VNB14N04/K14N04FM
VNP14N04FI/VNV14N04
“ OMNIFET ” ：
岗AUTOPROTECTED功率MOSFET
牛逼YPE
VNB14N04
VNK14N04FM
VNP14N04FI
VNV14N04
s
s
s
s
s
s
V
C灯泡
42
42
42
42
V
V
V
V
R
DS （ ON）
0.07
0.07
0.07
0.07
I
升IM
14
14
14
14
A
A
A
A
3
1
s
s
s
线性电流限制
热关机
短路保护
综合CLAMP
低电流消耗在输入PIN
诊断反馈通过投入
针
ESD保护
直接进入之门
功率MOSFET （模拟驱动）
兼容标准电源
MOSFET
D2PAK
TO-263
SOT82-FM
3
1
2
10
1
描述
该VNB14N04 ， VNK14N04FM ， VNP14N04FI
和VNV14N04都取得了单片器件
运用
意法半导体
的VIPower
M0
技术，用于更换
标准功率MOSFET中的DC至50KHz
应用程序。内置热关断，线性
电流限制和过压钳位保护
框图（ * ）
ISOWATT220
PowerSO-10
该芯片在恶劣环境。
故障的反馈可以通过监视来检测
电压在输入引脚。
（ * ） PowerSO - 10引脚配置：输入= 6,7,8,9,10 ; SOURCE = 1,2,4,5 ;排水= TAB
1998年6月
1/14
VNB14N04-VNK14N04FM-VNP14N04FI-VNV14N04
绝对最大额定值
符号
参数
ERSO POW -10
D2PAK
V
DS
V
in
I
D
I
R
V
ESD
P
合计
T
j
T
c
T
英镑
漏源电压（V
in
= 0)
输入电压
漏电流
反向DC 本安输出电流
静电放电（ C = 100 pF的，
R = 1.5 KΩ ）
总功耗在T
c
= 25 C
工作结牛逼emperature
案例操作摄像牛逼emperature
储存温度
o
价值
SOT -82FM
ISOW AT T220
单位
内部钳位
18
内部限制
-14
2000
50
9.5
内部限制
内部限制
-55到150
31
V
V
A
A
V
W
o
o
o
C
C
C
热数据
ISOW ATT220宝werSO -10
R
吨HJ -CA SE
热阻
结案件
R
吨HJ -A MB
热阻
结到环境
最大
最大
4
62.5
2.5
50
SOT82-FM
13
100
D2PAK
2.5
62.5
o
C / W
C / W
o
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
SYMB OL
V
钳
V
CL TH
V
我NCL
I
DSS
I
我是SS
参数
漏极 - 源极钳位
电压
漏极 - 源极钳位
阈值电压
输入源反向
钳位电压
零输入电压
漏电流（V
in
= 0)
从供电电流
输入引脚
测试电导率银行足球比赛s
I
D
= 200毫安
I
D
= 2毫安
I
in
= -1毫安
V
DS
= 13 V
V
DS
= 25 V
V
DS
= 0 V
V
in
= 0
V
in
= 0
V
in
= 10 V
250
V
in
= 0
V
in
= 0
分钟。
36
35
-1
-0.3
50
200
500
典型值。
42
马克斯。
48
取消它
V
V
V
A
A
A
开（ *）
SYMB OL
V
IN（日）
R
DS （ ON）
参数
输入阈值
电压
静态漏源
阻力
V
DS
= V
in
V
I N
= 10 V
V
I N
= 5 V
测试电导率银行足球比赛s
I
D
+ Ii
n
= 1毫安
I
D
= 7 A
I
D
= 7 A
分钟。
0.8
典型值。
马克斯。
3
0.07
0.1
取消它
V
2/14
VNB14N04-VNK14N04FM-VNP14N04FI-VNV14N04
电气特性
（续）
动态
SYMB OL
g
fs
()
C
OSS
参数
前锋
跨
输出电容
测试电导率银行足球比赛s
V
DS
= 13 V
V
DS
= 13 V
I
D
= 7 A
F = 1 MHz的
V
in
= 0
分钟。
8
典型值。
10
400
500
马克斯。
取消它
S
pF
开关（**）
SYMB OL
t
D（上）
t
r
t
（六中）D
t
f
t
D（上）
t
r
t
（六中）D
t
f
（ di / dt的）
on
Q
i
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
秋季牛逼IME
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
秋季牛逼IME
导通电流斜率
总的输入充电
测试电导率银行足球比赛s
V
DD
= 15 V
V
根
= 10 V
（参见图3）
V
DD
= 15 V
V
根
= 10 V
（参见图3）
V
DD
= 15 V
V
I N
= 10 V
V
DD
= 12 V
I
d
= 7 A
R
根
= 10
分钟。
典型值。
60
160
250
100
300
1.5
5.5
1.8
120
30
马克斯。
120
300
400
200
500
2.2
7.5
2.5
取消它
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
A / μs的
nC
I
d
= 7 A
R
根
= 1000
I
D
= 7 A
R
根
= 10
I
D
= 7 A
V
in
= 10 V
源漏二极管
SYMB OL
V
SD
()
t
r r
()
Q
r r
()
I
RRM
()
参数
转移O N个电压
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 7 A
测试电导率银行足球比赛s
V
in
= 0
110
0.34
6.1
分钟。
典型值。
马克斯。
1.6
取消它
V
ns
C
A
I
SD
= 7 A
的di / dt = 100 A / μs的
T
j
= 25
o
C
V
DD
= 30 V
（见测试电路，图5 ）
保护
SYMB OL
I
LIM
t
DL IM
()
T
JSH
()
T
RS
()
I
gf
()
E
as
()
参数
漏电流限制
阶跃响应
电流限制
过热
关闭
过热复位
故障灌电流
单脉冲
雪崩能量
V
I N
= 10 V
V
I N
= 5 V
V
DS
= 13 V
V
DS
= 13 V
o
测试电导率银行足球比赛s
V
I N
= 10 V
V
I N
= 5 V
V
I N
= 10 V
V
I N
= 5 V
V
DS
= 13 V
V
DS
= 13 V
分钟。
10
10
典型值。
14
14
30
80
马克斯。
20
20
60
150
取消它
A
A
s
s
o
150
135
50
20
0.65
C
C
o
mA
mA
J
起始物为
j
= 25 C
V
DD
= 20 V
V
I N
= 10 V R
根
= 1 KΩ L = 10毫亨
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ** ）设计/特性保证参数
3/14
VNB14N04-VNK14N04FM-VNP14N04FI-VNV14N04
保护功能
在正常操作时，输入引脚
电连接到所述内部的栅
功率MOSFET 。那么该设备就像一个
标准功率MOSFET ，并且可以用作
切换从直流到50KHz 。唯一的区别
从用户的观点看是一个小的直流
电流（I
国际空间站
）流入输入引脚，以
供给内部电路。
该器件集成：
-
过热和短路
保护：这些都是基于传感
芯片的温度，并且不依赖于
输入电压。感测的位置
在功率级区域中的芯片上的元件
确保快速，准确的检测结
温度。温度熔断器发生在
最低150
o
C.该设备是自动
当芯片温度下降重新启动
低于135
o
C.
-
过压
钳
保护：
内部设定为42V ，随着崎岖
电源的雪崩特性
MOSFET级给这个设备无可比拟
耐用性和能量处理能力。
开车时，此功能主要是重要的
感性负载。
漏极电流Id到伊利姆无论输入
引脚电压。当限流器是活动的，
该设备工作于线状区域，从而
功耗可能超过的能力
散热器。这两种情况下，和结
温度提高，而如果这个阶段持续
足够长的时间，结温可达
过温阈值T
JSH
.
-
状态反馈信号：在发生的情况下，
过热故障状态，一个状态
反馈是通过输入引脚提供。
内部保护电路断开
从栅极输入，而是将其连接到
通过100的等效电阻接地
.
该故障可以通过监视来检测
电压输入引脚，这将接近
地电位。
该器件的其他特点是ESD
根据人体模型保护
并从一个TTL逻辑驱动能力
电路（与在研发小幅增加
DS （ ON）
).
-
线性电流限幅电路：限制
4/14
VNB14N04-VNK14N04FM-VNP14N04FI-VNV14N04
对于ISOWATT220热阻抗
为D2PAK热阻抗/ PowerSO - 10
降额曲线
输出特性
跨
静态漏源导通电阻与输入
电压
5/14
VNB14N04 - VNK14N04FM
VNV14N04
"OMNIFET"
岗AUTOPROTECTED功率MOSFET
特点
TYPE
VNB14N04
VNK14N04FM
VNV14N04
s
s
s
s
s
s
s
s
V
钳
42 V
42 V
42 V
R
DS （ ON）
0.07
0.07
0.07
I
LIM
14 A
14 A
14 A
线性电流限制
热关断
短路保护
综合CLAMP
低电流消耗在输入PIN
通过输入引脚诊断反馈
ESD保护
直接进入电源的门
MOSFET （模拟驾驶）
兼容标准功率MOSFET
描述
该VNB14N04 ， VNK14N04FM和VNV14N04
是使用由单片器件
STMicroeletronics的VIPower M0技术，
用于替换标准的电源
MOSFET，在直流电到50KHz的应用程序。内建的
热关断，线性电流限制和
过压钳位保护在恶劣的芯片
环境。
故障的反馈可以通过监视来检测
电压在输入引脚。
表1中。
设备简介
订货编号
VNB14N04 ， VNB14N04 -E ，
VNB14N0413TR ， VNB14N04TR -E
s
产品型号
VNB14N04
VNK14N04FM VNK14N04FM
VNV14N04
VNV14N04 ， VNV14N04 -E
2009年4月
REV 6
1/17
www.st.com
17
目录
VNB14N04 - VNK14N04FM - VNV14N04
目录
1
2
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
2.2
2.3
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
热数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
3
4
5
保护功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
包装信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2/17
VNB14N04 - VNK14N04FM - VNV14N04
框图
1
框图
图1 。
框图
1. PowerSO - 10引脚配置：输入= 6,7,8,9,10 ; SOURCE = 1,2,4,5 ;排水= TAB
3/17
电气规格
VNB14N04 - VNK14N04FM - VNV14N04
2
2.1
电气规格
绝对最大额定值
表2中。
绝对最大额定值
价值
符号
参数
PowerSO-10
D2PAK
V
DS
V
in
I
D
I
R
V
ESD
P
合计
T
j
T
c
T
英镑
单位
SOT-82FM
V
V
A
A
V
9.5
W
°
C
°
C
°
C
漏源电压（V
in
= 0)
输入电压
漏电流
反向DC输出电流
静电放电（ C = 100 pF的，
R = 1.5 KΩ ）
总功耗在T
c
= 25 °
C
工作结温
情况下的工作温度
储存温度
内部钳位
18
内部限制
-14
2000
50
内部限制
内部限制
-55到150
2.2
热数据
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境
最大
PowerSO-10
2.5
50
SOT82-FM
13
100
D2PAK
2.5
62.5
单位
°
C / W
°
C / W
2.3
表4 。
符号
关闭
电气特性
T
例
= 25° ，除非另有规定。
C
电气特性
参数
测试条件
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
V
钳
漏源电压钳
V
CLTH
V
INCL
漏极 - 源极钳位阈值电压
输入源反向钳位电压
I
D
= 200毫安V
in
= 0
I
D
= 2毫安V
in
= 0
I
in
= -1毫安
36
35
-1
42
48
V
V
-0.3
V
4/17
VNB14N04 - VNK14N04FM - VNV14N04
表4 。
符号
I
DSS
I
国际空间站
电气规格
电气特性（续）
参数
零输入电压漏电流（V
in
= 0)
从输入引脚的电源电流
测试条件
V
DS
= 13 V V
in
= 0
V
DS
= 25 V V
in
= 0
V
DS
= 0 V V
in
= 10 V
250
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
50
200
500
A
A
A
On
(1)
V
IN（日）
R
DS （ ON）
动态
g
飞秒（1）
C
OSS
正向跨导
输出电容
V
DS
= 13 V I
D
= 7 A
V
DS
= 13 V F = 1MHz的V
in
= 0
8
10
400
500
S
pF
输入阈值电压
静态漏源导通电阻
V
DS
= V
in
I
D
+ I
in
= 1毫安
V
in
= 10 V I
D
= 7 A
V
in
= 5 V I
D
= 7 A
0.8
3
0.7
0.1
V
开关
(2)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DD
= 15 V I
d
= 7 A
V
根
= 10 V R
根
= 10
（见
图26）
V
DD
= 15 V I
d
= 7 A
V
根
= 10 V R
根
= 1000
（见
图26）
V
DD
= 15 V I
D
= 7 A
V
in
= 10 V R
根
= 10
V
DD
= 12 V I
D
= 7 A V
in
= 10 V
60
160
250
100
300
1.5
5.5
1.8
120
30
120
300
400
200
500
2.2
7.5
2.5
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
A / μs的
nC
（ di / dt的）
on
导通电流斜率
Q
i
总的输入充电
源漏二极管
V
SD（1 ）
t
rr (2)
Q
rr (2)
I
RRM （2）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 7 A V
in
= 0
I
SD
= 7的的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 30 V T，
j
= 25 °
C
（见测试电路，
图28）
110
0.34
6.1
1.6
V
ns
C
A
保护
I
LIM
t
DLIM （2）
T
JSH （2）
T
JRS （2）
漏电流限制
阶跃响应
电流限制
过温关断
过热复位
V
in
= 10 V V
DS
= 13 V
V
in
= 5 V V
DS
= 13 V
V
in
= 10 V
V
in
= 5 V
150
135
10
10
14
14
30
80
20
20
60
150
A
A
s
s
°
C
°
C
5/17
QQ：2881677436 复制
