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VND670SP
采用双电源双MOS高压侧开关
栅极驱动器(网桥配置)
TYPE
VND670SP
s
s
R
DS ( ON)
30 m
I
OUT
15 A
V
DSS
40 V
输出电流: 15A每通道
10
5V逻辑电平兼容的输入
s
栅极驱动两个外部电池
MOS
s
欠压和过压
关机
s
过压钳位
s
热关机
s
交叉传导保护
s
电流限制
s
非常低备用电源
消费
s
PWM运行在高达10千赫
s
保护功能:
地面损失和V损失
CC
s
电池反接保护( * )
描述
该VND670SP是一个单片器件制造
采用意法半导体的VIPower技术
M0-3 ,用于驱动电动机的全桥
框图
1
PowerSO-10
配置。该器件集成了二三十米
功率MOSFET高侧配置,
提供栅极驱动两个外部电源
MOSFET用作低边开关。 IN
A
而在
B
允许选择顺时针或逆时针
驱动或制动; DIAG
A
/ EN
A
, DIAG
B
/ EN
B
允许
禁用一个半桥和反馈的诊断。
内置热关断,再加上
当前
限幅器,
保护
芯片
in
过热和短路情况。
电池短路保护外部连接
低侧功率MOSFET 。
V
CC
UNDERVOLT 。
IN
A
国内
供应
OUT
A
IN
B
逻辑
电池短路
DIAG
A
/ EN
A
电池短路
DIAG
B
/ EN
B
OUT
B
A
PWM
过温。
A
过温。
B
当前
限B
当前
限制器
GND
B
( * )见说明第5页
2003年1月
1/14
VND670SP
绝对最大额定值
符号
V
CC
I
max1
I
max2
I
R
I
IN
I
EN
I
pw
I
gs
V
ESD
T
j
T
英镑
参数
电源电压
最大输出电流(连续)
最大输出电流( 250毫秒脉冲持续时间)
反向输出电流(连续)
输入电流
启用引脚电流
PWM引脚电流
输出栅极电流
静电放电( R = 1.5KΩ , C = 100pF的)
结工作温度
储存温度
价值
-0.3 .. 40
15
20
-15
+/- 10
+/- 10
+/- 10
+/- 20
2000
-40至150
-55到150
单位
V
A
A
A
mA
mA
mA
mA
V
°C
°C
电流和电压公约
I
CC
I
INA
I
INB
I
ENA
I
ENB
IN
A
IN
B
DIAG
A
/ EN
A
DIAG
B
/ EN
B
PWM
I
pw
I
GND
V
CC
V
CC
OUT
A
OUT
B
A
B
GND
V
GSB
I
GSB
V
GSA
I
GSA
V
OUTB
I
OUTB
V
OUTA
I
OUTA
V
INA
V
INB
V
ENA
V
ENB
V
pw
连接图( TOP VIEW )
输入B
DIAG
B
/ EN
B
PWM
DIAG
A
/ EN
A
输入A
6
7
8
9
10
11
V
CC
5
4
3
2
1
OUTPUT B
B门
闸门A
OUTPUT A
2/14
VND670SP
热数据
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
(*)
参数
热阻结案件(每通道)
热阻结到环境
(最大)
(最大)
价值
1.4
50
单位
° C / W
° C / W
( * )当使用推荐的焊盘尺寸在FR - 4电路板安装(见AN515应用笔记) 。
电气特性
(V
CC
= 9V至18V ; -40
°
C<T
j
<150
°
℃;除非另有规定)
动力
符号
V
CC
R
ON
I
s
V
V
GS , CL
参数
工作电源电压
导通状态电阻
电源电流
GATE输出电压
门输出钳位电压
测试条件
I
负载
=12A
I
负载
= 12A ; TJ = 25
o
C
在国家
关国
I
gs
= -1毫安
5.0
6.0
6.8
26
5.5
典型值
最大
36
50
30
15
40
8.5
8.0
单位
V
m
m
A
V
V
开关(V
CC
= 13V ,R
负载
=1.1
)
符号
t
D(上)
t
D(关闭)
t
r
t
f
( DV
OUT
/ DT )
on
( DV
OUT
/ DT )
关闭
t
t
rg
t
doffg
t
fg
t
DEL
参数
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
输出电压上升时间
输出电压下降时间
导通电压斜率
关断电压斜率
V
gs
导通延迟时间
V
gs
上升时间
V
gs
打开-O FF延迟时间
V
gs
下降时间
外部MOSFET的导通
死区时间
测试条件
典型值
50
45
50
40
160
230
0.5
2.6
1.0
2.2
600
最大
150
135
150
120
500
1200
2
10
5.0
10
1800
单位
s
s
s
s
V / ms的
V / ms的
s
s
s
s
s
输入上升时间为1μs < (参见图1)
C1=4.7nF
突破到地配置
(见图2)
(参见图3)
150
保护和诊断
符号
V
美元
V
OV
I
LIM
T
TSD
V
OCL
V
SAT
参数
欠压的停工
过电压关闭
电流限制
热关断
温度
输出关断钳位电压
外部MOSFET饱和
电压检测阈值
测试条件
36
30
V
IN
= 3.25 V
I
负载
= 12A ,L = 6mH
150
V
CC
-55
2.5
4.2
典型值
43
45
170
200
V
CC
-41
5.5
最大
5.5
单位
V
V
A
°C
V
V
3/14
1
VND670SP
电气特性
(续)
PWM
符号
V
PWL
I
PWL
V
威尔斯亲王医院
I
威尔斯亲王医院
V
pwhhyst
V
PWCL
V
pwtest
I
pwtest
参数
PWM低电平
电压
PWM引脚电流
PWM高层
电压
PWM引脚电流
PWM电压滞后
PWM钳位电压
测试条件
典型值
最大
1.5
V
pw
=1.5V
1
3.25
V
pw
=3.25V
I
pw
= 1毫安
I
pw
= -1毫安
0.5
V
CC
+0.3
-5.0
-3.5
-2000
V
CC
+0.7
-3.5
-2.0
-500
10
V
CC
+1.0
-2.0
-0.5
单位
V
A
V
A
V
V
V
V
A
测试模式PWM引脚电压
测试模式PWM引脚电流V
pwtest
= -2.0 V
逻辑输入(IN
A
/ IN
B
)
符号
V
IL
I
INL
V
IH
I
INH
V
IHYST
V
ICL
参数
输入低电平电压
输入电流
输入高电平电压
输入电流
输入电压滞后
输入钳位电压
测试条件
V
IN
=1.5 V
V
IN
=3.25 V
I
IN
=1mA
I
IN
=-1mA
0.5
6.0
-1.0
6.8
-0.7
1
3.25
10
8.0
-0.3
典型值
最大
1.5
单位
V
A
V
A
V
V
V
ENABLE (逻辑I / O引脚)
符号
V
ENL
I
ENL
V
ENH
I
ENH
V
ehyst
V
ENCL
参数
启用低电平电压
启用引脚电流
启用高电平电压
启用引脚电流
启用滞后电压
测试条件
正常工作
( DIAG
X
/ EN
X
引脚充当
输入引脚)
V
EN
= 1.5 V
正常工作
( DIAG
X
/ EN
X
引脚充当
输入引脚)
V
EN
= 3.25 V
正常工作
( DIAG
X
/ EN
X
引脚充当
输入引脚)
I
EN
=1mA
I
EN
=-1mA
故障运行
( DIAG
X
/ EN
X
引脚充当
输入引脚)
I
EN
= 1.6毫安
典型值
最大
1.5
1
3.25
10
0.5
6.0
-1.0
6.8
-0.7
8.0
-0.3
单位
V
A
V
A
V
V
V
启用钳位电压
V
DIAG
使能输出低电平
电压
0.4
V
4/14
2
VND670SP
波形和真值表
真值表在正常工作条件
在正常操作条件下, DIAG
X
/ EN
X
销被认为是由设备的输入引脚。该引脚必须从外部
拉高。
IN
A
1
1
0
0
X
1
0
X
X
IN
B
1
0
1
0
X
X
X
1
0
DIAG
A
/ EN
A
1
1
1
1
0
1
1
0
0
DIAG
B
/ EN
B
1
1
1
1
0
0
0
1
1
OUT
A
H
H
L
L
L
H
L
L
L
OUT
B
H
L
H
L
L
L
L
H
L
A
L
L
H
H
L
L
H
L
L
B
L
H
L
H
L
L
L
L
H
评论
刹车V
CC
顺时针
计数器CW
刹车到GND
支持
HS
A
MOS
A
HS
B
MOS
B
PWM引脚的用法:
在所有情况下,一个“0” ,则PWM引脚将关断两个门
A
与门
B
输出。当PWM上升回到“ 1 ” , GATE
A
or
B
再次打开取决于输入引脚的状态。
典型应用电路的直流到10kHz的PWM操作
+5V
R1
R
PROT
1K
+5V
V
CC
R1
R
PROT
1K
DIAG
A
/ EN
A
DIAG
B
/ EN
B
VND670SP
R
PROT
1K
PWM
OUT
A
GND
R
GND
(*)
OUT
B
R
PROT
1K
R
PROT
IN
A
A
IN
B
1K
UP
M
B
外部功率MOS一
外部功率MOS B
( * )反向电池保护:
- 系列继电器V
CC
行:v
GND
= 0欧姆
- 系列保险丝V
CC
地面和V之间的反并联二极管线
CC
: R
GND
= 10欧姆。
布局提示:
该VN670SP和功率MOSFET的源极连接GND引脚之间的连接应保持足够短,以保证
在这两点之间的动态差异不能超过1V的桥正常工作。
5/14
VND670SP
采用双电源双MOSFET高侧开关
栅极驱动器(网桥配置)
特点
TYPE
VND670SP
R
DS ( ON)
30m
(1)
I
OUT
15A
(1)
V
CC
40V
10
1.每每个通道。
1
5V逻辑电平兼容的输入
栅极驱动两个外部功率MOSFET
欠压和过压关断
过压钳位
热关断
交叉传导保护
电流限制
极低的待机功耗
PWM运行在高达10千赫
防止地面和损失的损失
V
CC
反向电池保护
PowerSO-10
描述
该VND670SP是一个单片器件制造
采用意法半导体的VIPower技术
M0-3 ,用于驱动电动机的全桥
配置。该器件集成了两个30毫瓦
功率MOSFET高侧配置,
提供栅极驱动两个外部电源
MOSFET用作低边开关。 IN
A
而在
B
允许选择顺时针或逆时针
驱动或制动; DIAG
A
/ EN
A
, DIAG
B
/ EN
B
允许
禁用一个半桥和反馈的诊断。
内置热关断,再加上
限流器,用于保护所述芯片
过热和短路情况。
电池短路保护外部连接
低侧功率MOSFET 。
表1中。
设备简介
订购代码
PowerSO-10
VND670SP
磁带和卷轴
VND670SP13TR
2008年12月
REV 2
1/20
www.st.com
20
目录
VND670SP
目录
1
2
框图和引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
2.1
2.2
2.3
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
热数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
3
应用程序的信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
3.1
3.2
3.3
正常操作条件下。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
故障情况。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
测试模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
4
包装和包装的信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
4.1
4.2
4.3
ECOPACK
包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
PowerSO - 10机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
PowerSO - 10包装信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
5
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
2/20
VND670SP
表格清单
表格清单
表1中。
表2中。
表3中。
表4 。
表5 。
表6 。
表7中。
表8 。
表9 。
表10 。
表11 。
表12 。
表13 。
表14 。
表15 。
设备摘要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
建议连接未使用的和未连接的引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
热数据(每个岛) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
功率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
切换。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
保护和诊断。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
PWM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
启用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
真值表在正常的操作条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
检测到的真值表故障条件( OUT
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
电气瞬态要求。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
PowerSO - 10机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
文档修订历史记录。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
3/20
图列表
VND670SP
图列表
图1 。
图2中。
网络连接gure 3 。
图4中。
图5中。
图6 。
图7 。
网络连接gure 8 。
图9 。
网络连接gure 10 。
图11 。
图12 。
图13 。
图14 。
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
结构图(顶视图) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
电流和电压的约定。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
测试条件为高侧开关时间的测量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
测试条件为外部功率MOSFET开关时间的测量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
外部功率MOSFET的定义导通死区时间TDEL 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
为DC至10 kHz的PWM运行中的典型应用电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
典型应用电路20 KHz的PWM操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
波形( 1) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
波形( 2)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
PowerSO - 10封装尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
PowerSO - 10建议焊盘布局。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
PowerSO - 10管货(没有后缀) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
SO- 28磁带和卷轴装运(后缀为“TR” ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
4/20
VND670SP
框图和引脚说明
1
框图和引脚说明
图1 。
框图
V
CC
UNDERVOLT 。
IN
A
国内
供应
电池短路
OUT
A
IN
B
DIAG
A
/ EN
A
逻辑
电池短路
DIAG
B
/ EN
B
OUT
B
A
PWM
过温。
A
过温。
B
当前
限B
当前
限制器
GND
B
图2中。
结构图(顶视图)
输入B
DIAG
B
/ EN
B
PWM
DIAG
A
/ EN
A
输入A
6
7
8
9
10
11
V
CC
5
4
3
2
1
OUTPUT B
B门
闸门A
OUTPUT A
表2中。
对于未使用的,建议连接未连接引脚
状态
X
北卡罗来纳州
X
X
产量
X
输入
X
通过10KΩ
电阻器
连接/针
漂浮的
对地
5/20
查看更多VND670SPPDF信息
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封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    VND670SP
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885659455 复制

电话:0755-83951431
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北路1002号赛格广场47楼4707B/香港九龙观塘鸿图大道55号京泰大厦1608室
VND670SP
ST
2021+
3325
SOP10
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