VND5N07/VND5N07-1
VNP5N07FI/K5N07FM
"OMNIFET" ：
岗AUTOPROTECTED功率MOSFET
表1.一般特点
TYPE
VND5N07
VND5N07-1
VND5N07FI
VND5N07FM
V
钳
R
DS （ ON）
0.2
I
LIM
图1.包装
70 V
5A
3
1
DPAK
TO-252
IPAK
TO-251
3
2
1
■
■
■
■
■
■
线性电流限制
热关机
短路保护
综合CLAMP
低电流消耗在输入PIN
诊断反馈通过投入
针
ESD保护
直接进入之门
功率MOSFET （模拟驱动）
兼容标准电源
MOSFET
■
■
■
3
1
ISOWATT220
2
SOT-82FM
描述
该VND5N07 ， VND5N07-1 ， VNP5N07FI和
VNK5N07FM是使用由单片器件
意法半导体的VIPower M0技术，
用于替换标准的电源
MOSFET，在直流电到50KHz的应用程序。内建的
热关断，线性电流限制和
过压钳位保护在恶劣的芯片
enviroments 。
故障的反馈可以通过监视来检测
电压在输入引脚。
表2.订购代码
包
DPAK
IPAK
ISOWATT220
SOT-82FM
管
VND5N07
VND5N07-1
VND5N07FI
VND5N07FM
磁带和卷轴
VND5N0713TR
–
–
–
第2版
2004年6月
1/15
VND5N07/VND5N07-1/VNP5N07FI/K5N07FM
图2.框图
表3.绝对最大额定值
价值
符号
参数
DPAK
IPAK
V
DS
V
in
I
D
I
R
V
ESD
P
合计
T
j
T
c
T
英镑
漏源电压（V
in
= 0)
输入电压
漏电流
反向DC输出电流
静电放电（ C = 100 pF的，
R = 1.5 KΩ ）
总功耗在T
c
= 25 °C
工作结温
情况下的工作温度
储存温度
60
内部钳位
18
内部限制
–7
2000
24
内部限制
内部限制
-55到150
9
V
V
A
A
V
W
°C
°C
°C
ISOWATT220
SOT-82FM
单位
表4.热数据
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
参数
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
DPAK / IPAK
3.75
100
ISOWATT220
5.2
62.5
SOT-82FM
14
100
单位
° C / W
° C / W
2/15
VND5N07/VND5N07-1/VNP5N07FI/K5N07FM
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5.关
符号
V
钳
V
CLTH
V
INCL
I
DSS
I
国际空间站
参数
漏源电压钳
测试条件
I
D
= 200毫安; V
in
= 0
分钟。
60
55
–1
–0.3
50
200
250
500
典型值。
70
马克斯。
80
单位
V
V
V
A
A
A
漏极 - 源极阈值电压I
D
= 2毫安; V
in
= 0
输入源反向钳
电压
零输入电压漏
电流（V
in
= 0)
从输入引脚的电源电流
I
in
= -1毫安
V
DS
= 13 V; V
in
= 0
V
DS
= 25 V; V
in
= 0
V
DS
= 0 V; V
in
= 10 V
表6.
(1)
符号
V
IN（日）
R
DS （ ON）
参数
输入阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
in
; I
D
+ I
in
= 1毫安
V
in
= 10 V ;我
D
= 2.5 A
V
in
= 5 V ;我
D
= 2.5 A
分钟。
0.8
典型值。
马克斯。
3
0.200
0.280
单位
V
注： 1，脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表7.动态
符号
g
飞秒（2）
C
OSS
参数
正向跨导
输出电容
测试条件
V
DS
= 13 V ;我
D
= 2.5 A
V
DS
= 13 V ; F = 1兆赫; V
in
= 0
分钟。
3
典型值。
4
200
300
马克斯。
单位
S
pF
注： 2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
表8.切换
(3)
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
（ di / dt的）
on
Q
i
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通电流斜率
总的输入充电
V
DD
= 15 V ;我
D
= 2.5 A
V
in
= 10 V ;
根
= 10
V
DD
= 12 V ;我
D
= 2.5 A; V
in
= 10 V
V
DD
= 15 V ;我
d
= 2.5 A;
V
根
= 10V ;
根
= 1000
（参见图28）
测试条件
V
DD
= 15 V ;我
d
= 2.5 A;
V
根
= 10V ;
根
= 10
（参见图28）
分钟。
典型值。
50
60
150
40
150
400
3900
1100
80
18
马克斯。
100
100
300
80
250
600
5000
1600
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
A / μs的
nC
注： 3.参数设计/特性保证。
3/15
VND5N07/VND5N07-1/VNP5N07FI/K5N07FM
电气特性
（续）
表9.源漏二极管
符号
V
SD(4)
t
rr(5)
Q
rr(5)
I
RRM(5)
参数
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
测试条件
I
SD
= 2.5 A; V
in
= 0
I
SD
= 2.5 A;的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 30 V ;牛逼
j
= 25 °C
（见测试电路，图30 ）
150
0.3
5.7
分钟。
典型值。
马克斯。
1.6
单位
V
ns
C
A
注： 4。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5.参数设计/特性保证。
表10.保护
符号
I
LIM
t
dlim(6)
T
jsh(6)
T
jrs(6)
I
gf(6)
E
as(6)
参数
漏电流限制
阶跃响应电流限制
过温关断
过热复位
故障灌电流
单脉冲
雪崩能量
V
in
= 10 V; V
DS
= 13 V
V
in
= 5 V; V
DS
= 13 V
起始物为
j
= 25 ℃; V
DD
= 20 V
V
in
= 10 V ;
根
= 1 KΩ ; L = 10毫亨
0.2
测试条件
V
in
= 10 V; V
DS
= 13 V
V
in
= 5 V; V
DS
= 13 V
V
in
= 10 V
V
in
= 5 V
150
135
50
20
分钟。
3.5
3.5
典型值。
5
5
15
40
马克斯。
7
7
20
60
单位
A
A
s
s
°C
°C
mA
mA
J
注：6.参数设计/特性保证。
保护功能
在正常操作时，输入引脚
电连接到所述内部的栅
功率MOSFET 。那么该设备就像一个
标准功率MOSFET ，并且可以用作
切换从直流到50KHz 。唯一的区别
从用户的观点看是一个小的直流
电流（I
国际空间站
）流入输入引脚，以
供给内部电路。
该器件集成：
- 过压
钳
保护：
内部设定为70V ，随着崎岖
电源的雪崩特性
MOSFET级给这个设备无可比拟
耐用性和能量处理能力。
开车时，此功能主要是重要的
感性负载。
- 线性电流限制电路：限制
漏极电流Id到伊利姆无论输入端子
电压。当限流器是活动的，则
设备工作在线性区域，所以功率
功耗可能超过的能力
散热器。这两种情况下，与结温
增加，并且如果这个阶段持续足够长的时间，
并从一个TTL逻辑电路驱动能力
4/15
连接点
温度
五月
到达
该
过热阈值T
JSH
.
过热和短路
保护：这些都是基于传感
芯片温度，并且不依赖于
输入电压。感测的位置
在功率级区域中的芯片上的元件
确保快速，准确的检测结
温度。温度熔断器发生在
最低150℃。该设备是自动
当下面的芯片温度重新下降
135°C.
- 状态反馈信号：在发生的情况下，
过热故障状态，一个状态
反馈是通过输入引脚提供。该
内部保护电路断开输入
从栅极，而是将其连接到接地
通过100的等效电阻
.
该
故障可以通过监视来检测
电压输入引脚，这将接近
地电位。
该器件的其他特点是ESD
根据人体模型保护
（用在研发小幅增加
DS （ ON）
).
VND5N07/VND5N07-1/VNP5N07FI/K5N07FM
对于DPAK / IPAK图3.热阻抗
图4. ISOWATT220热阻抗
图5.降额曲线
图6.输出特性
图7.跨导
图8.静态漏源导通电阻VS
输入电压
5/15
VND5N07/VND5N07-1
VNP5N07FI/K5N07FM
"OMNIFET" ：
岗AUTOPROTECTED功率MOSFET
表1.一般特点
TYPE
VND5N07
VND5N07-1
VND5N07FI
VND5N07FM
V
钳
R
DS （ ON）
0.2
I
LIM
图1.包装
70 V
5A
3
1
DPAK
TO-252
IPAK
TO-251
3
2
1
■
■
■
■
■
■
线性电流限制
热关机
短路保护
综合CLAMP
低电流消耗在输入PIN
诊断反馈通过投入
针
ESD保护
直接进入之门
功率MOSFET （模拟驱动）
兼容标准电源
MOSFET
■
■
■
3
1
ISOWATT220
2
SOT-82FM
描述
该VND5N07 ， VND5N07-1 ， VNP5N07FI和
VNK5N07FM是使用由单片器件
意法半导体的VIPower M0技术，
用于替换标准的电源
MOSFET，在直流电到50KHz的应用程序。内建的
热关断，线性电流限制和
过压钳位保护在恶劣的芯片
enviroments 。
故障的反馈可以通过监视来检测
电压在输入引脚。
表2.订购代码
包
DPAK
IPAK
ISOWATT220
SOT-82FM
管
VND5N07
VND5N07-1
VND5N07FI
VND5N07FM
磁带和卷轴
VND5N0713TR
–
–
–
第2版
2004年6月
1/15
VND5N07/VND5N07-1/VNP5N07FI/K5N07FM
图2.框图
表3.绝对最大额定值
价值
符号
参数
DPAK
IPAK
V
DS
V
in
I
D
I
R
V
ESD
P
合计
T
j
T
c
T
英镑
漏源电压（V
in
= 0)
输入电压
漏电流
反向DC输出电流
静电放电（ C = 100 pF的，
R = 1.5 KΩ ）
总功耗在T
c
= 25 °C
工作结温
情况下的工作温度
储存温度
60
内部钳位
18
内部限制
–7
2000
24
内部限制
内部限制
-55到150
9
V
V
A
A
V
W
°C
°C
°C
ISOWATT220
SOT-82FM
单位
表4.热数据
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
参数
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
DPAK / IPAK
3.75
100
ISOWATT220
5.2
62.5
SOT-82FM
14
100
单位
° C / W
° C / W
2/15
VND5N07/VND5N07-1/VNP5N07FI/K5N07FM
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5.关
符号
V
钳
V
CLTH
V
INCL
I
DSS
I
国际空间站
参数
漏源电压钳
测试条件
I
D
= 200毫安; V
in
= 0
分钟。
60
55
–1
–0.3
50
200
250
500
典型值。
70
马克斯。
80
单位
V
V
V
A
A
A
漏极 - 源极阈值电压I
D
= 2毫安; V
in
= 0
输入源反向钳
电压
零输入电压漏
电流（V
in
= 0)
从输入引脚的电源电流
I
in
= -1毫安
V
DS
= 13 V; V
in
= 0
V
DS
= 25 V; V
in
= 0
V
DS
= 0 V; V
in
= 10 V
表6.
(1)
符号
V
IN（日）
R
DS （ ON）
参数
输入阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
in
; I
D
+ I
in
= 1毫安
V
in
= 10 V ;我
D
= 2.5 A
V
in
= 5 V ;我
D
= 2.5 A
分钟。
0.8
典型值。
马克斯。
3
0.200
0.280
单位
V
注： 1，脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表7.动态
符号
g
飞秒（2）
C
OSS
参数
正向跨导
输出电容
测试条件
V
DS
= 13 V ;我
D
= 2.5 A
V
DS
= 13 V ; F = 1兆赫; V
in
= 0
分钟。
3
典型值。
4
200
300
马克斯。
单位
S
pF
注： 2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
表8.切换
(3)
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
（ di / dt的）
on
Q
i
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通电流斜率
总的输入充电
V
DD
= 15 V ;我
D
= 2.5 A
V
in
= 10 V ;
根
= 10
V
DD
= 12 V ;我
D
= 2.5 A; V
in
= 10 V
V
DD
= 15 V ;我
d
= 2.5 A;
V
根
= 10V ;
根
= 1000
（参见图28）
测试条件
V
DD
= 15 V ;我
d
= 2.5 A;
V
根
= 10V ;
根
= 10
（参见图28）
分钟。
典型值。
50
60
150
40
150
400
3900
1100
80
18
马克斯。
100
100
300
80
250
600
5000
1600
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
A / μs的
nC
注： 3.参数设计/特性保证。
3/15
VND5N07/VND5N07-1/VNP5N07FI/K5N07FM
电气特性
（续）
表9.源漏二极管
符号
V
SD(4)
t
rr(5)
Q
rr(5)
I
RRM(5)
参数
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
测试条件
I
SD
= 2.5 A; V
in
= 0
I
SD
= 2.5 A;的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 30 V ;牛逼
j
= 25 °C
（见测试电路，图30 ）
150
0.3
5.7
分钟。
典型值。
马克斯。
1.6
单位
V
ns
C
A
注： 4。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5.参数设计/特性保证。
表10.保护
符号
I
LIM
t
dlim(6)
T
jsh(6)
T
jrs(6)
I
gf(6)
E
as(6)
参数
漏电流限制
阶跃响应电流限制
过温关断
过热复位
故障灌电流
单脉冲
雪崩能量
V
in
= 10 V; V
DS
= 13 V
V
in
= 5 V; V
DS
= 13 V
起始物为
j
= 25 ℃; V
DD
= 20 V
V
in
= 10 V ;
根
= 1 KΩ ; L = 10毫亨
0.2
测试条件
V
in
= 10 V; V
DS
= 13 V
V
in
= 5 V; V
DS
= 13 V
V
in
= 10 V
V
in
= 5 V
150
135
50
20
分钟。
3.5
3.5
典型值。
5
5
15
40
马克斯。
7
7
20
60
单位
A
A
s
s
°C
°C
mA
mA
J
注：6.参数设计/特性保证。
保护功能
在正常操作时，输入引脚
电连接到所述内部的栅
功率MOSFET 。那么该设备就像一个
标准功率MOSFET ，并且可以用作
切换从直流到50KHz 。唯一的区别
从用户的观点看是一个小的直流
电流（I
国际空间站
）流入输入引脚，以
供给内部电路。
该器件集成：
- 过压
钳
保护：
内部设定为70V ，随着崎岖
电源的雪崩特性
MOSFET级给这个设备无可比拟
耐用性和能量处理能力。
开车时，此功能主要是重要的
感性负载。
- 线性电流限制电路：限制
漏极电流Id到伊利姆无论输入端子
电压。当限流器是活动的，则
设备工作在线性区域，所以功率
功耗可能超过的能力
散热器。这两种情况下，与结温
增加，并且如果这个阶段持续足够长的时间，
并从一个TTL逻辑电路驱动能力
4/15
连接点
温度
五月
到达
该
过热阈值T
JSH
.
过热和短路
保护：这些都是基于传感
芯片温度，并且不依赖于
输入电压。感测的位置
在功率级区域中的芯片上的元件
确保快速，准确的检测结
温度。温度熔断器发生在
最低150℃。该设备是自动
当下面的芯片温度重新下降
135°C.
- 状态反馈信号：在发生的情况下，
过热故障状态，一个状态
反馈是通过输入引脚提供。该
内部保护电路断开输入
从栅极，而是将其连接到接地
通过100的等效电阻
.
该
故障可以通过监视来检测
电压输入引脚，这将接近
地电位。
该器件的其他特点是ESD
根据人体模型保护
（用在研发小幅增加
DS （ ON）
).
VND5N07/VND5N07-1/VNP5N07FI/K5N07FM
对于DPAK / IPAK图3.热阻抗
图4. ISOWATT220热阻抗
图5.降额曲线
图6.输出特性
图7.跨导
图8.静态漏源导通电阻VS
输入电压
5/15
QQ：2880707522 复制
