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VND05BSP
ISO高侧智能功率固态继电器
TYPE
VND05BSP
s
V
DSS
40 V
R
DS （上
)
0.2
I
OUT
1.6 A
V
CC
26 V
s
s
s
s
s
s
输出电流（连续） ：
9A @ T
c
= 85
o
每通道
5V逻辑电平兼容的输入
热关断
欠压保护
开漏输出诊断
电感的负荷快速
退磁
非常低备用电源
耗散
10
1
描述
该VND05BSP是一个单片器件制造
采用意法半导体的VIPower技术，
用于驱动电阻性或电感性负载
与一侧接地。本设备具有两个
渠道，共同诊断。内建的
热关断保护芯片免受过
温度和短路。
状态输出提供了开放式的指示
装载在
状态，负载开路处于关闭状态，
温度过高的情况，并坚持上到V
CC
.
框图
PowerSO-10
2001年4月
1/9
VND05BSP
绝对最大额定值
符号
V
（ BR ） DSS
I
OUT
I
R
I
IN
-V
CC
I
STAT
V
ESD
P
合计
T
j
T
英镑
参数
漏源击穿电压
输出电流（续）在T
c
= 85 C
反向输出电流在T
c
= 85
o
C
输入电流
反向电源电压
目前状态
静电放电（ 1.5 kΩ的， 100 pF的）
在T功耗
c
= 25
o
C
结工作温度
储存温度
o
价值
40
9
9
-9
±10
-4
±10
2000
59
-40至150
-55到150
单位
V
A
A
A
mA
V
mA
V
W
o
o
I
OUT
（ RMS ） RMS输出电流在T
c
= 85
o
C和F >赫兹
C
C
连接图
电流和电压公约
2/9
VND05BSP
热数据
R
THJ情况
R
THJ - AMB
热阻结案件
热阻结到环境（ $ ）
最大
最大
2.1
50
o
o
C / W
C / W
（ $ ）当使用最小建议焊盘尺寸在FR - 4电路板安装
o
电气特性
（ 8 < V
CC
< 16 V ; -40
≤
T
j
≤
125 C除非另有说明）
动力
符号
V
CC
中（*）
R
on
I
S
V
DS （ MAX）
R
i
参数
电源电压
额定电流
导通状态电阻
电源电流
测试条件
T
c
= 85
o
（C V）
DS （ ON）
≤
0.5 V
CC
= 13 V
I
OUT
= I
n
V
CC
= 13 V
关国
o
分钟。
6
1.6
0.13
典型值。
13
马克斯。
26
2.6
0.2
单位
V
A
A
V
K
T
j
= 25
o
C
V
CC
= 13 V
V
CC
= 13 V
o
T
j
= 25
o
C
T
j
= 85 C
35
1.44
5
10
100
2.3
20
最大压降我
OUT
= 7.5 A
输出到GND内部
阻抗
T
j
= 25 C
开关
符号
t
D（上）
(^)
t
r
(^)
t
D（关闭）
(^)
t
f
(^)
（ di / dt的）
on
（ di / dt的）
关闭
参数
导通延迟时间
输出电流
输出上升时间
当前
测试条件
R
OUT
= 5.4
R
OUT
= 5.4
分钟。
5
10
10
10
0.003
0.005
典型值。
25
50
75
35
马克斯。
200
180
250
180
0.1
0.1
单位
s
s
s
s
A / μs的
A / μs的
关断延迟时间为r
OUT
= 5.4
输出电流
秋季输出时间
当前
导通电流斜率
关断电流斜率
R
OUT
= 5.4
R
OUT
= 5.4
R
OUT
= 5.4
逻辑输入
符号
V
IL
V
IH
V
我（ HYST ）。
I
IN
V
ICL
参数
输入低电平
电压
输入高电平
电压
输入滞后
电压
输入电流
输入钳位电压
V
IN
= 5 V
T
j
= 25
o
C
5
I
IN
= 10毫安
I
IN
= -10毫安
3.5
0.2
0.9
30
6
-0.7
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
1.5
()
1.5
100
7
单位
V
V
V
A
V
V
3/9
VND05BSP
电气特性
（续）
保护和诊断功能
符号
V
STAT
V
美元
V
SCL
T
TSD
T
SD （ HYST ）。
T
R
V
OL
I
OL
t
povl
t
POL
参数
状态电压输出
低
欠压合页
下
状态钳位电压
热关断
温度
热关断
迟滞
复位温度
开路电压电平
打开负载电流
水平
状态延迟
状态延迟
关闭状态（注2 ）
导通状态
（注3）
（注3）
50
125
2.5
5
5
500
4
5
180
10
2500
I
STAT
= 10毫安
I
STAT
= -10毫安
测试条件
I
STAT
= 1.6毫安
3.5
5
140
4.5
6
-0.7
160
分钟。
典型值。
马克斯。
0.4
6
7
180
50
单位
V
V
V
V
o
C
C
C
o
o
V
mA
s
s
（ * ）在=额定电流根据对高端汽车开关ISO定义（见注1 ）
注： = （ ^ ）看开关时间波形
注= （ ）的V
IH
在内部钳位在6V左右。所以能够通过一个外部电阻将该引脚连接到一个较高的电压
计算为不超过在输入端销10毫安。
注=注1：额定电流是指在T
c
= 85
o
下进行13V的电池电压产生0.5V的电压降
注=注2 ：我
OL （关闭）
= (V
CC
-V
OL
)/R
OL
注3：吨
povl
t
POL
： ISO定义。
注2有关图
注3相关图
4/9
VND05BSP
开关时间波形
功能说明
该装置具有一个诊断输出哪个
表明负载开路的导通状态，负载开路的
断开状态时，在温度条件和
坚持上到V
CC
.
从输入信号中的下降沿，将
状态输出，最初低信号故障
条件（温度过高或负载开路
导通状态） ，将返回到高电平状态与
不同的延迟在温度过高（ tpovl ）
而在案件分别开开负载（ tpol ）的。
此功能允许歧视性质
检测到的故障。为了保护设备不受
短路和过电流状态，则
热保护器接通电源集成
MOS关在一个最小的结温
140
o
C.当这个温度返回到125
o
C
该开关将自动打开了。在
几乎短路保护无反应
延迟，传感器位于所述电源内
MOS区。该器件的内部功能
确保电感的快速退磁
与典型的电压的负载（Ⅴ
德马格
） -18V的。这
功能可以大大地减少了功率
根据下式耗散：
P
DEM
= 0.5
L
负载
(Ι
负载
)
2
[(V
CC
+V
德马格
)/V
德马格
]
f
其中f =开关频率和
V
德马格
=退磁电压。
这使得芯片的最大电感
温度达到停机温度
在一个指定的热环境是一个函数
负载电流为固定的V
CC
, V
德马格
和f
根据上面的公式。在该装置中，如果
GND引脚断开，与V
CC
不
超过16V时，它会关闭。
保护
该
设备
针对
电池反接
为了防止一个在设备的最简单的方法
连续反向电池电压（ -26V ）是
将1脚（ GND ）之间的肖特基二极管和
地，如图所示，在典型的应用电路
(fig.3).
跨越这个电压下降的后果
二极管如下：
如果输入被拉到电源GND ，负极
-V电压
f
由设备可见。 （VIL ， VIH
阈值和VSTAT都增加了与Vf的
对于电源GND） 。
欠压关断级别increa- SED
通过Vf的。
如果没有必要的控制单元来处理
提到电源外部模拟信号
GND ，最好的办法是连接
所述控制单元的参考电位节点[ 1]
（见应用电路在图3） ，这成为
对于整个控制公用信号接地
板避免了V的转变
ih
, V
il
和V
STAT
。这
溶液允许使用一个标准的二极管。
5/9
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