VO0600T ， VO0601T ， VO0611T ， VO0630T ， VO0631T ， VO0661T
威世半导体
高速光耦，
10 MBd的， SOIC- 8封装
特点
15 KV / μs的CMR的性能选择，
5千伏/微秒， 100伏/微秒
高速10MBd的典型
单通道
双通道
+ 5 V CMOS兼容
8
7
6
5
NC
A
C
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
V
E
V
O
GND
A1
1
C1
C2
A2
2
3
4
V
CC
V
O1
V
O2
GND
纯锡引线
保证交流和直流性能超过
温度： - 40 ° C至+ 100°C温度。范围
符合IEC 60068-2-42 （ SO
2
）和IEC 60068-2-43 （高
2
S)
需求
低输入电流能力： 5毫安
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
VO0600T ， VO0601T ， VO0611T
18921-17
VO0630T ， VO0631T ， VO0661T
描述
该VO06xxT家人单通道和双通道10兆位
光电耦合器采用高效率的输入LED加上
集成光学光电二极管集成电路检测器。该探测器
有一个开漏NMOS- transister输出，提供较少
泄漏相比，集电极开路肖特基钳位
transister输出。对于单信道类型中，使
在7脚功能可以让探测器被选通。该
内部屏蔽提供了保证共模
5千伏瞬变抗扰度/ μs的时间VO0601T和VO0631T
15 KV / μs的时间VO0611T和VO0661T 。使用一
0.1 μF旁路电容连接引脚5和8之间，
推荐使用。
应用
微处理器systemM接口
PLC ， ATE输入/输出隔离
计算机外设接口： SPI
数字现场总线隔离： CC -Link的，的DeviceNet ， PROFIBUS ，
SDS
高速A / D和D / A转换
交流电等离子体显示面板的电平移位
复用的数据传输
数字控制电源
消除接地环路
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744
CUL文件没有。 E52744 ，相当于CSA公告5A
DIN EN 60747-5-5 （ VDE 0884 ）可用的选项1
订购信息
部分
VO0600T
VO0601T
VO0611T
VO0630T
VO0631T
VO0661T
备注
100 V / μs的，单通道， SOIC- 8
5千伏/微秒，单声道， SOIC- 8
15 KV / μs的，单通道， SOIC- 8
100 V / μs的，双通道， SOIC- 8
5千伏/微秒，双通道， SOIC- 8
15 KV / μs的，双通道， SOIC- 8
真值表
（正逻辑）
LED
ON
关闭
产量
L
H
文档编号： 84607
修订版1.7 ， 06 -OCT- 08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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VO0600T ， VO0601T ， VO0611T ， VO0630T ， VO0631T ， VO0661T
威世半导体
绝对最大额定值
参数
输入
平均正向电流（单声道）
平均正向电流（双通道）
反向输入电压
使能输入电压（单声道）
使能输入电流（单声道）
浪涌电流
输出功率耗散（单声道）
输出功率耗散
（每通道为双通道）
产量
电源电压
输出电流
输出电压
输出功率耗散（单声道）
输出功率耗散
（每通道为双通道）
耦合器
绝缘测试电压
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
10秒
T = 1.0秒
V
ISO
T
英镑
T
AMB
4000
- 55至+ 150
- 40至+ 100
260
V
RMS
°C
°C
°C
1分钟最大
V
CC
I
O
V
O
P
DISS
P
DISS
7
50
7
85
60
V
mA
V
mW
mW
T = 100微秒
I
F
I
F
V
R
V
E
I
E
I
FSM
P
DISS
P
DISS
20
15
5
V
CC
+ 0.5 V
5
200
35
25
mA
mA
V
V
mA
mA
mW
mW
高速光耦，
10 MBd的， SOIC- 8封装
(1)
测试条件
符号
价值
单位
焊锡溢流温度
(2)
1分钟
260
°C
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件的焊接条件。
推荐运行条件
参数
工作温度
电源电压
输入电流低的水平
输入电流的高级别
输出上拉电阻
逻辑高电平使能电压
逻辑低电压启动
扇出
R
L
= 1 kΩ
测试条件
符号
T
AMB
V
CC
I
FL
I
FH
R
L
V
EH
V
EL
N
分钟。
- 40
4.5
0
5
330
2.0
0.0
典型值。
马克斯。
100
5.5
250
15
4K
V
CC
0.8
5
单位
°C
V
A
mA
Ω
V
V
-
电气特性
参数
输入
输入正向电压
反向电流
输入电容
I
F
= 10毫安
V
R
= 5 V
F = 1MHz时， V
F
= 0 V
V
F
I
R
C
I
1.1
1.4
0.01
55
1.7
10
V
A
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
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修订版1.7 ， 06 -OCT- 08
VO0600T ， VO0601T ， VO0611T ， VO0630T ， VO0631T ， VO0661T
高速光耦，
10 MBd的， SOIC- 8封装
电气特性
参数
产量
高水平的电源电流（单声道）
高水平的电源电流（双通道）
低电平电源电流（单声道）
低电平电源电流（双通道）
高电平输出电流
低电平输出电压
输入阈值电流
高级别使电流
低电平使电流
高级别启用电压
低电平使能电压
V
E
= 0.5 V，I
F
= 0毫安
V
E
= V
CC
, I
F
= 0毫安
I
F
= 10毫安
V
E
= 0.5 V，I
F
= 10毫安
V
E
= V
CC
, I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
V
E
= 2.0 V, V
O
= 5.5 V,
I
F
= 250 A
V
E
= 2.0 V，I
F
= 5毫安，
I
OL
（沉没）= 13毫安
V
E
= 2.0 V, V
O
= 5.5 V,
I
OL
（沉没）= 13毫安
I
CCH
I
CCH
I
CCH
I
CCL
I
CCL
I
CCL
I
OH
V
OL
I
TH
I
EH
I
EL
V
EH
V
EL
2.0
0.8
4.1
3.3
6.5
4.0
3.3
6.5
0.002
0.2
2.4
- 0.6
- 0.8
7.0
6.0
12.0
7.0
6.0
12.0
1
0.6
5.0
- 1.6
- 1.6
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
V
mA
mA
mA
V
V
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
威世半导体
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
开关特性
参数
传播延迟时间的高
输出电平
传播延迟时间的低
输出电平
脉冲宽度失真
传播延迟偏斜
输出上升时间（10至90％）
输出的下降时间（ 9010 ％）
传播延迟时间
从V启用
EH
到V
EL
传播延迟时间
从V启用
EL
到V
EH
测试条件
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的，
V
EL
= 0 V, V
EH
= 3 V
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的，
V
EL
= 0 V, V
EH
= 3 V
符号
t
PLH
t
PHL
|t
PHL
- t
PLH
|
t
PSK
t
r
t
f
t
ELH
t
EHL
分钟。
20
25
典型值。
48
50
2.9
8
23
7
12
11
马克斯。
100
100
35
40
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
记
在推荐的温度（T
A
= - 40 ° C至+ 100 ° C） ，V
CC
= 5 V，I
F
=除非另有规定编7.5毫安。
所有的标准结构在T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5 V.
V
CC
单通道
PULSE GEN 。
Z
o
= 50
Ω
t
f
= t
r
= 5纳秒
输入I
F
监测
节点
R
M
1
I
F
2
3
4
GND
V
CC
8
V
E
7
V
OUT
6
5
R
L
0.1
F
绕行
输入I
F
产量
V
O
监测
节点
C
L
= 15 pF的
t
PHL
探头和夹具电容包括C语言
L
t
PLH
18964-2
I
F
= 7.5毫安
I
F
= 3.75毫安
0毫安
V
OH
1.5
V
V
OL
产量
V
O
图。 1 - 单通道测试电路吨
PLH
, t
PHL
, t
r
和T
f
文档编号： 84607
修订版1.7 ， 06 -OCT- 08
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VO0600T ， VO0601T ， VO0611T ， VO0630T ， VO0631T ， VO0661T
威世半导体
高速光耦，
10 MBd的， SOIC- 8封装
PULSE GEN 。
Z
o
= 50
Ω
t
f
= t
r
= 5纳秒
I
F
1
输入
监测
节点
R
M
2
3
4
18963-3
V
CC
8
R
L
7
6
5
0.1
F
绕行
产量
V
O
监测
节点
C
L
= 15 pF的
图。 2 - 双通道测试电路吨
PLH
, t
PHL
, t
r
和T
f
PULSE GEN 。
Z
o
= 50
Ω
t
f
= t
r
= 5纳秒
1
7.5毫安
I
F
2
3
4
输入
V
E
监视节点
单通道
V
CC
8
V
E
7
V
OUT
6
GND
5
V
CC
RL
0.1
F
绕行
产量
V
O
监测
节点
C
L
= 15 pF的
输入
V
E
t
EHL
t
ELH
产量
V
O
3
V
1.5
V
1.5
V
探头和夹具电容包括C语言
L
图。 3 - 单通道测试电路吨
EHL
, t
ELH
18975-2
共模瞬态抗扰度
参数
测试条件
|V
CM
| = 10 V, V
CC
= 5 V，I
F
= 0 mA时，
V
O（分钟）
= 2 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(1)
共模瞬态抗扰度
（高）
|V
CM
| = 50 V, V
CC
= 5 V，I
F
= 0 mA时，
V
O（分钟）
= 2 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(2)
|V
CM
| = 1千伏，V
CC
= 5 V，I
F
= 0 mA时，
V
O（分钟）
= 2 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(3)
|V
CM
| = 10 V, V
CC
= 5 V，I
F
= 7.5毫安，
V
O（最大值）
= 0.8 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(1)
共模瞬态抗扰度
（低）
|V
CM
| = 50 V, V
CC
= 5 V，I
F
= 7.5毫安，
V
O（最大值）
= 0.8 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(2)
|V
CM
| = 1千伏，V
CC
= 5 V，I
F
= 7.5毫安，
V
O（最大值）
= 0.8 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(3)
笔记
(1)
对于VO0600T和VO0630T
(2)
对于VO0601T和VO0631T
(3)
对于VO0611T和VO0661T
符号
|厘米
H
|
|厘米
H
|
|厘米
H
|
|厘米
L
|
|厘米
L
|
|厘米
L
|
分钟。
100
5000
15000
100
5000
15000
10000
25000
10000
25000
典型值。
马克斯。
单位
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
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如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 84607
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VO0600T ， VO0601T ， VO0611T ， VO0630T ， VO0631T ， VO0661T
高速光耦，
10 MBd的， SOIC- 8封装
威世半导体
V
CC
I
F
1
B
A
V
FF
2
3
4
GND
单通道
V
CC
8
V
E
7
6
5
V
O
0.5
V
R
L
0.1
F
绕行
产量
V
O
监测
节点
V
CM
0
V
V
O
5
V
V
CM
（峰值）
开关AT A ：我
F
= 0毫安
V
O
（分）
开关AT A ：我
F
= 7.5毫安
V
O
（ MAX 。 ）
CM
H
V
OUT
CM
L
V
CM
+
-
脉冲发生器
Z
O
= 50
Ω
图。 4 - 单通道测试电路的共模瞬态抗扰度
18976-2
I
F
双通道
B
1
A
2
V
FF
3
4
GND
V
CM
+
-
脉冲发生器
Z
O
= 50
Ω
7
6
5
V
CC
8
V
CC
R
L
0.1
F
绕行
产量
V
O
监测
节点
18977-1
图。 5 - 双通道测试电路的共模瞬态抗扰度
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
漏电起痕指数
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
爬电距离
净空
绝缘厚度
4
4
0.2
CTI
175
6000
560
350
150
165
测试条件
符号
分钟。
典型值。
55/100/21
399
V
V
mW
mA
°C
mm
mm
mm
马克斯。
单位
记
按照IEC 60747-5-2 ， 7.4.3.8.1 ，这是光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。遵守
安全评级，由prodective电路的装置来保证。
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VO0600T/VO0601T/VO0611T/VO0630T/VO0631T/VO0661T
威世半导体
高速光耦，
10 MBd的， SOIC- 8封装
特点
15 KV / μs的CMR的性能选择，
5千伏/微秒， 100伏/微秒
高速10MBd的典型
单通道
双通道
+ 5 V CMOS兼容
8
7
6
5
NC
A
C
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
V
E
V
O
GND
A1
1
C1
C2
A2
2
3
4
V
CC
V
O1
V
O2
GND
纯锡引线
保证交流和直流性能超过
温度： - 40 ° C至+ 100°C温度。范围
符合IEC 60068-2-42 （ SO
2
）和IEC 60068-2-43 （高
2
S)
需求
低输入电流能力： 5毫安
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
VO0600T ， VO0601T ， VO0611T
18921-17
VO0630T ， VO0631T ， VO0661T
描述
该VO06xxT家人单通道和双通道10兆位
光电耦合器采用高效率的输入LED加上
集成光学光电二极管集成电路检测器。该探测器
有一个开漏NMOS- transister输出，提供较少
泄漏相比，集电极开路肖特基钳位
transister输出。对于单信道类型中，使
在7脚功能可以让探测器被选通。该
内部屏蔽提供了保证共模
5千伏瞬变抗扰度/ μs的时间VO0601T和VO0631T
15 KV / μs的时间VO0611T和VO0661T 。使用一
0.1 μF旁路电容连接引脚5和8之间，
推荐使用。
应用
微处理器systemM接口
PLC ， ATE输入/输出隔离
计算机外设接口： SPI
数字现场总线隔离： CC -Link的，的DeviceNet ， PROFIBUS ，
SDS
高速A / D和D / A转换
交流电等离子体显示面板的电平移位
复用的数据传输
数字控制电源
消除接地环路
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744
CUL文件没有。 E52744 ，相当于CSA公告5A
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ）可用的选项1
订购信息
部分
VO0600T
VO0601T
VO0611T
VO0630T
VO0631T
VO0661T
备注
100 V / μs的，单通道， SOIC- 8
5千伏/微秒，单声道， SOIC- 8
15 KV / μs的，单通道， SOIC- 8
100 V / μs的，双通道， SOIC- 8
5千伏/微秒，双通道， SOIC- 8
15 KV / μs的，双通道， SOIC- 8
真值表
（正逻辑）
LED
ON
关闭
产量
L
H
文档编号： 84607
1.6修订版， 3月14日08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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907
VO0600T/VO0601T/VO0611T/VO0630T/VO0631T/VO0661T
威世半导体
绝对最大额定值
参数
输入
平均正向电流（单声道）
平均正向电流（双通道）
反向输入电压
使能输入电压（单声道）
使能输入电流（单声道）
浪涌电流
输出功率耗散（单声道）
输出功率耗散
（每通道为双通道）
产量
电源电压
输出电流
输出电压
输出功率耗散（单声道）
输出功率耗散
（每通道为双通道）
耦合器
绝缘测试电压
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
10秒
T = 1.0秒
V
ISO
T
英镑
T
AMB
4000
- 55至+ 150
- 40至+ 100
260
V
RMS
°C
°C
°C
1分钟最大
V
CC
I
O
V
O
P
DISS
P
DISS
7
50
7
85
60
V
mA
V
mW
mW
T = 100微秒
I
F
I
F
V
R
V
E
I
E
I
FSM
P
DISS
P
DISS
20
15
5
V
CC
+ 0.5 V
5
200
35
25
mA
mA
V
V
mA
mA
mW
mW
高速光耦，
10 MBd的， SOIC- 8封装
(1)
测试条件
符号
价值
单位
焊锡溢流温度
(2)
1分钟
260
°C
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件的焊接条件。
推荐运行条件
参数
工作温度
电源电压
输入电流低的水平
输入电流的高级别
输出上拉电阻
逻辑高电平使能电压
逻辑低电压启动
扇出
R
L
= 1 kΩ
测试条件
符号
T
AMB
V
CC
I
FL
I
FH
R
L
V
EH
V
EL
N
分钟。
- 40
4.5
0
5
330
2.0
0.0
典型值。
马克斯。
100
5.5
250
15
4K
V
CC
0.8
5
单位
°C
V
A
mA
Ω
V
V
-
电气特性
参数
输入
输入正向电压
反向电流
输入电容
I
F
= 10毫安
V
R
= 5 V
F = 1MHz时， V
F
= 0 V
V
F
I
R
C
I
1.1
1.4
0.01
55
1.7
10
V
A
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
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如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 84607
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VO0600T/VO0601T/VO0611T/VO0630T/VO0631T/VO0661T
高速光耦，
10 MBd的， SOIC- 8封装
电气特性
参数
产量
高水平的电源电流（单声道）
高水平的电源电流（双通道）
低电平电源电流（单声道）
低电平电源电流（双通道）
高电平输出电流
低电平输出电压
输入阈值电流
高级别使电流
低电平使电流
高级别启用电压
低电平使能电压
V
E
= 0.5 V，I
F
= 0毫安
V
E
= V
CC
, I
F
= 0毫安
I
F
= 10毫安
V
E
= 0.5 V，I
F
= 10毫安
V
E
= V
CC
, I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
V
E
= 2.0 V, V
O
= 5.5 V,
I
F
= 250 A
V
E
= 2.0 V，I
F
= 5毫安，
I
OL
（沉没）= 13毫安
V
E
= 2.0 V, V
O
= 5.5 V,
I
OL
（沉没）= 13毫安
I
CCH
I
CCH
I
CCH
I
CCL
I
CCL
I
CCL
I
OH
V
OL
I
TH
I
EH
I
EL
V
EH
V
EL
2.0
0.8
4.1
3.3
6.5
4.0
3.3
6.5
0.002
0.2
2.4
- 0.6
- 0.8
7.0
6.0
12.0
7.0
6.0
12.0
1
0.6
5.0
- 1.6
- 1.6
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
V
mA
mA
mA
V
V
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
威世半导体
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
开关特性
参数
传播延迟时间的高
输出电平
传播延迟时间的低
输出电平
脉冲宽度失真
传播延迟偏斜
输出上升时间（10至90％）
输出的下降时间（ 9010 ％）
传播延迟时间
从V启用
EH
到V
EL
传播延迟时间
从V启用
EL
到V
EH
测试条件
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的，
V
EL
= 0 V, V
EH
= 3 V
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的，
V
EL
= 0 V, V
EH
= 3 V
符号
t
PLH
t
PHL
|t
PHL
- t
PLH
|
t
PSK
t
r
t
f
t
ELH
t
EHL
分钟。
20
25
典型值。
48
50
2.9
8
23
7
12
11
马克斯。
100
100
35
40
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
记
在推荐的温度（T
A
= - 40 ° C至+ 100 ° C） ，V
CC
= 5 V，I
F
=除非另有规定编7.5毫安。
所有的标准结构在T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5 V.
V
CC
单通道
PULSE GEN 。
Z
o
= 50
Ω
t
f
= t
r
= 5纳秒
输入I
F
监测
点头
e
R
M
1
I
F
2
3
4
GND
V
CC
8
V
E
7
V
OUT
6
5
R
L
0.1
F
绕行
输入I
F
产量
V
O
监测
节点
C
L
= 15 pF的
t
PHL
探头和夹具电容包括C语言
L
t
PLH
18964-2
I
F
= 7.5毫安
I
F
= 3.75毫安
0毫安
V
OH
1.5
V
V
OL
产量
V
O
图。 1 - 单通道测试电路吨
PLH
, t
PHL
, t
r
和T
f
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VO0600T/VO0601T/VO0611T/VO0630T/VO0631T/VO0661T
威世半导体
高速光耦，
10 MBd的， SOIC- 8封装
PULSE GEN 。
Z
o
= 50
Ω
t
f
= t
r
= 5纳秒
I
F
1
输入
监测
节点
R
M
2
3
4
18963-3
V
CC
8
R
L
7
6
5
0.1
F
绕行
产量
V
O
监测
节点
C
L
= 15 pF的
图。 2 - 双通道测试电路吨
PLH
, t
PHL
, t
r
和T
f
PULSE GEN 。
Z
o
= 50
Ω
t
f
= t
r
= 5纳秒
1
7.5毫安
I
F
2
3
4
输入
V
E
监测
节点
单通道
V
CC
8
V
E
7
V
OUT
6
GND
5
V
CC
RL
0.1
F
绕行
产量
V
O
监测
节点
C
L
= 15 pF的
输入
V
E
t
EHL
t
ELH
产量
V
O
3
V
1.5
V
1.5
V
探头和夹具电容包括C语言
L
图。 3 - 单通道测试电路吨
EHL
, t
ELH
18975-2
共模瞬态抗扰度
参数
测试条件
|V
CM
| = 10 V, V
CC
= 5 V，I
F
= 0 mA时，
V
O（分钟）
= 2 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(1)
共模瞬态抗扰度
（高）
|V
CM
| = 50 V, V
CC
= 5 V，I
F
= 0 mA时，
V
O（分钟）
= 2 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(2)
|V
CM
| = 1千伏，V
CC
= 5 V，I
F
= 0 mA时，
V
O（分钟）
= 2 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(3)
|V
CM
| = 10 V, V
CC
= 5 V，I
F
= 7.5毫安，
V
O（最大值）
= 0.8 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(1)
共模瞬态抗扰度
（低）
|V
CM
| = 50 V, V
CC
= 5 V，I
F
= 7.5毫安，
V
O（最大值）
= 0.8 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(2)
|V
CM
| = 1千伏，V
CC
= 5 V，I
F
= 7.5毫安，
V
O（最大值）
= 0.8 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(3)
笔记
(1)
对于VO0600T和VO0630T
(2)
对于VO0601T和VO0631T
(3)
对于VO0611T和VO0661T
符号
|厘米
H
|
|厘米
H
|
|厘米
H
|
|厘米
L
|
|厘米
L
|
|厘米
L
|
分钟。
100
5000
15000
100
5000
15000
10000
25000
10000
25000
典型值。
马克斯。
单位
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
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VO0600T/VO0601T/VO0611T/VO0630T/VO0631T/VO0661T
高速光耦，
10 MBd的， SOIC- 8封装
威世半导体
V
CC
I
F
1
B
A
V
FF
2
3
4
GND
单通道
V
CC
8
V
E
7
6
5
V
O
0.5
V
R
L
0.1
F
绕行
产量
V
O
监测
节点
V
CM
0
V
V
O
5
V
V
CM
（峰值）
开关AT A ：我
F
= 0毫安
V
O
（分）
开关AT A ：我
F
= 7.5毫安
V
O
（ MAX 。 ）
CM
H
V
OUT
CM
L
V
CM
+
-
脉冲发生器
Z
O
= 50
Ω
图。 4 - 单通道测试电路的共模瞬态抗扰度
18976-2
I
F
双通道
B
1
A
2
V
FF
3
4
GND
7
6
5
V
CC
8
V
CC
R
L
0.1
F
绕行
产量
V
O
监测
节点
18977-1
V
CM
+
-
脉冲发生器
Z
O
= 50
Ω
图。 5 - 双通道测试电路的共模瞬态抗扰度
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
漏电起痕指数
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
爬电距离
净空
保温层厚度，钢筋额定
符合IEC 60950 2.10.5.1
4
4
0.2
CTI
175
6000
560
350
150
165
测试条件
符号
分钟。
典型值。
55/100/21
399
V
V
mW
mA
°C
mm
mm
mm
马克斯。
单位
记
按照IEC 60747-5-2 ， 7.4.3.8.1 ，这是光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。遵守
安全评级，由prodective电路的装置来保证。
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VO0600T/VO0601T/VO0611T/VO0630T/VO0631T/VO0661T
威世半导体
高速光耦，
10 MBd的， SOIC- 8封装
特点
15 KV / μs的CMR的性能选择，
5千伏/微秒， 100伏/微秒
高速10MBd的典型
单通道
双通道
+ 5 V CMOS兼容
8
7
6
5
NC
A
C
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
V
E
V
O
GND
A1
1
C1
C2
A2
2
3
4
V
CC
V
O1
V
O2
GND
纯锡引线
保证交流和直流性能超过
温度： - 40 ° C至+ 100°C温度。范围
符合IEC 60068-2-42 （ SO
2
）和IEC 60068-2-43 （高
2
S)
需求
低输入电流能力： 5毫安
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
VO0600T ， VO0601T ， VO0611T
18921-17
VO0630T ， VO0631T ， VO0661T
描述
该VO06xxT家人单通道和双通道10兆位
光电耦合器采用高效率的输入LED加上
集成光学光电二极管集成电路检测器。该探测器
有一个开漏NMOS- transister输出，提供较少
泄漏相比，集电极开路肖特基钳位
transister输出。对于单信道类型中，使
在7脚功能可以让探测器被选通。该
内部屏蔽提供了保证共模
5千伏瞬变抗扰度/ μs的时间VO0601T和VO0631T
15 KV / μs的时间VO0611T和VO0661T 。使用一
0.1 μF旁路电容连接引脚5和8之间，
推荐使用。
应用
微处理器systemM接口
PLC ， ATE输入/输出隔离
计算机外设接口： SPI
数字现场总线隔离： CC -Link的，的DeviceNet ， PROFIBUS ，
SDS
高速A / D和D / A转换
交流电等离子体显示面板的电平移位
复用的数据传输
数字控制电源
消除接地环路
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744
CUL文件没有。 E52744 ，相当于CSA公告5A
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ）可用的选项1
订购信息
部分
VO0600T
VO0601T
VO0611T
VO0630T
VO0631T
VO0661T
备注
100 V / μs的，单通道， SOIC- 8
5千伏/微秒，单声道， SOIC- 8
15 KV / μs的，单通道， SOIC- 8
100 V / μs的，双通道， SOIC- 8
5千伏/微秒，双通道， SOIC- 8
15 KV / μs的，双通道， SOIC- 8
真值表
（正逻辑）
LED
ON
关闭
产量
L
H
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VO0600T/VO0601T/VO0611T/VO0630T/VO0631T/VO0661T
威世半导体
绝对最大额定值
参数
输入
平均正向电流（单声道）
平均正向电流（双通道）
反向输入电压
使能输入电压（单声道）
使能输入电流（单声道）
浪涌电流
输出功率耗散（单声道）
输出功率耗散
（每通道为双通道）
产量
电源电压
输出电流
输出电压
输出功率耗散（单声道）
输出功率耗散
（每通道为双通道）
耦合器
绝缘测试电压
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
10秒
T = 1.0秒
V
ISO
T
英镑
T
AMB
4000
- 55至+ 150
- 40至+ 100
260
V
RMS
°C
°C
°C
1分钟最大
V
CC
I
O
V
O
P
DISS
P
DISS
7
50
7
85
60
V
mA
V
mW
mW
T = 100微秒
I
F
I
F
V
R
V
E
I
E
I
FSM
P
DISS
P
DISS
20
15
5
V
CC
+ 0.5 V
5
200
35
25
mA
mA
V
V
mA
mA
mW
mW
高速光耦，
10 MBd的， SOIC- 8封装
(1)
测试条件
符号
价值
单位
焊锡溢流温度
(2)
1分钟
260
°C
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件的焊接条件。
推荐运行条件
参数
工作温度
电源电压
输入电流低的水平
输入电流的高级别
输出上拉电阻
逻辑高电平使能电压
逻辑低电压启动
扇出
R
L
= 1 kΩ
测试条件
符号
T
AMB
V
CC
I
FL
I
FH
R
L
V
EH
V
EL
N
分钟。
- 40
4.5
0
5
330
2.0
0.0
典型值。
马克斯。
100
5.5
250
15
4K
V
CC
0.8
5
单位
°C
V
A
mA
Ω
V
V
-
电气特性
参数
输入
输入正向电压
反向电流
输入电容
I
F
= 10毫安
V
R
= 5 V
F = 1MHz时， V
F
= 0 V
V
F
I
R
C
I
1.1
1.4
0.01
55
1.7
10
V
A
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
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文档编号： 84607
1.6修订版， 3月14日08
VO0600T/VO0601T/VO0611T/VO0630T/VO0631T/VO0661T
高速光耦，
10 MBd的， SOIC- 8封装
电气特性
参数
产量
高水平的电源电流（单声道）
高水平的电源电流（双通道）
低电平电源电流（单声道）
低电平电源电流（双通道）
高电平输出电流
低电平输出电压
输入阈值电流
高级别使电流
低电平使电流
高级别启用电压
低电平使能电压
V
E
= 0.5 V，I
F
= 0毫安
V
E
= V
CC
, I
F
= 0毫安
I
F
= 10毫安
V
E
= 0.5 V，I
F
= 10毫安
V
E
= V
CC
, I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
V
E
= 2.0 V, V
O
= 5.5 V,
I
F
= 250 A
V
E
= 2.0 V，I
F
= 5毫安，
I
OL
（沉没）= 13毫安
V
E
= 2.0 V, V
O
= 5.5 V,
I
OL
（沉没）= 13毫安
I
CCH
I
CCH
I
CCH
I
CCL
I
CCL
I
CCL
I
OH
V
OL
I
TH
I
EH
I
EL
V
EH
V
EL
2.0
0.8
4.1
3.3
6.5
4.0
3.3
6.5
0.002
0.2
2.4
- 0.6
- 0.8
7.0
6.0
12.0
7.0
6.0
12.0
1
0.6
5.0
- 1.6
- 1.6
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
V
mA
mA
mA
V
V
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
威世半导体
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
开关特性
参数
传播延迟时间的高
输出电平
传播延迟时间的低
输出电平
脉冲宽度失真
传播延迟偏斜
输出上升时间（10至90％）
输出的下降时间（ 9010 ％）
传播延迟时间
从V启用
EH
到V
EL
传播延迟时间
从V启用
EL
到V
EH
测试条件
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的，
V
EL
= 0 V, V
EH
= 3 V
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的，
V
EL
= 0 V, V
EH
= 3 V
符号
t
PLH
t
PHL
|t
PHL
- t
PLH
|
t
PSK
t
r
t
f
t
ELH
t
EHL
分钟。
20
25
典型值。
48
50
2.9
8
23
7
12
11
马克斯。
100
100
35
40
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
记
在推荐的温度（T
A
= - 40 ° C至+ 100 ° C） ，V
CC
= 5 V，I
F
=除非另有规定编7.5毫安。
所有的标准结构在T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5 V.
V
CC
单通道
PULSE GEN 。
Z
o
= 50
Ω
t
f
= t
r
= 5纳秒
输入I
F
监测
点头
e
R
M
1
I
F
2
3
4
GND
V
CC
8
V
E
7
V
OUT
6
5
R
L
0.1
F
绕行
输入I
F
产量
V
O
监测
节点
C
L
= 15 pF的
t
PHL
探头和夹具电容包括C语言
L
t
PLH
18964-2
I
F
= 7.5毫安
I
F
= 3.75毫安
0毫安
V
OH
1.5
V
V
OL
产量
V
O
图。 1 - 单通道测试电路吨
PLH
, t
PHL
, t
r
和T
f
文档编号： 84607
1.6修订版， 3月14日08
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VO0600T/VO0601T/VO0611T/VO0630T/VO0631T/VO0661T
威世半导体
高速光耦，
10 MBd的， SOIC- 8封装
PULSE GEN 。
Z
o
= 50
Ω
t
f
= t
r
= 5纳秒
I
F
1
输入
监测
节点
R
M
2
3
4
18963-3
V
CC
8
R
L
7
6
5
0.1
F
绕行
产量
V
O
监测
节点
C
L
= 15 pF的
图。 2 - 双通道测试电路吨
PLH
, t
PHL
, t
r
和T
f
PULSE GEN 。
Z
o
= 50
Ω
t
f
= t
r
= 5纳秒
1
7.5毫安
I
F
2
3
4
输入
V
E
监测
节点
单通道
V
CC
8
V
E
7
V
OUT
6
GND
5
V
CC
RL
0.1
F
绕行
产量
V
O
监测
节点
C
L
= 15 pF的
输入
V
E
t
EHL
t
ELH
产量
V
O
3
V
1.5
V
1.5
V
探头和夹具电容包括C语言
L
图。 3 - 单通道测试电路吨
EHL
, t
ELH
18975-2
共模瞬态抗扰度
参数
测试条件
|V
CM
| = 10 V, V
CC
= 5 V，I
F
= 0 mA时，
V
O（分钟）
= 2 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(1)
共模瞬态抗扰度
（高）
|V
CM
| = 50 V, V
CC
= 5 V，I
F
= 0 mA时，
V
O（分钟）
= 2 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(2)
|V
CM
| = 1千伏，V
CC
= 5 V，I
F
= 0 mA时，
V
O（分钟）
= 2 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(3)
|V
CM
| = 10 V, V
CC
= 5 V，I
F
= 7.5毫安，
V
O（最大值）
= 0.8 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(1)
共模瞬态抗扰度
（低）
|V
CM
| = 50 V, V
CC
= 5 V，I
F
= 7.5毫安，
V
O（最大值）
= 0.8 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(2)
|V
CM
| = 1千伏，V
CC
= 5 V，I
F
= 7.5毫安，
V
O（最大值）
= 0.8 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(3)
笔记
(1)
对于VO0600T和VO0630T
(2)
对于VO0601T和VO0631T
(3)
对于VO0611T和VO0661T
符号
|厘米
H
|
|厘米
H
|
|厘米
H
|
|厘米
L
|
|厘米
L
|
|厘米
L
|
分钟。
100
5000
15000
100
5000
15000
10000
25000
10000
25000
典型值。
马克斯。
单位
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
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VO0600T/VO0601T/VO0611T/VO0630T/VO0631T/VO0661T
高速光耦，
10 MBd的， SOIC- 8封装
威世半导体
V
CC
I
F
1
B
A
V
FF
2
3
4
GND
单通道
V
CC
8
V
E
7
6
5
V
O
0.5
V
R
L
0.1
F
绕行
产量
V
O
监测
节点
V
CM
0
V
V
O
5
V
V
CM
（峰值）
开关AT A ：我
F
= 0毫安
V
O
（分）
开关AT A ：我
F
= 7.5毫安
V
O
（ MAX 。 ）
CM
H
V
OUT
CM
L
V
CM
+
-
脉冲发生器
Z
O
= 50
Ω
图。 4 - 单通道测试电路的共模瞬态抗扰度
18976-2
I
F
双通道
B
1
A
2
V
FF
3
4
GND
7
6
5
V
CC
8
V
CC
R
L
0.1
F
绕行
产量
V
O
监测
节点
18977-1
V
CM
+
-
脉冲发生器
Z
O
= 50
Ω
图。 5 - 双通道测试电路的共模瞬态抗扰度
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
漏电起痕指数
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
爬电距离
净空
保温层厚度，钢筋额定
符合IEC 60950 2.10.5.1
4
4
0.2
CTI
175
6000
560
350
150
165
测试条件
符号
分钟。
典型值。
55/100/21
399
V
V
mW
mA
°C
mm
mm
mm
马克斯。
单位
记
按照IEC 60747-5-2 ， 7.4.3.8.1 ，这是光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。遵守
安全评级，由prodective电路的装置来保证。
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