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VNW100N04
“ OMNIFET ” ：
岗AUTOPROTECTED功率MOSFET
初步数据
TYPE
VNW100N04
s
s
s
s
s
s
V
钳
42 V
R
DS （ ON）
0.012
I
升IM
100 A
s
s
s
s
线性电流限制
热关机
短路保护
综合CLAMP
低电流消耗在输入PIN
诊断反馈通过投入
针
ESD保护
直接进入之门
功率MOSFET （模拟驱动）
兼容标准电源
MOSFET
标准的TO - 247封装
3
2
1
TO-247
描述
该VNW100N04是一个单片器件制造
通过SGS - THOMSON垂直智能电源
M0技术，用于更换
标准功率MOSFET中的DC至50KHz
应用程序。内置热关断，线性
框图
电流限制和过压钳位保护
该芯片在恶劣环境。
故障的反馈可以通过监视来检测
电压在输入引脚。
1997年11月
1/11
VNW100N04
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
in
I
D
I
R
V
ESD
P
给T
T
j
T
c
T
ST克
参数
漏源电压（V
in
= 0)
输入电压
漏电流
反向DC 本安输出电流
静电放电（ C = 100 pF的， R = 1.5 KΩ ）
总功耗在T
c
= 25 C
工作结牛逼emperature
案例操作时间emperature
储存温度
o
价值
内部钳位
18
内部限制
-100
2000
208
内部限制
内部限制
-55到150
单位
V
V
A
A
V
W
o
o
o
C
C
C
热数据
R
吨HJ -CA SE
R
吨hj- AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
0.6
30
o
o
C / W
C / W
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
SYMB OL
V
钳
V
CL TH
V
我NCL
I
DSS
I
我是SS
参数
漏极 - 源极钳位
电压
漏极 - 源极钳位
阈值电压
输入源反向
钳位电压
零输入电压
漏电流（V
in
= 0)
从供电电流
输入引脚
I
D
= 50 A
I
D
= 2毫安
I
in
= -1毫安
V
DS
= 13 V
V
DS
= 25 V
V
DS
= 0 V
V
in
= 0
V
in
= 0
V
in
= 10 V
250
测试电导率银行足球比赛s
V
in
= 0
V
in
= 0
分钟。
36
35
-1
-0.3
50
200
500
典型值。
42
马克斯。
48
取消它
V
V
V
A
A
A
开（ *）
SYMB OL
V
IN（日）
R
DS （ ON）
参数
输入阈值
电压
静态漏源
阻力
V
DS
= V
in
V
I N
= 10 V
V
I N
= 5 V
测试电导率银行足球比赛s
I
D
+ Ii
n
= 1毫安
I
D
= 50 A
I
D
= 50 A
分钟。
0.8
典型值。
马克斯。
3
0.012
0.015
取消它
V
动态
SYMB OL
g
fs
()
C
OSS
参数
前锋
跨
输出电容
测试电导率银行足球比赛s
V
DS
= 13 V
V
DS
= 13 V
I
D
= 50 A
F = 1 MHz的
V
in
= 0
分钟。
40
典型值。
60
2000
3000
马克斯。
取消它
S
pF
2/11
VNW100N04
电气特性
（续）
开关（**）
SYMB OL
t
D（上）
t
r
t
（六中）D
t
f
t
D（上）
t
r
t
（六中）D
t
f
（ di / dt的）
on
Q
i
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
秋季牛逼IME
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
秋季牛逼IME
导通电流斜率
总的输入充电
测试电导率银行足球比赛s
V
DD
= 15 V
V
根
= 10 V
（参见图3）
V
DD
= 15 V
V
根
= 10 V
（参见图3）
V
DD
= 15 V
V
I N
= 10 V
V
DD
= 15 V
I
d
= 50 A
R
根
= 10
分钟。
典型值。
110
500
1000
600
2.2
3.5
22
12
55
190
马克斯。
250
900
1800
1000
3.5
6
30
18
取消它
ns
ns
ns
ns
s
s
s
s
A / μs的
nC
I
d
= 50 A
R
根
= 1000
I
D
= 50 A
R
根
= 10
I
D
= 50 A
V
I N
= 10 V
源漏二极管
SYMB OL
V
SD
()
t
r r
()
Q
r r
()
I
RRM
()
参数
转移O N个电压
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 50 A
测试电导率银行足球比赛s
V
in
= 0
800
5
15
分钟。
典型值。
马克斯。
1.6
取消它
V
ns
C
A
I
SD
= 50 A
的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 30 V
T
j
= 25
o
C
（见测试电路，图5 ）
保护
SYMB OL
I
LIM
t
DL IM
()
T
JSH
()
T
RS
()
I
gf
()
E
as
()
参数
漏电流限制
阶跃响应
电流限制
过热
关闭
过热复位
故障灌电流
单脉冲
雪崩能量
V
I N
= 10 V
V
I N
= 5 V
V
DS
= 13 V
V
DS
= 13 V
4
V
I N
= 10 V
V
I N
= 5 V
V
I N
= 10 V
V
I N
= 5 V
170
155
50
20
测试电导率银行足球比赛s
V
DS
= 13 V
V
DS
= 13 V
分钟。
70
70
典型值。
100
100
50
130
马克斯。
140
140
80
200
取消它
A
A
s
s
o
C
C
o
mA
mA
J
起始物为
j
= 25
o
C
V
DD
= 20 V
V
I N
= 10 V R
根
= 1 KΩ L = 10毫亨
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ** ）设计/特性保证参数
3/11
VNW100N04
保护功能
在正常操作时，输入引脚
电连接到所述内部的栅
功率MOSFET 。那么该设备就像一个
标准功率MOSFET ，并且可以用作
切换从直流到50KHz 。唯一的区别
从用户的观点看是一个小的直流
电流（I
国际空间站
）流入输入引脚，以
供给内部电路。
该器件集成：
-
过热和短路
保护：这些都是基于传感
芯片的温度，并且不依赖于
输入电压。感测的位置
在功率级区域中的芯片上的元件
确保快速，准确的检测结
温度。温度熔断器发生在
最低170
o
C.该设备是自动
当芯片温度下降重新启动
155以下
o
C.
-
过压
钳
保护：
内部设定为42V ，随着崎岖
电源的雪崩特性
MOSFET级给这个设备无可比拟
耐用性和能量处理能力。
开车时，此功能主要是重要的
感性负载。
漏极电流Id到伊利姆无论输入
引脚电压。当限流器是活动的，
该设备工作于线状区域，从而
功耗可能超过的能力
散热器。这两种情况下，和结
温度提高，而如果这个阶段持续
足够长的时间，结温可达
过温阈值T
JSH
.
-
状态反馈信号：在发生的情况下，
过热故障状态，一个状态
反馈是通过输入引脚提供。
内部保护电路断开
从栅极输入，而是将其连接到
通过100的等效电阻接地
.
该故障可以通过监视来检测
电压输入引脚，这将接近
地电位。
该器件的其他特点是ESD
根据人体模型保护
并从一个TTL逻辑驱动能力
电路（与在研发小幅增加
DS （ ON）
).
-
线性电流限幅电路：限制
4/11
VNW100N04
热阻抗
降额曲线
输出特性
跨
静态漏源导通电阻与输入
电压
静态漏源导通电阻
5/11
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VSBU-120-30
V3F05A150Y2DRP
VC120605D150
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