA ）
80
I
F
= 10毫安
60
40
20
0
- 40 - 20
0
20
40
60
80
100
21353
温度（℃）
图。 1 - 通态电流（有效值）与温度的关系
记
在允许的负载电流，计算出下一个给定的操作条件，仅供参考：
LED功率：Q
E
= 0.015 W，R
BA
（ 2层） = 72 ° C / W
热特性
参数
最大LED结温
最大输出管芯结温
热阻，结发射器登
热电阻，发射极结到外壳
热阻，结探测器登上
热敏电阻，结探测器到外壳
热阻，结发射极结点探测器
热电阻，外壳到环境
测试条件
符号
T
JMAX
T
JMAX
θ
杰布
θ
JEC
θ
加多宝
θ
JDC
θ
JED
θ
CA
价值
125
125
150
139
78
103
496
3563
单位
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
记
热模型被表示在下面的热网络。在该模型中每个给定的电阻值可以被用来计算
温度在每个节点处对于一个给定的操作条件。从板的热阻至环境将依赖于印刷电路板的类型，
布局和铜线的厚度。对于热模型的详细说明，请参考Vishay的热特性
光电耦合器的应用笔记。
www.vishay.com
928
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83748
修订版1.6 ， 23 -OCT- 08
VO3062 ， VO3063
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
T
A
威世半导体
θ
CA
T
C
包
θ
DC
T
JD
θ
EC
θ
DE
T
JE
θ
DB
T
B
θ
EB
θ
BA
19996
T
A
电气特性的影响
参数
输入
反向电流
正向电压
产量
泄漏与LED熄灭，任一方向
上升断态电压临界速度
耦合器
LED触发电流，
目前需要锁存输出
峰值通态电压，
任一方向
保持电流，两个方向
抑制电压（ MT1 - MT2电压
以上这些设备将不会触发）
泄漏抑制状态
IF = 10 mA（最大值） ，
额定V
DRM
，关国
I
TM
= 100 mA峰值，
I
F
=额定我
FT
VO3063
VO3062
I
FT
I
FT
V
TM
I
H
V
INH
V
DRM2
1.7
200
12
250
22
1000
5
10
3
mA
mA
V
A
V
A
V
DRM
= 600 V
V
D
= 400 V
I
DRM
dv / dt的
1500
10
2000
500
nA
V / μs的
V
R
= 6 V
I
F
= 30毫安
I
R
V
F
1.2
10
1.5
A
V
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小和最大值被测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
污染程度
符合DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分相比漏电起痕指数，
根据DIN VDE IIIa族6110 175 399
最高允许过压
最大工作绝缘电压
在25℃时的绝缘电阻
在T绝缘电阻
S
在100℃下的绝缘电阻
文档编号： 83748
修订版1.6 ， 23 -OCT- 08
短暂
过压
反复出现的高峰期
电压
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V
测试条件
IEC 68第1部分
DIN VDE 0109
CTI
V
IOTM
V
IORM
R
IS
R
IS
R
IS
175
8000
890
≥
10
12
≥
10
9
≥
10
11
V
PEAK
V
PEAK
Ω
Ω
Ω
符号
分钟。
典型值。
40/85/21
2
马克斯。
单位
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
929
VO3062 ， VO3063
威世半导体
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
安全性和绝缘等级
参数
局部放电试验电压
安全限制值 -
在允许的最大值
故障的事件
安全额定功率
安全电流额定值
安全温度等级
从输入端测得
端至输出
终端，最短
通过空气的距离
从输入端测得
端至输出
终端，最短
距离路沿
体
测试条件
方法一，
V
pd
= V
IORM
x 1.875
符号
V
pd
P
SO
I
SI
T
SI
≥
7
分钟。
典型值。
马克斯。
1325
400
150
165
单位
V
PEAK
mW
mA
°C
mm
最小外部空气间隙（间隙）
最少的外部跟踪（爬）
≥
7
mm
记
按照IEC 60747-5-2 ， 7.4.3.8.1 ，这是光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。遵守
安全评级，由prodective电路的装置来保证。
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1.4
100
V
F
- 前进
电压
(V)
1.3
TA = - 40°C
1.2
TA = 25℃
1.1
TA =
85
°C
1.0
0.9
0.8
1
10
100
通态电流I
TM
（MA ）
80
60
40
20
0
- 20
- 40
- 60
-
80
- 100
- 2 - 1.5 - 1 - 0.5
0
0.5
1
1.5
2
19620
I
F
- 正向电流（mA ）
19605
导通状态
电压V
TM
(V)
图。 4 - 通态电流与V
TM
图。 2 - 正向电压与正向电流
1000
1.4
1.2
100
触发电流
0
20
40
60
80
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I
LKG
（ nA的）
10
1
- 40 - 20
19619
0
- 40
19621
10
60
110
温度（℃）
温度（℃）
图。 3 - 断态泄漏电流与温度的关系
www.vishay.com
930
图。 5 - 归触发电流与温度的关系
文档编号： 83748
修订版1.6 ， 23 -OCT- 08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
VO3062 ， VO3063
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
威世半导体
100
15
12
9
开启时间（μs ）
10
开启时间（μs ）
5
8
11
14
17
20
6
3
1
19618
0
- 40
19602
- 20
0
20
40
60
80
100
LED电流（mA ）
图。 6 - 导通时间与LED电流
温度（℃）
图。 8 - 开启时间与温度的关系
2.0
1.8
5.0
4.5
4.0
保持电流
1.6
I
FT
（MA ）
0
20
40
60
80
100
19609
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
- 40 - 20
3.5
3.0
2.5
2.0
20
40
60
80
100
19608
温度（℃）
图。 7 - 归保持电流与温度的关系
脉冲
宽度
(s)
图。 9 - 触发电流和脉冲宽度
包装尺寸
以英寸（毫米）
引脚1号
3
2
1
选6
0.407 (10.36)
0.391 (9.96)
0.307 (7.8)
0.291 (7.4)
0.248 (6.30)
0.256 (6.50)
ISO方法A
4
5
6
20°
0.300 (7.62)
典型值。
0.014 (0.35)
0.010 (0.25)
0.400 (10.16)
0.430 (10.92)
0.335 (8.50)
0.343 (8.70)
0.039
(1.00 )
分钟。
0.048 (1.22)
0.052 (1.32)
0.130 (3.30)
0.150 (3.81)
18°
0.033 （ 0.84 ） （典型值） 。
0.018 (0.46)
0.020 (0.51)
i178014_1
0.033 （ 0.84 ） （典型值） 。
0.100 （ 2.54 ） TYP 。
3° - 9°
0.008 (0.20)
0.012 (0.30)
0.300到0.347
（ 7.62至
8.81)
0.130 (3.30)
0.150 (3.81)
0.028 (0.7)
选7
0.300 (7.62)
典型值
.
4°
典型值。
0.180 (4.6)
0.160 (4.1)
0.315 (8.0)
分钟。
.
0.331 (8.4)
分钟。
0.406 (10.3)
马克斯。
文档编号： 83748
修订版1.6 ， 23 -OCT- 08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
931
VO3062 ， VO3063
威世半导体
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
特点
1500 V /μs的的dV / dt最低
A 1
C 2
NC
3
i179030
6 MT2
5
NC
ZCC *
4 MT1
600 V阻断电压
百毫安通态电流
零交叉检测器
低输入触发电流
6引脚DIP封装
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
*零交叉电路
应用
家用电器
描述
该VO3062 / 3063三端双向可控硅驱动器系列包括一个砷化镓
红外线LED光学耦合到一个单片感光
过零TRIAC检测器芯片。
在600 V阻断电压允许脱机控制
电压高达240伏交流电，与更多的安全系数比
2 ，并足以用于多达380 V.
三端双向可控硅驱动器/交流马达驱动器
电磁阀/阀门控制
办公自动化设备/机器
温度（ HVAC ） /照明控制
开关电源
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统标记U / J
CUL - 文件编号。 E52744 ，相当于CSA公告5A
DIN EN 60747-5-5 （ VDE 0884 ）可用的选项1
BSI IEC 60950
订购信息
部分
VO3063
VO3062
VO3063-X006
VO3062-X006
VO3063-X007T
VO3062-X007T
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
DIP - 6 ， ZC ， 600 V，I
ft
= 5毫安
DIP - 6 ， ZC ， 600 V，I
ft
= 10毫安
DIP - 6 400万， ZC ， 600 V，I
ft
= 5毫安
DIP - 6 400万， ZC ， 600 V，I
ft
= 10毫安
SMD - 6 ， ZC ， 600 V，I
ft
= 5毫安
SMD - 6 ， ZC ， 600 V，I
ft
= 10毫安
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流 - 连续
功耗
产量
断态输出端电压
峰值重复浪涌电流
功耗
开启状态RMS电流
文档编号： 83748
修订版1.6 ， 23 -OCT- 08
PW = 100毫秒， 120 PPS
VO3062/3063
V
DRM
I
TSM
P
DISS
I
T（ RMS ）
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
600
1
200
100
V
A
mW
mA
www.vishay.com
927
V
R
I
F
P
DISS
6
60
100
V
mA
mW
测试条件
部分
符号
价值
单位
VO3062 ， VO3063
威世半导体
绝对最大额定值
参数
耦合器
绝缘测试电压
总功耗
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
最大
≤
10 s
t=1s
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
5300
300
- 40至+ 100
- 55至+ 150
260
V
RMS
mW
°C
°C
°C
测试条件
部分
符号
价值
单位
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
120
100
负载电流（mA ）
80
I
F
= 10毫安
60
40
20
0
- 40 - 20
0
20
40
60
80
100
21353
温度（℃）
图。 1 - 通态电流（有效值）与温度的关系
记
在允许的负载电流，计算出下一个给定的操作条件，仅供参考：
LED功率：Q
E
= 0.015 W，R
BA
（ 2层） = 72 ° C / W
热特性
参数
最大LED结温
最大输出管芯结温
热阻，结发射器登
热电阻，发射极结到外壳
热阻，结探测器登上
热敏电阻，结探测器到外壳
热阻，结发射极结点探测器
热电阻，外壳到环境
测试条件
符号
T
JMAX
T
JMAX
θ
杰布
θ
JEC
θ
加多宝
θ
JDC
θ
JED
θ
CA
价值
125
125
150
139
78
103
496
3563
单位
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
记
热模型被表示在下面的热网络。在该模型中每个给定的电阻值可以被用来计算
温度在每个节点处对于一个给定的操作条件。从板的热阻至环境将依赖于印刷电路板的类型，
布局和铜线的厚度。对于热模型的详细说明，请参考Vishay的热特性
光电耦合器的应用笔记。
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928
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文档编号： 83748
修订版1.6 ， 23 -OCT- 08
VO3062 ， VO3063
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
T
A
威世半导体
θ
CA
T
C
包
θ
DC
T
JD
θ
EC
θ
DE
T
JE
θ
DB
T
B
θ
EB
θ
BA
19996
T
A
电气特性的影响
参数
输入
反向电流
正向电压
产量
泄漏与LED熄灭，任一方向
上升断态电压临界速度
耦合器
LED触发电流，
目前需要锁存输出
峰值通态电压，
任一方向
保持电流，两个方向
抑制电压（ MT1 - MT2电压
以上这些设备将不会触发）
泄漏抑制状态
IF = 10 mA（最大值） ，
额定V
DRM
，关国
I
TM
= 100 mA峰值，
I
F
=额定我
FT
VO3063
VO3062
I
FT
I
FT
V
TM
I
H
V
INH
V
DRM2
1.7
200
12
250
22
1000
5
10
3
mA
mA
V
A
V
A
V
DRM
= 600 V
V
D
= 400 V
I
DRM
dv / dt的
1500
10
2000
500
nA
V / μs的
V
R
= 6 V
I
F
= 30毫安
I
R
V
F
1.2
10
1.5
A
V
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小和最大值被测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
污染程度
符合DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分相比漏电起痕指数，
根据DIN VDE IIIa族6110 175 399
最高允许过压
最大工作绝缘电压
在25℃时的绝缘电阻
在T绝缘电阻
S
在100℃下的绝缘电阻
文档编号： 83748
修订版1.6 ， 23 -OCT- 08
短暂
过压
反复出现的高峰期
电压
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V
测试条件
IEC 68第1部分
DIN VDE 0109
CTI
V
IOTM
V
IORM
R
IS
R
IS
R
IS
175
8000
890
≥
10
12
≥
10
9
≥
10
11
V
PEAK
V
PEAK
Ω
Ω
Ω
符号
分钟。
典型值。
40/85/21
2
马克斯。
单位
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
929
VO3062 ， VO3063
威世半导体
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
安全性和绝缘等级
参数
局部放电试验电压
安全限制值 -
在允许的最大值
故障的事件
安全额定功率
安全电流额定值
安全温度等级
从输入端测得
端至输出
终端，最短
通过空气的距离
从输入端测得
端至输出
终端，最短
距离路沿
体
测试条件
方法一，
V
pd
= V
IORM
x 1.875
符号
V
pd
P
SO
I
SI
T
SI
≥
7
分钟。
典型值。
马克斯。
1325
400
150
165
单位
V
PEAK
mW
mA
°C
mm
最小外部空气间隙（间隙）
最少的外部跟踪（爬）
≥
7
mm
记
按照IEC 60747-5-2 ， 7.4.3.8.1 ，这是光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。遵守
安全评级，由prodective电路的装置来保证。
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1.4
100
V
F
- 前进
电压
(V)
1.3
TA = - 40°C
1.2
TA = 25℃
1.1
TA =
85
°C
1.0
0.9
0.8
1
10
100
通态电流I
TM
（MA ）
80
60
40
20
0
- 20
- 40
- 60
-
80
- 100
- 2 - 1.5 - 1 - 0.5
0
0.5
1
1.5
2
19620
I
F
- 正向电流（mA ）
19605
导通状态
电压V
TM
(V)
图。 4 - 通态电流与V
TM
图。 2 - 正向电压与正向电流
1000
1.4
1.2
100
触发电流
0
20
40
60
80
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I
LKG
（ nA的）
10
1
- 40 - 20
19619
0
- 40
19621
10
60
110
温度（℃）
温度（℃）
图。 3 - 断态泄漏电流与温度的关系
www.vishay.com
930
图。 5 - 归触发电流与温度的关系
文档编号： 83748
修订版1.6 ， 23 -OCT- 08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
VO3062 ， VO3063
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
威世半导体
100
15
12
9
开启时间（μs ）
10
开启时间（μs ）
5
8
11
14
17
20
6
3
1
19618
0
- 40
19602
- 20
0
20
40
60
80
100
LED电流（mA ）
图。 6 - 导通时间与LED电流
温度（℃）
图。 8 - 开启时间与温度的关系
2.0
1.8
5.0
4.5
4.0
保持电流
1.6
I
FT
（MA ）
0
20
40
60
80
100
19609
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
- 40 - 20
3.5
3.0
2.5
2.0
20
40
60
80
100
19608
温度（℃）
图。 7 - 归保持电流与温度的关系
脉冲
宽度
(s)
图。 9 - 触发电流和脉冲宽度
包装尺寸
以英寸（毫米）
引脚1号
3
2
1
选6
0.407 (10.36)
0.391 (9.96)
0.307 (7.8)
0.291 (7.4)
0.248 (6.30)
0.256 (6.50)
ISO方法A
4
5
6
20°
0.300 (7.62)
典型值。
0.014 (0.35)
0.010 (0.25)
0.400 (10.16)
0.430 (10.92)
0.335 (8.50)
0.343 (8.70)
0.039
(1.00 )
分钟。
0.048 (1.22)
0.052 (1.32)
0.130 (3.30)
0.150 (3.81)
18°
0.033 （ 0.84 ） （典型值） 。
0.018 (0.46)
0.020 (0.51)
i178014_1
0.033 （ 0.84 ） （典型值） 。
0.100 （ 2.54 ） TYP 。
3° - 9°
0.008 (0.20)
0.012 (0.30)
0.300到0.347
（ 7.62至
8.81)
0.130 (3.30)
0.150 (3.81)
0.028 (0.7)
选7
0.300 (7.62)
典型值
.
4°
典型值。
0.180 (4.6)
0.160 (4.1)
0.315 (8.0)
分钟。
.
0.331 (8.4)
分钟。
0.406 (10.3)
马克斯。
文档编号： 83748
修订版1.6 ， 23 -OCT- 08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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VO3062 ， VO3063
威世半导体
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
特点
1500 V /μs的的dV / dt最低
A 1
C 2
NC
3
i179030
6 MT2
5
NC
ZCC *
4 MT1
600 V阻断电压
百毫安通态电流
零交叉检测器
低输入触发电流
6引脚DIP封装
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
*零交叉电路
应用
家用电器
描述
该VO3062 / 3063三端双向可控硅驱动器系列包括一个砷化镓
红外线LED光学耦合到一个单片感光
过零TRIAC检测器芯片。
在600 V阻断电压允许脱机控制
电压高达240伏交流电，与更多的安全系数比
2 ，并足以用于多达380 V.
三端双向可控硅驱动器/交流马达驱动器
电磁阀/阀门控制
办公自动化设备/机器
温度（ HVAC ） /照明控制
开关电源
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统标记U / J
CUL - 文件编号。 E52744 ，相当于CSA公告5A
DIN EN 60747-5-5 （ VDE 0884 ）可用的选项1
BSI IEC 60950
订购信息
部分
VO3063
VO3062
VO3063-X006
VO3062-X006
VO3063-X007T
VO3062-X007T
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
DIP - 6 ， ZC ， 600 V，I
ft
= 5毫安
DIP - 6 ， ZC ， 600 V，I
ft
= 10毫安
DIP - 6 400万， ZC ， 600 V，I
ft
= 5毫安
DIP - 6 400万， ZC ， 600 V，I
ft
= 10毫安
SMD - 6 ， ZC ， 600 V，I
ft
= 5毫安
SMD - 6 ， ZC ， 600 V，I
ft
= 10毫安
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流 - 连续
功耗
产量
断态输出端电压
峰值重复浪涌电流
功耗
开启状态RMS电流
文档编号： 83748
修订版1.6 ， 23 -OCT- 08
PW = 100毫秒， 120 PPS
VO3062/3063
V
DRM
I
TSM
P
DISS
I
T（ RMS ）
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600
1
200
100
V
A
mW
mA
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927
V
R
I
F
P
DISS
6
60
100
V
mA
mW
测试条件
部分
符号
价值
单位
VO3062 ， VO3063
威世半导体
绝对最大额定值
参数
耦合器
绝缘测试电压
总功耗
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
最大
≤
10 s
t=1s
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
5300
300
- 40至+ 100
- 55至+ 150
260
V
RMS
mW
°C
°C
°C
测试条件
部分
符号
价值
单位
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
120
100
负载电流（mA ）
80
I
F
= 10毫安
60
40
20
0
- 40 - 20
0
20
40
60
80
100
21353
温度（℃）
图。 1 - 通态电流（有效值）与温度的关系
记
在允许的负载电流，计算出下一个给定的操作条件，仅供参考：
LED功率：Q
E
= 0.015 W，R
BA
（ 2层） = 72 ° C / W
热特性
参数
最大LED结温
最大输出管芯结温
热阻，结发射器登
热电阻，发射极结到外壳
热阻，结探测器登上
热敏电阻，结探测器到外壳
热阻，结发射极结点探测器
热电阻，外壳到环境
测试条件
符号
T
JMAX
T
JMAX
θ
杰布
θ
JEC
θ
加多宝
θ
JDC
θ
JED
θ
CA
价值
125
125
150
139
78
103
496
3563
单位
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
记
热模型被表示在下面的热网络。在该模型中每个给定的电阻值可以被用来计算
温度在每个节点处对于一个给定的操作条件。从板的热阻至环境将依赖于印刷电路板的类型，
布局和铜线的厚度。对于热模型的详细说明，请参考Vishay的热特性
光电耦合器的应用笔记。
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VO3062 ， VO3063
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
T
A
威世半导体
θ
CA
T
C
包
θ
DC
T
JD
θ
EC
θ
DE
T
JE
θ
DB
T
B
θ
EB
θ
BA
19996
T
A
电气特性的影响
参数
输入
反向电流
正向电压
产量
泄漏与LED熄灭，任一方向
上升断态电压临界速度
耦合器
LED触发电流，
目前需要锁存输出
峰值通态电压，
任一方向
保持电流，两个方向
抑制电压（ MT1 - MT2电压
以上这些设备将不会触发）
泄漏抑制状态
IF = 10 mA（最大值） ，
额定V
DRM
，关国
I
TM
= 100 mA峰值，
I
F
=额定我
FT
VO3063
VO3062
I
FT
I
FT
V
TM
I
H
V
INH
V
DRM2
1.7
200
12
250
22
1000
5
10
3
mA
mA
V
A
V
A
V
DRM
= 600 V
V
D
= 400 V
I
DRM
dv / dt的
1500
10
2000
500
nA
V / μs的
V
R
= 6 V
I
F
= 30毫安
I
R
V
F
1.2
10
1.5
A
V
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小和最大值被测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
污染程度
符合DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分相比漏电起痕指数，
根据DIN VDE IIIa族6110 175 399
最高允许过压
最大工作绝缘电压
在25℃时的绝缘电阻
在T绝缘电阻
S
在100℃下的绝缘电阻
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短暂
过压
反复出现的高峰期
电压
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V
测试条件
IEC 68第1部分
DIN VDE 0109
CTI
V
IOTM
V
IORM
R
IS
R
IS
R
IS
175
8000
890
≥
10
12
≥
10
9
≥
10
11
V
PEAK
V
PEAK
Ω
Ω
Ω
符号
分钟。
典型值。
40/85/21
2
马克斯。
单位
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929
VO3062 ， VO3063
威世半导体
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
安全性和绝缘等级
参数
局部放电试验电压
安全限制值 -
在允许的最大值
故障的事件
安全额定功率
安全电流额定值
安全温度等级
从输入端测得
端至输出
终端，最短
通过空气的距离
从输入端测得
端至输出
终端，最短
距离路沿
体
测试条件
方法一，
V
pd
= V
IORM
x 1.875
符号
V
pd
P
SO
I
SI
T
SI
≥
7
分钟。
典型值。
马克斯。
1325
400
150
165
单位
V
PEAK
mW
mA
°C
mm
最小外部空气间隙（间隙）
最少的外部跟踪（爬）
≥
7
mm
记
按照IEC 60747-5-2 ， 7.4.3.8.1 ，这是光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。遵守
安全评级，由prodective电路的装置来保证。
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1.4
100
V
F
- 前进
电压
(V)
1.3
TA = - 40°C
1.2
TA = 25℃
1.1
TA =
85
°C
1.0
0.9
0.8
1
10
100
通态电流I
TM
（MA ）
80
60
40
20
0
- 20
- 40
- 60
-
80
- 100
- 2 - 1.5 - 1 - 0.5
0
0.5
1
1.5
2
19620
I
F
- 正向电流（mA ）
19605
导通状态
电压V
TM
(V)
图。 4 - 通态电流与V
TM
图。 2 - 正向电压与正向电流
1000
1.4
1.2
100
触发电流
0
20
40
60
80
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I
LKG
（ nA的）
10
1
- 40 - 20
19619
0
- 40
19621
10
60
110
温度（℃）
温度（℃）
图。 3 - 断态泄漏电流与温度的关系
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图。 5 - 归触发电流与温度的关系
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修订版1.6 ， 23 -OCT- 08
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VO3062 ， VO3063
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
威世半导体
100
15
12
9
开启时间（μs ）
10
开启时间（μs ）
5
8
11
14
17
20
6
3
1
19618
0
- 40
19602
- 20
0
20
40
60
80
100
LED电流（mA ）
图。 6 - 导通时间与LED电流
温度（℃）
图。 8 - 开启时间与温度的关系
2.0
1.8
5.0
4.5
4.0
保持电流
1.6
I
FT
（MA ）
0
20
40
60
80
100
19609
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
- 40 - 20
3.5
3.0
2.5
2.0
20
40
60
80
100
19608
温度（℃）
图。 7 - 归保持电流与温度的关系
脉冲
宽度
(s)
图。 9 - 触发电流和脉冲宽度
包装尺寸
以英寸（毫米）
引脚1号
3
2
1
选6
0.407 (10.36)
0.391 (9.96)
0.307 (7.8)
0.291 (7.4)
0.248 (6.30)
0.256 (6.50)
ISO方法A
4
5
6
20°
0.300 (7.62)
典型值。
0.014 (0.35)
0.010 (0.25)
0.400 (10.16)
0.430 (10.92)
0.335 (8.50)
0.343 (8.70)
0.039
(1.00 )
分钟。
0.048 (1.22)
0.052 (1.32)
0.130 (3.30)
0.150 (3.81)
18°
0.033 （ 0.84 ） （典型值） 。
0.018 (0.46)
0.020 (0.51)
i178014_1
0.033 （ 0.84 ） （典型值） 。
0.100 （ 2.54 ） TYP 。
3° - 9°
0.008 (0.20)
0.012 (0.30)
0.300到0.347
（ 7.62至
8.81)
0.130 (3.30)
0.150 (3.81)
0.028 (0.7)
选7
0.300 (7.62)
典型值
.
4°
典型值。
0.180 (4.6)
0.160 (4.1)
0.315 (8.0)
分钟。
.
0.331 (8.4)
分钟。
0.406 (10.3)
马克斯。
文档编号： 83748
修订版1.6 ， 23 -OCT- 08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
931
VO3062 ， VO3063
威世半导体
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
特点
1500 V /μs的的dV / dt最低
A 1
C 2
NC
3
i179030
6 MT2
5
NC
ZCC *
4 MT1
600 V阻断电压
百毫安通态电流
零交叉检测器
低输入触发电流
6引脚DIP封装
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
*零交叉电路
应用
家用电器
描述
该VO3062 / 3063三端双向可控硅驱动器系列包括一个砷化镓
红外线LED光学耦合到一个单片感光
过零TRIAC检测器芯片。
在600 V阻断电压允许脱机控制
电压高达240伏交流电，与更多的安全系数比
2 ，并足以用于多达380 V.
三端双向可控硅驱动器/交流马达驱动器
电磁阀/阀门控制
办公自动化设备/机器
温度（ HVAC ） /照明控制
开关电源
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统标记U / J
CUL - 文件编号。 E52744 ，相当于CSA公告5A
DIN EN 60747-5-5 （ VDE 0884 ）可用的选项1
BSI IEC 60950
订购信息
部分
VO3063
VO3062
VO3063-X006
VO3062-X006
VO3063-X007T
VO3062-X007T
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
DIP - 6 ， ZC ， 600 V，I
ft
= 5毫安
DIP - 6 ， ZC ， 600 V，I
ft
= 10毫安
DIP - 6 400万， ZC ， 600 V，I
ft
= 5毫安
DIP - 6 400万， ZC ， 600 V，I
ft
= 10毫安
SMD - 6 ， ZC ， 600 V，I
ft
= 5毫安
SMD - 6 ， ZC ， 600 V，I
ft
= 10毫安
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流 - 连续
功耗
产量
断态输出端电压
峰值重复浪涌电流
功耗
开启状态RMS电流
文档编号： 83748
修订版1.6 ， 23 -OCT- 08
PW = 100毫秒， 120 PPS
VO3062/3063
V
DRM
I
TSM
P
DISS
I
T（ RMS ）
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
600
1
200
100
V
A
mW
mA
www.vishay.com
927
V
R
I
F
P
DISS
6
60
100
V
mA
mW
测试条件
部分
符号
价值
单位
VO3062 ， VO3063
威世半导体
绝对最大额定值
参数
耦合器
绝缘测试电压
总功耗
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
最大
≤
10 s
t=1s
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
5300
300
- 40至+ 100
- 55至+ 150
260
V
RMS
mW
°C
°C
°C
测试条件
部分
符号
价值
单位
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
120
100
负载电流（mA ）
80
I
F
= 10毫安
60
40
20
0
- 40 - 20
0
20
40
60
80
100
21353
温度（℃）
图。 1 - 通态电流（有效值）与温度的关系
记
在允许的负载电流，计算出下一个给定的操作条件，仅供参考：
LED功率：Q
E
= 0.015 W，R
BA
（ 2层） = 72 ° C / W
热特性
参数
最大LED结温
最大输出管芯结温
热阻，结发射器登
热电阻，发射极结到外壳
热阻，结探测器登上
热敏电阻，结探测器到外壳
热阻，结发射极结点探测器
热电阻，外壳到环境
测试条件
符号
T
JMAX
T
JMAX
θ
杰布
θ
JEC
θ
加多宝
θ
JDC
θ
JED
θ
CA
价值
125
125
150
139
78
103
496
3563
单位
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
记
热模型被表示在下面的热网络。在该模型中每个给定的电阻值可以被用来计算
温度在每个节点处对于一个给定的操作条件。从板的热阻至环境将依赖于印刷电路板的类型，
布局和铜线的厚度。对于热模型的详细说明，请参考Vishay的热特性
光电耦合器的应用笔记。
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如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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VO3062 ， VO3063
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
T
A
威世半导体
θ
CA
T
C
包
θ
DC
T
JD
θ
EC
θ
DE
T
JE
θ
DB
T
B
θ
EB
θ
BA
19996
T
A
电气特性的影响
参数
输入
反向电流
正向电压
产量
泄漏与LED熄灭，任一方向
上升断态电压临界速度
耦合器
LED触发电流，
目前需要锁存输出
峰值通态电压，
任一方向
保持电流，两个方向
抑制电压（ MT1 - MT2电压
以上这些设备将不会触发）
泄漏抑制状态
IF = 10 mA（最大值） ，
额定V
DRM
，关国
I
TM
= 100 mA峰值，
I
F
=额定我
FT
VO3063
VO3062
I
FT
I
FT
V
TM
I
H
V
INH
V
DRM2
1.7
200
12
250
22
1000
5
10
3
mA
mA
V
A
V
A
V
DRM
= 600 V
V
D
= 400 V
I
DRM
dv / dt的
1500
10
2000
500
nA
V / μs的
V
R
= 6 V
I
F
= 30毫安
I
R
V
F
1.2
10
1.5
A
V
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小和最大值被测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
污染程度
符合DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分相比漏电起痕指数，
根据DIN VDE IIIa族6110 175 399
最高允许过压
最大工作绝缘电压
在25℃时的绝缘电阻
在T绝缘电阻
S
在100℃下的绝缘电阻
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短暂
过压
反复出现的高峰期
电压
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V
测试条件
IEC 68第1部分
DIN VDE 0109
CTI
V
IOTM
V
IORM
R
IS
R
IS
R
IS
175
8000
890
≥
10
12
≥
10
9
≥
10
11
V
PEAK
V
PEAK
Ω
Ω
Ω
符号
分钟。
典型值。
40/85/21
2
马克斯。
单位
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www.vishay.com
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VO3062 ， VO3063
威世半导体
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
安全性和绝缘等级
参数
局部放电试验电压
安全限制值 -
在允许的最大值
故障的事件
安全额定功率
安全电流额定值
安全温度等级
从输入端测得
端至输出
终端，最短
通过空气的距离
从输入端测得
端至输出
终端，最短
距离路沿
体
测试条件
方法一，
V
pd
= V
IORM
x 1.875
符号
V
pd
P
SO
I
SI
T
SI
≥
7
分钟。
典型值。
马克斯。
1325
400
150
165
单位
V
PEAK
mW
mA
°C
mm
最小外部空气间隙（间隙）
最少的外部跟踪（爬）
≥
7
mm
记
按照IEC 60747-5-2 ， 7.4.3.8.1 ，这是光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。遵守
安全评级，由prodective电路的装置来保证。
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1.4
100
V
F
- 前进
电压
(V)
1.3
TA = - 40°C
1.2
TA = 25℃
1.1
TA =
85
°C
1.0
0.9
0.8
1
10
100
通态电流I
TM
（MA ）
80
60
40
20
0
- 20
- 40
- 60
-
80
- 100
- 2 - 1.5 - 1 - 0.5
0
0.5
1
1.5
2
19620
I
F
- 正向电流（mA ）
19605
导通状态
电压V
TM
(V)
图。 4 - 通态电流与V
TM
图。 2 - 正向电压与正向电流
1000
1.4
1.2
100
触发电流
0
20
40
60
80
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I
LKG
（ nA的）
10
1
- 40 - 20
19619
0
- 40
19621
10
60
110
温度（℃）
温度（℃）
图。 3 - 断态泄漏电流与温度的关系
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930
图。 5 - 归触发电流与温度的关系
文档编号： 83748
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VO3062 ， VO3063
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
威世半导体
100
15
12
9
开启时间（μs ）
10
开启时间（μs ）
5
8
11
14
17
20
6
3
1
19618
0
- 40
19602
- 20
0
20
40
60
80
100
LED电流（mA ）
图。 6 - 导通时间与LED电流
温度（℃）
图。 8 - 开启时间与温度的关系
2.0
1.8
5.0
4.5
4.0
保持电流
1.6
I
FT
（MA ）
0
20
40
60
80
100
19609
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
- 40 - 20
3.5
3.0
2.5
2.0
20
40
60
80
100
19608
温度（℃）
图。 7 - 归保持电流与温度的关系
脉冲
宽度
(s)
图。 9 - 触发电流和脉冲宽度
包装尺寸
以英寸（毫米）
引脚1号
3
2
1
选6
0.407 (10.36)
0.391 (9.96)
0.307 (7.8)
0.291 (7.4)
0.248 (6.30)
0.256 (6.50)
ISO方法A
4
5
6
20°
0.300 (7.62)
典型值。
0.014 (0.35)
0.010 (0.25)
0.400 (10.16)
0.430 (10.92)
0.335 (8.50)
0.343 (8.70)
0.039
(1.00 )
分钟。
0.048 (1.22)
0.052 (1.32)
0.130 (3.30)
0.150 (3.81)
18°
0.033 （ 0.84 ） （典型值） 。
0.018 (0.46)
0.020 (0.51)
i178014_1
0.033 （ 0.84 ） （典型值） 。
0.100 （ 2.54 ） TYP 。
3° - 9°
0.008 (0.20)
0.012 (0.30)
0.300到0.347
（ 7.62至
8.81)
0.130 (3.30)
0.150 (3.81)
0.028 (0.7)
选7
0.300 (7.62)
典型值
.
4°
典型值。
0.180 (4.6)
0.160 (4.1)
0.315 (8.0)
分钟。
.
0.331 (8.4)
分钟。
0.406 (10.3)
马克斯。
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VO3062 ， VO3063
威世半导体
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
特点
1500 V /μs的的dV / dt最低
A 1
C 2
NC
3
i179030
6 MT2
5
NC
ZCC *
4 MT1
600 V阻断电压
百毫安通态电流
零交叉检测器
低输入触发电流
6引脚DIP封装
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
*零交叉电路
应用
家用电器
描述
该VO3062 / 3063三端双向可控硅驱动器系列包括一个砷化镓
红外线LED光学耦合到一个单片感光
过零TRIAC检测器芯片。
在600 V阻断电压允许脱机控制
电压高达240伏交流电，与更多的安全系数比
2 ，并足以用于多达380 V.
三端双向可控硅驱动器/交流马达驱动器
电磁阀/阀门控制
办公自动化设备/机器
温度（ HVAC ） /照明控制
开关电源
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统标记U / J
CUL - 文件编号。 E52744 ，相当于CSA公告5A
DIN EN 60747-5-5 （ VDE 0884 ）可用的选项1
BSI IEC 60950
订购信息
部分
VO3063
VO3062
VO3063-X006
VO3062-X006
VO3063-X007T
VO3062-X007T
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
DIP - 6 ， ZC ， 600 V，I
ft
= 5毫安
DIP - 6 ， ZC ， 600 V，I
ft
= 10毫安
DIP - 6 400万， ZC ， 600 V，I
ft
= 5毫安
DIP - 6 400万， ZC ， 600 V，I
ft
= 10毫安
SMD - 6 ， ZC ， 600 V，I
ft
= 5毫安
SMD - 6 ， ZC ， 600 V，I
ft
= 10毫安
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流 - 连续
功耗
产量
断态输出端电压
峰值重复浪涌电流
功耗
开启状态RMS电流
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PW = 100毫秒， 120 PPS
VO3062/3063
V
DRM
I
TSM
P
DISS
I
T（ RMS ）
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
600
1
200
100
V
A
mW
mA
www.vishay.com
927
V
R
I
F
P
DISS
6
60
100
V
mA
mW
测试条件
部分
符号
价值
单位
VO3062 ， VO3063
威世半导体
绝对最大额定值
参数
耦合器
绝缘测试电压
总功耗
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
最大
≤
10 s
t=1s
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
5300
300
- 40至+ 100
- 55至+ 150
260
V
RMS
mW
°C
°C
°C
测试条件
部分
符号
价值
单位
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
120
100
负载电流（mA ）
80
I
F
= 10毫安
60
40
20
0
- 40 - 20
0
20
40
60
80
100
21353
温度（℃）
图。 1 - 通态电流（有效值）与温度的关系
记
在允许的负载电流，计算出下一个给定的操作条件，仅供参考：
LED功率：Q
E
= 0.015 W，R
BA
（ 2层） = 72 ° C / W
热特性
参数
最大LED结温
最大输出管芯结温
热阻，结发射器登
热电阻，发射极结到外壳
热阻，结探测器登上
热敏电阻，结探测器到外壳
热阻，结发射极结点探测器
热电阻，外壳到环境
测试条件
符号
T
JMAX
T
JMAX
θ
杰布
θ
JEC
θ
加多宝
θ
JDC
θ
JED
θ
CA
价值
125
125
150
139
78
103
496
3563
单位
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
记
热模型被表示在下面的热网络。在该模型中每个给定的电阻值可以被用来计算
温度在每个节点处对于一个给定的操作条件。从板的热阻至环境将依赖于印刷电路板的类型，
布局和铜线的厚度。对于热模型的详细说明，请参考Vishay的热特性
光电耦合器的应用笔记。
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VO3062 ， VO3063
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
T
A
威世半导体
θ
CA
T
C
包
θ
DC
T
JD
θ
EC
θ
DE
T
JE
θ
DB
T
B
θ
EB
θ
BA
19996
T
A
电气特性的影响
参数
输入
反向电流
正向电压
产量
泄漏与LED熄灭，任一方向
上升断态电压临界速度
耦合器
LED触发电流，
目前需要锁存输出
峰值通态电压，
任一方向
保持电流，两个方向
抑制电压（ MT1 - MT2电压
以上这些设备将不会触发）
泄漏抑制状态
IF = 10 mA（最大值） ，
额定V
DRM
，关国
I
TM
= 100 mA峰值，
I
F
=额定我
FT
VO3063
VO3062
I
FT
I
FT
V
TM
I
H
V
INH
V
DRM2
1.7
200
12
250
22
1000
5
10
3
mA
mA
V
A
V
A
V
DRM
= 600 V
V
D
= 400 V
I
DRM
dv / dt的
1500
10
2000
500
nA
V / μs的
V
R
= 6 V
I
F
= 30毫安
I
R
V
F
1.2
10
1.5
A
V
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小和最大值被测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
污染程度
符合DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分相比漏电起痕指数，
根据DIN VDE IIIa族6110 175 399
最高允许过压
最大工作绝缘电压
在25℃时的绝缘电阻
在T绝缘电阻
S
在100℃下的绝缘电阻
文档编号： 83748
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短暂
过压
反复出现的高峰期
电压
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V
测试条件
IEC 68第1部分
DIN VDE 0109
CTI
V
IOTM
V
IORM
R
IS
R
IS
R
IS
175
8000
890
≥
10
12
≥
10
9
≥
10
11
V
PEAK
V
PEAK
Ω
Ω
Ω
符号
分钟。
典型值。
40/85/21
2
马克斯。
单位
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
929
VO3062 ， VO3063
威世半导体
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
安全性和绝缘等级
参数
局部放电试验电压
安全限制值 -
在允许的最大值
故障的事件
安全额定功率
安全电流额定值
安全温度等级
从输入端测得
端至输出
终端，最短
通过空气的距离
从输入端测得
端至输出
终端，最短
距离路沿
体
测试条件
方法一，
V
pd
= V
IORM
x 1.875
符号
V
pd
P
SO
I
SI
T
SI
≥
7
分钟。
典型值。
马克斯。
1325
400
150
165
单位
V
PEAK
mW
mA
°C
mm
最小外部空气间隙（间隙）
最少的外部跟踪（爬）
≥
7
mm
记
按照IEC 60747-5-2 ， 7.4.3.8.1 ，这是光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。遵守
安全评级，由prodective电路的装置来保证。
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1.4
100
V
F
- 前进
电压
(V)
1.3
TA = - 40°C
1.2
TA = 25℃
1.1
TA =
85
°C
1.0
0.9
0.8
1
10
100
通态电流I
TM
（MA ）
80
60
40
20
0
- 20
- 40
- 60
-
80
- 100
- 2 - 1.5 - 1 - 0.5
0
0.5
1
1.5
2
19620
I
F
- 正向电流（mA ）
19605
导通状态
电压V
TM
(V)
图。 4 - 通态电流与V
TM
图。 2 - 正向电压与正向电流
1000
1.4
1.2
100
触发电流
0
20
40
60
80
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I
LKG
（ nA的）
10
1
- 40 - 20
19619
0
- 40
19621
10
60
110
温度（℃）
温度（℃）
图。 3 - 断态泄漏电流与温度的关系
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图。 5 - 归触发电流与温度的关系
文档编号： 83748
修订版1.6 ， 23 -OCT- 08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
VO3062 ， VO3063
可控硅过零，
1.5千伏/μs的的dV / dt ， 600 V
威世半导体
100
15
12
9
开启时间（μs ）
10
开启时间（μs ）
5
8
11
14
17
20
6
3
1
19618
0
- 40
19602
- 20
0
20
40
60
80
100
LED电流（mA ）
图。 6 - 导通时间与LED电流
温度（℃）
图。 8 - 开启时间与温度的关系
2.0
1.8
5.0
4.5
4.0
保持电流
1.6
I
FT
（MA ）
0
20
40
60
80
100
19609
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
- 40 - 20
3.5
3.0
2.5
2.0
20
40
60
80
100
19608
温度（℃）
图。 7 - 归保持电流与温度的关系
脉冲
宽度
(s)
图。 9 - 触发电流和脉冲宽度
包装尺寸
以英寸（毫米）
引脚1号
3
2
1
选6
0.407 (10.36)
0.391 (9.96)
0.307 (7.8)
0.291 (7.4)
0.248 (6.30)
0.256 (6.50)
ISO方法A
4
5
6
20°
0.300 (7.62)
典型值。
0.014 (0.35)
0.010 (0.25)
0.400 (10.16)
0.430 (10.92)
0.335 (8.50)
0.343 (8.70)
0.039
(1.00 )
分钟。
0.048 (1.22)
0.052 (1.32)
0.130 (3.30)
0.150 (3.81)
18°
0.033 （ 0.84 ） （典型值） 。
0.018 (0.46)
0.020 (0.51)
i178014_1
0.033 （ 0.84 ） （典型值） 。
0.100 （ 2.54 ） TYP 。
3° - 9°
0.008 (0.20)
0.012 (0.30)
0.300到0.347
（ 7.62至
8.81)
0.130 (3.30)
0.150 (3.81)
0.028 (0.7)
选7
0.300 (7.62)
典型值
.
4°
典型值。
0.180 (4.6)
0.160 (4.1)
0.315 (8.0)
分钟。
.
0.331 (8.4)
分钟。
0.406 (10.3)
马克斯。
文档编号： 83748
修订版1.6 ， 23 -OCT- 08
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