VO1263AAC/VO1263AACTR/VO1263AB
威世半导体
光伏双MOSFET驱动固态继电器
DIP
8
7
6
5
特点
高开路电压，高达14.6 V的典型
高短路电流，可达42 μA典型
隔离测试电压5300 V
RMS
逻辑兼容输入
高可靠性
铅（Pb ） -free组件
部件
in
按照
to
RoHS指令
2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
SMD
1
2
3
4
- 控制1
+控制1
- 控制2
+控制2
i179020_1
- 输出1
+输出1
- 输出2
+输出2
应用
高侧驱动器
固态继电器
浮动电源
功率控制
数据采集
吃
隔离开关
描述
该VO1263AB / AAC光电MOSFET驱动器由
的两个LED光学耦合到两个光电二极管阵列。该
光电二极管阵列提供足够的浮动源
电压和电流来驱动高功率MOSFET晶体管。
光耦合提供了高I / O隔离电压。在
为了将在MOSFET关断，外部电阻
（栅极 - 源极）所需的栅极放电。
记
见"Solid国家Relays" （应用笔记56 ）
机构认证
UL1577 ：
DIN EN ：
cUL认证：
文件编号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
60747-5-5
文件编号。 E52744 ，相当于CSA公告5A
订购信息
部分
VO1263AAC
VO1263AACTR
VO1263AB
备注
管
磁带和卷轴
管
(1)
包
SMD-8
SMD-8
DIP-8
绝对最大额定值
参数
SSR
LED输入收视率连续
正向电流
LED的额定输入电压反向
光电二极管阵列反向电压
工作温度范围
存储温度范围
引脚焊接温度
(2)
测试条件
符号
价值
单位
I
F
I
R
≤
10 A
I
R
≤
2.0 A
V
R
V
R
T
AMB
T
英镑
T = 7.0秒以内。
t为60秒分钟。
T
SLD
V
ISO
50
5.0
100
- 40至+ 100
- 40 + 150
270
5300
mA
V
V
°C
°C
°C
V
RMS
输入到输出隔离电压
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
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VO1263AAC/VO1263AACTR/VO1263AB
威世半导体
光伏双MOSFET驱动器固
固态继电器
电气特性
参数
LED正向电压
探测器反向电压
测试条件
I
F
= 10毫安
I
R
= 2.0 A
I
F
= 5.0毫安
I
F
= 10毫安
开路电压（管脚5,6或7,8）
I
F
= 15毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 5.0毫安
I
F
= 10毫安
短路电流（管脚5,6或7,8）
I
F
= 15毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 30毫安
符号
V
F
V
R（ PDA）的
V
OC
V
OC
V
OC
V
OC
V
OC
I
SC
I
SC
I
SC
I
SC
I
SC
3.0
7.5
11
15
21
10.3
分钟。
1.2
典型值。
1.3
350
13.3
13.8
14
14.3
14.6
6.0
15
22
30
42
16.5
马克斯。
1.6
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
安全性和绝缘等级
参数
气候分类（根据IEC 68部分1 ）
漏电起痕指数
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
爬电距离
间隙距离
7
7
CTI
175
8000
630
500
300
175
测试条件
符号
分钟。
典型值。
40/100/21
399
V
V
mW
mA
°C
mm
mm
马克斯。
单位
功能说明
图1列出的照明IV特性
光电二极管阵列（PDA） 。对于工作在电压低于
V
OC
时，PDA充当一个几乎恒定的电流源。该
操作的实际区域，取决于负载。
施加给LED的电流的量（引脚1和2或3个
和4）确定光的产生为PDA的量。
用于高温操作，更加LED的电流可以是
所需。
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VO1263AAC/VO1263AACTR/VO1263AB
光伏双MOSFET驱动器固
威世半导体
固态继电器
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
45
70
I
SC
- 短路电流（ μA ）
短路电流（ μA ）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
I
F
= 30毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 15毫安
I
F
= 10毫安
60
I
F
= 30毫安
50
I
F
= 20毫安
40
30
20
10
0
- 40 - 20
0
20
I
F
= 5毫安我
F
= 10毫安
I
F
= 15毫安
I
F
= 5毫安
10
12
14
16
18
19639
40
60
80
100
19751
V
OC
- 开路
电压
(V)
环境温度（ ℃）
图。 1 - 短路电流和开路电压
图。 4 - 短路电流与温度的关系
17
14
开路
电压
(V)
R
L
= 20 MΩ
16
15
14
13
12
11
10
9
- 40
- 15
10
35
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
产量
电压
(V)
12
10
8
6
4
R
L
= 500 KΩ
2
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
L
= 200 KΩ
R
L
= 10 MΩ
R
L
= 5 MΩ
R
L
= 2 MΩ
R
L
= 1 MΩ
I
F
= 50毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 20毫安
60
85
19637
LED正向电流（mA ）
19641
环境温度（ ℃）
图。 2 - 输出电压与LED电流
图。 5 - 开路电压与温度的关系
70
1.60
短路电流（ μA ）
LED正向
电压
(V)
60
50
25 °C
40
30
20
10
0
0
10
20
30
40
50
100 °C
- 40 °C
1.55
1.50
1.45
1.40
1.35
1.30
1.25
I
F
= 2毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 15毫安
0
20
40
60
80
100
1.20
- 40 - 20
19716
19638
LED正向电流（mA ）
图。 3 - 我
SC
与LED正向电流
环境温度（ ℃）
图。 6 - LED正向电压随温度的变化
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VO1263AAC/VO1263AACTR/VO1263AB
威世半导体
光伏双MOSFET驱动器固
固态继电器
1
–
通道1
控制
2
+
8
P沟道
JFET
7
2.0 MΩ
Switch1
N沟道
MOSFET的
3
通道2
控制
4
–
+
6
P沟道
JFET
5
Switch2
N沟道
MOSFET的
2.0 MΩ
ilh1262cb_09
图。 7 - 典型的双A型固态继电器的应用
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VO1263AAC/VO1263AACTR/VO1263AB
光伏双MOSFET驱动器固
威世半导体
固态继电器
包装尺寸
以英寸（毫米）
DIP
引脚1号
4
0.268 (6.81)
0.255 (6.48)
5
6
78
ISO方法A
3
2
1
0.390 (9.91)
0.379 (9.63)
0.045 (1.14)
0.030 (0.76)
4℃典型值。
0.150 (3.81)
0.130 (3.30)
0.050 (1.27)
0.022 (0.56)
0.018 (0.46)
0.100 （ 2.54 ） TYP 。
i178008
0.300 (7.62)
0.031(0.79)
典型值。
10°
0.035 (0.89)
0.020 (0.51)
3 ° 9 °
0.012 (0.30)
0.008 (0.20)
0.250 (6.35)
0.230 (5.84)
0.130 (3.30)
0.110 (2.79)
SMD
引脚1号
0.268 (6.81)
0.255 (6.48)
0.100 (2.54)
0.030 (0.76)
R 0.010 (0.25)
0.070 (1.78)
0.390 (9.91)
0.379 (9.63)
0.031 (0.79)
典型值。
0.045 (1.14)
0.030 (0.78)
0.150 (3.81)
0.130 (3.30)
半径
0.315 (8.00)
分钟。
0.435 (11.05)
0.395 (10.03)
0.375 (9.52)
0.312 (7.80)
0.298 (7.52)
0.060 (1.52)
ISO方法A
3°至7°
4°
典型值。
0.050
(1.27)
典型值。
0.008 (0.25)
0.004 (0.10)
0.100 (2.54)
典型值。
10°
0.040 (1.02)
0.020 (0.51)
0.315
(8.00)
典型值。
0.010
(2.54)
典型值。
i178009
文档编号： 84639
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