M
VNQ830
四通道高端驱动器
TYPE
VNQ830
(*)每每个信道
R
DS ( ON)
65 m (*)
I
OUT
6 A (*)
V
CC
36 V
CMOS兼容输入
s
开漏状态输出
s
ON状态负载开路检测
s
关闭状态下负载开路检测
s
负载短路保护
s
欠压和过压
关闭
s
接地保护缺失
s
极低的待机电流
s
s
SO- 28 (双岛)
订购代码
包
管
VNQ830
T&R
VNQ83013TR
电池反接保护( ** )
SO-28
描述
该VNQ830是由HSD形成了四
组装2 VND830芯片中相同的SO- 28
封装。该VND830是一个单片器件
意法半导体的VIPower M0-3 |用做
技术。该VNQ830是用于驱动
单面任何类型的多个负载的连接
到地面。
积极V
CC
引脚电压钳位保护器件
绝对最大额定值
符号
V
CC
- V
CC
- I
GND
I
OUT
- I
OUT
I
IN
I
STAT
参数
对低能量尖峰(见ISO7637瞬间
兼容性表) 。有源电流限制
结合热关断和自动
重启防止过载的设备。
设备检测到既在开放负载状态
和关断状态。输出短路到V
CC
在检测
断开状态。设备的情况下自动关闭
的接地引脚断开。
直流电源电压
反向直流电源电压
DC反向接地引脚电流
直流输出电流
反向DC输出电流
DC输入电流
直流电流状态
静电放电(人体模型: R = 1.5KΩ ; C = 100pF的)
- 输入
- 状态
- 输出
- V
CC
最大开关能量
(L = 1.5mH ,R
L
=0; V
BAT
= 13.5V ;牛逼
的jStart
= 150℃ ;我
L
=9A)
功耗(每个岛)在T
领导
=25°C
结工作温度
储存温度
价值
41
- 0.3
- 200
内部限制
-6
+/- 10
+/- 10
4000
4000
5000
5000
85
6.25
内部限制
- 55 150
单位
V
V
mA
A
A
mA
mA
V
V
V
V
mJ
W
°C
°C
V
ESD
E
最大
P
合计
T
j
T
英镑
( ** )请参见第9页的应用原理
2003年1月
1/20
VNQ830
热数据
(每岛)
符号
R
THJ铅
R
THJ - AMB
R
THJ - AMB
参数
热阻结铅每个芯片
热阻结到环境(一个芯片上)
热阻结到环境(两个芯片ON)
价值
20
60 (*)
46 (*)
单位
° C / W
° C / W
° C / W
( * )当安装在一个标准的单面FR- 4板0.5厘米
2
每个岛的Cu (至少为35μm厚),其连接到所有V
CC
销。
水平安装,也没有人为的空气流动。
电气特性
(8V<V
CC
<36V ; -40 ° C<牛逼
j
<150 ℃,除非另有规定)
输出功率(每通道每)
符号
V
CC
(**)
V
美元
(**)
V
OV
(**)
R
on
参数
工作电源电压
欠压的停工
过电压关闭
导通状态电阻
测试条件
民
5.5
3
36
典型值
13
4
最大
36
5.5
65
12
12
5
0
-75
130
40
25
7
50
0
5
3
单位
V
V
V
m
m
A
A
mA
A
A
A
A
I
OUT
= 2A ;牛逼
j
=25°C
I
OUT
= 2A ; V
CC
>8V
关闭状态; V
CC
=13V; V
IN
=V
OUT
=0V
I
S
(**)
电源电流
关闭状态; V
CC
=13V; V
IN
=V
OUT
=0V;
T
j
=25°C
关于国家; V
CC
=13V; V
IN
= 5V ;我
OUT
=0A
I
L(off1)
I
L(off2)
I
L(off3)
I
L(off4)
关国
关国
关国
关国
输出电流
输出电流
输出电流
输出电流
V
IN
=V
OUT
=0V
V
IN
=0V; V
OUT
=3.5V
V
IN
=V
OUT
=0V; V
CC
= 13V ;牛逼
j
=125°C
V
IN
=V
OUT
=0V; V
CC
= 13V ;牛逼
j
=25°C
切换(每个通道) (V
CC
=13V)
符号
t
D(上)
t
D(关闭)
参数
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
测试条件
R
L
=从V 6.5Ω
IN
上升沿
V
OUT
=1.3V
R
L
=从V 6.5Ω
IN
下降沿到
V
OUT
=11.7V
R
L
=从V 6.5Ω
OUT
= 1.3V至V
OUT
=10.4V
民
典型值
30
30
SEE
相对的
图
SEE
相对的
图
最大
单位
s
s
V / μs的
dV
OUT
/ DT
(上)
导通电压斜率
dV
OUT
/ DT
(关闭)
关断电压斜率
R
L
=从V 6.5Ω
OUT
= 11.7V到V
OUT
=1.3V
V / μs的
逻辑输入(每个通道)
符号
V
IL
I
IL
V
IH
I
IH
V
我( HYST )
V
ICL
( ** )每岛
参数
输入低电平
低电平输入电流
输入高电平
高电平输入电流
输入电压滞后
输入钳位电压
测试条件
V
IN
=1.25V
V
IN
=3.25V
I
IN
=1mA
I
IN
=-1mA
民
1
3.25
典型值
最大
1.25
10
0.5
6
6.8
-0.7
8
单位
V
A
V
A
V
V
V
4/20