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VNS3NV04D

“ OMNIFET II ” ：

岗AUTOPROTECTED功率MOSFET

TYPE

VNS3NV04D

（ * ）每每台设备

R

DS （ ON）

120 m (*)

I

LIM

3.5 A (*)

V

钳

40 V (*)

n

线性电流限制

n

热关机

n

短路保护

n

综合CLAMP

n

低电流消耗在输入PIN

n

诊断反馈通过投入

针

n

ESD保护

n

直接进入之门

功率MOSFET （模拟驱动）

n

兼容标准电源

MOSFET

SO-8

描述

该VNS3NV04D是由两个形成的器件

装在一个单片OMNIFET II芯片

标准的SO- 8封装。该OMNIFET二是

设计意法半导体的VIPower M0-3

技术：它们被用于替换

从直流标准电源MOSFET，高达50kHz

框图

应用程序。内置热关断，线性

电流限制和过压钳位保护

该芯片在恶劣的环境。

故障的反馈可以通过监视来检测

电压在输入引脚。

DRAIN1

DRAIN2

过压

钳

INPUT1

门

控制

过压

钳

门

控制

INPUT2

过度

温度

线性

当前

限

线性

当前

限

过度

温度

SOURCE1

SOURCE2

2003年2月

1/14

1

VNS3NV04D

绝对最大额定值

符号

V

DSN

V

客栈

I

客栈

R

在明尼苏达州

I

Dn

I

Rn

V

ESD1

V

ESD2

P

合计

T

j

T

c

T

英镑

参数

漏源电压（V

客栈

=0V)

输入电压

输入电流

最小输入阻抗系列

漏电流

反向DC输出电流

静电放电（ R = 1.5KΩ ， C = 100pF的）

在输出引脚的静电放电只（ R = 330Ω ， C = 150pF的）

总功耗在T

c

=25°C

工作结温

情况下的工作温度

储存温度

价值

内部钳位

内部钳位

+/-20

220

内部限制

-5.5

4000

16500

4

内部限制

内部限制

-55到150

单位

V

V

mA

A

A

V

V

W

°C

°C

°C

连接图（ TOP VIEW ）

源1

输入1

源2

输入2

1

8

排水1

排水1

排水2

4

5

排水2

电流和电压公约

I

IN1

I

IN2

V

IN2

R

IN1

输入1

排水1

I

D2

输入2

源1

排水2

源2

I

D1

V

IN1

R

IN2

V

DS1

V

DS1

2/14

1

VNS3NV04D

热数据

符号

R

THJ铅

R

THJ - AMB

(*)

当

参数

热阻结铅（每通道）

热阻结到环境

最大

最大

价值

30

80(*)

单位

° C / W

° C / W

安装在一个标准的单面FR4板为50mm

2

铜（至少35个

m

厚）连接到所述相对的所有漏极引脚

通道。

电气特性

（ -40°C <牛逼

j

< 150℃，除非另有规定）

（每各装置）

关闭

符号

V

钳

V

CLTH

V

INTH

I

国际空间站

V

INCL

I

DSS

参数

漏极 - 源极钳位

电压

漏极 - 源极钳位

阈值电压

输入阈值电压

从输入电源电流

针

输入源钳位

电压

零输入电压漏

电流（V

IN

=0V)

测试条件

V

IN

= 0V ;我

D

=1.5A

V

IN

= 0V ;我

D

=2mA

V

DS

=V

IN

; I

D

=1mA

V

DS

=0V; V

IN

=5V

I

IN

=1mA

I

IN

=-1mA

V

DS

=13V; V

IN

= 0V ;牛逼

j

=25°C

V

DS

=25V; V

IN

=0V

6

-1.0

民

40

36

0.5

100

6.8

2.5

150

8

-0.3

30

75

典型值

45

最大

55

单位

V

V

V

A

V

A

ON

符号

R

DS （ ON）

参数

静态漏源

阻力

测试条件

V

IN

= 5V ;我

D

= 1.5A ;牛逼

j

=25°C

V

IN

= 5V ;我

D

=1.5A

民

典型值

最大

120

240

单位

m

3/14

1

VNS3NV04D

电气特性（续）

(T

j

= 25 ℃，除非另有规定）

动态

符号

g

fs

(*)

C

OSS

参数

前锋

跨

输出电容

测试条件

V

DD

= 13V ;我

D

=1.5A

V

DS

= 13V ; F = 1MHz的; V

IN

=0V

民

典型值

5.0

150

最大

单位

S

pF

开关

符号

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

（ di / dt的）

on

Q

i

参数

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通电流斜率

总的输入充电

测试条件

V

DD

= 15V ;我

D

=1.5A

V

根

= 5V ;

根

=R

在明尼苏达州

=220

（参见图1）

V

DD

= 15V ;我

D

=1.5A

V

根

= 5V ;

根

=2.2K

（参见图1）

V

DD

= 15V ;我

D

=1.5A

V

根

= 5V ;

根

=R

在明尼苏达州

=220

V

DD

= 12V ;我

D

= 1.5A ; V

IN

=5V

I

根

= 2.13毫安（参见图5）

民

典型值

90

250

450

250

0.45

2.5

3.3

2.0

4.7

8.5

最大

300

750

1350

750

1.35

7.5

10.0

6.0

单位

ns

ns

ns

ns

s

s

s

s

A / μs的

nC

源漏二极管

符号

V

SD

(*)

t

rr

Q

rr

I

RRM

参数

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

测试条件

I

SD

= 1.5A ; V

IN

=0V

I

SD

= 1.5A ;的di / dt = 12A / μs的

V

DD

= 30V ; L = 200μH

民

典型值

0.8

107

37

0.7

最大

单位

V

ns

C

A

反向恢复电流（见测试电路，图2）

栅栏（ -40°C <牛逼

j

< 150℃，除非另有规定）

符号

I

LIM

t

DLIM

T

JSH

T

JRS

I

gf

E

as

参数

漏电流限制

阶跃响应电流

极限

过热

关闭

过热复位

故障灌电流

单脉冲

雪崩能量

测试条件

V

IN

=5V; V

DS

=13V

V

IN

=5V; V

DS

=13V

民

3.5

典型值

5

10

150

135

10

100

175

200

最大

7

单位

A

s

°C

°C

mA

mJ

V

IN

=5V; V

DS

= 13V ;牛逼

j

=T

JSH

起始物为

j

= 25°C ; V

DD

=24V

V

IN

= 5V ;

根

=R

在明尼苏达州

= 220Ω ; L = 24mH

（参见图3 & 4）

15

20

（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％

4/14

2

VNS3NV04D

保护功能

在正常操作时，输入引脚

电连接到所述内部的栅

通过一个低阻抗路径的功率MOSFET 。

那么该设备就像一个标准的电源

MOSFET和可以用作从DC开关

50KHz的。从用户的唯一的区别

观点出发是一个小直流电流I

国际空间站

（典型值。

100

A）流入输入引脚，以供应

的内部电路。

该器件集成：

- 过电压钳位保护：

内部设定为45V ，随着崎岖

功率MOSFET的雪崩特性

舞台给这个设备无与伦比的耐用性和

能量处理能力。此功能主要是

重要的驱动感性负载时。

- 线性电流限制电路：限制

的漏极电流I

D

到我

LIM

无论输入引脚

电压。当限流器是活动的，则

设备工作在线性区域，所以功率

功耗可能超过的能力

散热器。这两种情况下，与结温

增加，并且如果这个阶段持续足够长的时间，

连接点

温度

五月

到达

该

过热阈值T

JSH

.

- 过热和短路

保护：这些都是基于传感

芯片温度，并且不依赖于

输入电压。传感元件的位置

在功率级区域中的芯片确保快速

准确的检测的结温。

温度熔断器发生在范围为150

190 ℃下，典型值是170℃。该装置是

自动重新启动时芯片的温度

下面停机温度约15℃跌倒。

- 状态反馈信号：在发生的情况下，

过热故障状态（T

j

＆ GT ;吨

JSH

），则

设备尝试下沉诊断电流I

gf

通过

为了在输入引脚来指示故障情况。如果

从一个低阻抗源驱动，这个电流

可以以警告的控制电路中使用

设备关机。如果驱动器阻抗高

够使得输入引脚驱动器不能够

供给电流I

gf

，在输入引脚将降至0V 。

这不会但是影响设备

操作：不要求被放置在当前

除了输入引脚驱动能力是

能够提供正常运行驱动

电流I

国际空间站

.

该器件的其他特点是ESD

根据人体模型保护

并从一个TTL逻辑驱动能力

电路。

5/14

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