VNQ660SP
四通道高侧固态继电器
TYPE
VNQ660SP
（*）每每个信道
R
DS （ ON）
50m (*)
I
OUT
6A
V
CC
36 V
输出电流每通道： 6A
s
CMOS兼容输入
s
负载开路检测（ OFF状态）
s
欠压&过电压
n
关断
s
过压钳位
s
热关断
s
电流限制
s
非常低STAND -BY功耗
s
保护功能：
n
诉地面&之损失
CC
s
电池反接保护（ ** ）
s
10
1
PowerSO-10
订购代码
包
管
T&R
VNQ660SP13TR
PowerSO-10
VNQ660SP
描述
该VNQ660SP是一个单片器件制造
使用|
意法半导体
的VIPower
M0-3
绝对最大额定值
符号
V
CC
-V
CC
I
OUT
I
R
I
IN
I
STAT
I
GND
参数
技术，用于驱动电阻或
感性负载与一侧接地。
此装置具有4个独立信道。内置
热停机和输出电流限制
保护芯片免受温度和短
电路。
电源电压（连续）
反向电压（连续）
输出电流（连续），每个通道的
反向输出电流（连续），每个通道的
输入电流
目前状态
接地电流在T
C
<25 ° C（连续）
静电放电（人体模型： R = 1.5KΩ ; C = 100pF的）
- 输入
- 状态
- 输出
- V
CC
在T功耗
C
=25°C
结工作温度
储存温度
不重复夹紧能量在T
C
=25°C
价值
41
-0.3
内部限制
-15
+/- 10
+/- 10
-200
4000
4000
5000
5000
113.6
-40至150
-65到150
150
单位
V
V
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
W
°C
°C
mJ
V
ESD
P
合计
T
j
T
英镑
E
C
（ ** ）请参见第8页的应用原理
2003年7月
1/16
VNQ660SP
连接图（ TOP VIEW ）
状态
输入4
输入3
输入2
输入1
6
7
8
9
10
11
V
CC
5
4
3
2
1
GND
输出4
输出3
输出2
输出1
热数据
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
参数
热阻结案件（ MAX） （所有通道）
热阻结到环境（ MAX ）
价值
1.1
51.1 (*)
单位
° C / W
° C / W
（*）当安装在一个标准的单面FR-4板与0.5cm的Cu （至少35个
m
厚） 。水平安装，也没有人工气
流动。
电气特性
(V
CC
= 6V至24V ; -40
°
C<T
j
<150
°
C除非另有说明）
电力（每个通道）
符号
V
CC
(**)
V
美元
(**)
V
UVhyst
(**)
V
OV
(**)
V
OVhyst
(**)
参数
工作电源电压
欠压关断
欠压滞后
过压关断
过电压滞后
测试条件
民
6
3.5
0.2
36
0.25
典型值
13
4.6
最大
36
6
1
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
m
m
m
A
A
A
A
关闭状态;输入= 0V ; V
CC
=13.5V
I
S
(**)
电源电流
关闭状态;输入= 0V ; V
CC
=13.5V
T
j
=25°C
在状态输入= 3.25V ; 9V<V
CC
<18V
I
OUT
= 1A ;牛逼
j
= 25°C ; 9V<V
CC
<18V
R
DS （ ON）
I
L(off1)
I
L(off2)
I
L(off3)
I
L(off4)
（ ** ）每设备。
12
12
6
40
85
0
-75
40
25
12
50
100
130
50
0
5
3
导通状态电阻
关态输出电流
关态输出电流
关态输出电流
关态输出电流
I
OUT
= 1A ，T
j
= 150 ℃; 9V<V
CC
<18V
I
OUT
= 1A ; V
CC
=6V
V
IN
=V
OUT
=0V
V
IN
=0V; V
OUT
=3.5V
V
IN
=V
OUT
=0V; V
CC
= 13V ;牛逼
j
=125°C
V
IN
=V
OUT
=0V; V
CC
= 13V ;牛逼
j
=25°C
3/16
VNQ660SP
电气瞬态要求
ISO T / R 7637/1
测试脉冲
1
2
3a
3b
4
ISO T / R
7637/1
测试脉冲
1
2
3a
3b
4
5
类
C
E
I
C
C
C
C
C
C
II
C
C
C
C
C
E
III
C
C
C
C
C
E
IV
C
C
C
C
C
E
I
-25 V
+25 V
-25 V
+25 V
-4 V
II
-50 V
+50 V
-50 V
+50 V
-5 V
测试水平
III
IV
-75 V
+75 V
-100 V
+75 V
-6 V
-100 V
+100 V
-150 V
+100 V
-7 V
延迟和
阻抗
2毫秒10
0.2毫秒10
0.1
s
50
0.1
s
50
100毫秒， 0.01
测试结果等级
目录
该设备的所有功能都进行如同置身于扰动后设计的。
不进行该装置的一个或多个功能作为曝光后的设计，并且不能
无需更换设备返回到正常操作。
开关特性
V
负载
90%
80%
dV
OUT
/ DT
（上）
dV
OUT
/ DT
（关闭）
10%
t
V
IN
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
5/16
1
VNQ660SP
四通道高侧固态继电器
TYPE
VNQ660SP
（*）每每个信道
R
DS （ ON）
50m (*)
I
OUT
6A
V
CC
36 V
输出电流每通道： 6A
s
CMOS兼容输入
s
负载开路检测（ OFF状态）
s
欠压&过电压
n
关断
s
过压钳位
s
热关断
s
电流限制
s
非常低STAND -BY功耗
s
保护功能：
n
诉地面&之损失
CC
s
电池反接保护（ ** ）
s
10
1
PowerSO-10
订购代码
包
管
T&R
VNQ660SP13TR
PowerSO-10
VNQ660SP
描述
该VNQ660SP是一个单片器件制造
使用|
意法半导体
的VIPower
M0-3
绝对最大额定值
符号
V
CC
-V
CC
I
OUT
I
R
I
IN
I
STAT
I
GND
参数
技术，用于驱动电阻或
感性负载与一侧接地。
此装置具有4个独立信道。内置
热停机和输出电流限制
保护芯片免受温度和短
电路。
电源电压（连续）
反向电压（连续）
输出电流（连续），每个通道的
反向输出电流（连续），每个通道的
输入电流
目前状态
接地电流在T
C
<25 ° C（连续）
静电放电（人体模型： R = 1.5KΩ ; C = 100pF的）
- 输入
- 状态
- 输出
- V
CC
在T功耗
C
=25°C
结工作温度
储存温度
不重复夹紧能量在T
C
=25°C
价值
41
-0.3
内部限制
-15
+/- 10
+/- 10
-200
4000
4000
5000
5000
113.6
-40至150
-65到150
150
单位
V
V
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
W
°C
°C
mJ
V
ESD
P
合计
T
j
T
英镑
E
C
（ ** ）请参见第8页的应用原理
2003年7月
1/16
VNQ660SP
连接图（ TOP VIEW ）
状态
输入4
输入3
输入2
输入1
6
7
8
9
10
11
V
CC
5
4
3
2
1
GND
输出4
输出3
输出2
输出1
热数据
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
参数
热阻结案件（ MAX） （所有通道）
热阻结到环境（ MAX ）
价值
1.1
51.1 (*)
单位
° C / W
° C / W
（*）当安装在一个标准的单面FR-4板与0.5cm的Cu （至少35个
m
厚） 。水平安装，也没有人工气
流动。
电气特性
(V
CC
= 6V至24V ; -40
°
C<T
j
<150
°
C除非另有说明）
电力（每个通道）
符号
V
CC
(**)
V
美元
(**)
V
UVhyst
(**)
V
OV
(**)
V
OVhyst
(**)
参数
工作电源电压
欠压关断
欠压滞后
过压关断
过电压滞后
测试条件
民
6
3.5
0.2
36
0.25
典型值
13
4.6
最大
36
6
1
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
m
m
m
A
A
A
A
关闭状态;输入= 0V ; V
CC
=13.5V
I
S
(**)
电源电流
关闭状态;输入= 0V ; V
CC
=13.5V
T
j
=25°C
在状态输入= 3.25V ; 9V<V
CC
<18V
I
OUT
= 1A ;牛逼
j
= 25°C ; 9V<V
CC
<18V
R
DS （ ON）
I
L(off1)
I
L(off2)
I
L(off3)
I
L(off4)
（ ** ）每设备。
12
12
6
40
85
0
-75
40
25
12
50
100
130
50
0
5
3
导通状态电阻
关态输出电流
关态输出电流
关态输出电流
关态输出电流
I
OUT
= 1A ，T
j
= 150 ℃; 9V<V
CC
<18V
I
OUT
= 1A ; V
CC
=6V
V
IN
=V
OUT
=0V
V
IN
=0V; V
OUT
=3.5V
V
IN
=V
OUT
=0V; V
CC
= 13V ;牛逼
j
=125°C
V
IN
=V
OUT
=0V; V
CC
= 13V ;牛逼
j
=25°C
3/16
VNQ660SP
电气瞬态要求
ISO T / R 7637/1
测试脉冲
1
2
3a
3b
4
ISO T / R
7637/1
测试脉冲
1
2
3a
3b
4
5
类
C
E
I
C
C
C
C
C
C
II
C
C
C
C
C
E
III
C
C
C
C
C
E
IV
C
C
C
C
C
E
I
-25 V
+25 V
-25 V
+25 V
-4 V
II
-50 V
+50 V
-50 V
+50 V
-5 V
测试水平
III
IV
-75 V
+75 V
-100 V
+75 V
-6 V
-100 V
+100 V
-150 V
+100 V
-7 V
延迟和
阻抗
2毫秒10
0.2毫秒10
0.1
s
50
0.1
s
50
100毫秒， 0.01
测试结果等级
目录
该设备的所有功能都进行如同置身于扰动后设计的。
不进行该装置的一个或多个功能作为曝光后的设计，并且不能
无需更换设备返回到正常操作。
开关特性
V
负载
90%
80%
dV
OUT
/ DT
（上）
dV
OUT
/ DT
（关闭）
10%
t
V
IN
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
5/16
1
QQ：2880707522 复制
