VND05B
/
VND05B （ 011Y ） / VND05B （ 012Y ）
双通道
高侧智能功率固态继电器
TYPE
VND05B
VND05B （ 011Y ）
VND05B （ 012Y ）
V
DSS
40V
R
DS （ ON）
200m
I
n
(*)
1.6A
V
CC
26 V
输出电流（连续） ： AT 9A
T
c
=85
°
每通道
s
5V逻辑电平兼容的输入
s
热关断
s
欠压保护
s
开漏输出诊断
s
电感的负荷快速退磁
s
非常低STAND -BY功耗
s
HEPTAWATT
（垂直）
HEPTAWATT
（水平）
HEPTAWATT
（在线）
描述
该VND05B ， VND05B （ 011Y ） ， VND05B （ 012Y ）是
a
单片
设备
设计
in
意法半导体的VIPower技术，意
用来驱动阻性或感性负载一个
侧连接到地。本设备具有两个
渠道，共同诊断。内建的
热关断保护从芯片
过热和短路。状态
在输出上提供负载开路的指示
状态，负载开路处于关闭状态，过温
条件和坚持上到V
CC
.
框图
订购代码
HEPTAWATT垂直
VND05B
HEPTAWATT水平VND05B （ 011Y ）
HEPTAWATT在线
VND05B （ 012Y ）
(*) I
n
=额定根据为高端汽车开关ISO定义的电流（见注1 ）
1999年11月
1/11
1
VND05B / VND05B （ 011Y ） / VND05B （ 012Y ）
绝对最大额定值
符号
V
（ BR ） DSS
I
OUT
I
OUT
（ RMS）
I
R
I
IN
-V
CC
I
STAT
V
ESD
P
合计
T
j
T
英镑
参数
漏源击穿电压
输出电流（连续）在T
c
=85°C
RMS输出电流在T
c
= 85 ° C和F >赫兹
反向输出电流在T
c
=85°C
输入电流
反向电源电压
目前状态
静电放电（ R = 1.5KΩ ， C = 100pF的）
在T功耗
c
=25°C
结工作温度
储存温度
价值
40
9
9
-9
+/- 10
-4
+/- 10
2000
59
-40至150
-55到150
单位
V
A
A
A
mA
V
mA
V
W
°C
°C
连接图顶视图
电流和电压公约
2/11
1
VND05B / VND05B （ 011Y ） / VND05B （ 012Y ）
热数据
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
参数
热阻结案件
热阻结到环境
（最大）
（最大）
价值
2.1
60
单位
° C / W
° C / W
电气特性
(8V<V
CC
<16V ; -40
°C≤
T
j
≤
125
°C
;除非另有规定）
动力
符号
V
CC
I
n
(*)
R
ON
I
S
V
DS （ MAX）
R
i
参数
电源电压
额定电流
导通状态电阻
电源电流
最大电压降
输出到GND内部
阻抗
测试康迪特离子
T
c
= 85°C ; V
DS （ ON）
≤0.5V;
V
CC
=13V
I
OUT
=I
n
; V
CC
= 13V ;牛逼
j
=25°C
关闭状态;牛逼
j
= 25°C ; V
CC
=13V
I
OUT
= 7.5A ;牛逼
j
= 85°C ; V
CC
=13V
T
j
=25°C
民
6
1.6
0.13
1.44
5
10
典型值
13
最大
26
2.6
0.2
100
2.3
20
单位
V
A
A
V
K
35
开关
符号
t
D（上）
(^)
t
r
(^)
t
D（关闭）
(^)
t
f
(^)
（ di / dt的）
on
（ di / dt的）
关闭
参数
导通延迟时间
输出电流
上升的输出电流的时间
关断的延迟时间
输出电流
落下的输出电流的时间
导通电流斜率
关断电流斜率
测试条件
R
OUT
=5.4
R
OUT
=5.4
R
OUT
=5.4
R
OUT
=5.4
R
OUT
=5.4
R
OUT
=5.4
民
5
10
10
10
0.003
0.005
典型值
25
50
75
35
最大
200
180
250
180
0.1
0.1
单位
s
s
s
s
A / μs的
A / μs的
逻辑输入
符号
V
IL
V
IH
V
我（ HYST ）
I
IN
V
ICL
输入
输入
输入
输入
参数
低电平电压
高电平电压
滞后电压
当前
测试康迪特离子
民
3.5
0.2
V
IN
= 5V ;牛逼
j
=25°C
I
IN
=10mA
I
IN
=-10mA
5
典型值
最大
1.5
()
1.5
100
7
单位
V
V
V
A
V
V
输入钳位电压
0.9
30
6
-0.7
3/11
1
VND05B / VND05B （ 011Y ） / VND05B （ 012Y ）
电气特性
（续）
保护和诊断
符号
V
STAT
V
美元
V
SCL
T
TSD
T
TSD （ HYST ）
T
R
V
OL
I
OL
t
povl
t
POL
参数
测试条件
低输出电压的状态我
STAT
=1.6mA
欠压的停工
状态钳位电压
I
STAT
= 10毫安
I
STAT
= -10mA
热关断
温度
热关断
滞后温度
复位温度
开路电压电平
打开负载电流水平
过热状态
延迟
打开负载状态的延迟
140
民
3.5
5
典型值
4.5
6
-0.7
160
180
50
125
2.5
5
最大
0.4
6
7
单位
V
V
V
V
°C
°C
°C
V
mA
s
s
关闭状态（注2 ）
在国家
（注3）
（注3）
4
5
180
10
2500
5
50
500
(*) I
n
=额定根据为高端汽车开关ISO定义的电流（见注1 ）
（ ^ ）看开关时间波形
（ ）的V
IH
在内部钳位在6V左右。有可能通过计算不通过外部电阻将该引脚连接到一个较高的电压
超过10 mA的输入引脚。
注1：额定电流是指在T
c
= 85 ℃， 13V的电池电压产生0.5V的电压降
注2 ：我
OL （关闭）
= (V
CC
-V
OL
)/R
OL
注3：吨
povl
t
POL
： ISO定义
注2有关图
注3相关图
4/11
2
VND05B / VND05B （ 011Y ） / VND05B （ 012Y ）
开关时间波形
功能说明
该装置具有用于在发生故障时输出
两个通道指示开路负载的导通
状态，负载开路处于关闭状态，过热
条件和坚持上到V
CC
.
从输入信号的下降沿时，状态
输出，起初低到信号故障条件
（通态过热或开路） ，会去
备份到高状态具有不同的延迟的情况下
过温（T
povl
），并在开放的情况下，负载
(t
POL
）分别。此功能允许
辨别所检测到的故障的性质。对
保护器件免受短路和
过流条件下，热保护变成
集成的功率MOS关在最低限度
140结温
°
C.当此
温度恢复至125
°C
该开关是
自动上缴了。在短路的
几乎没有延迟，传感器保护反应
（每个声道一个）位于内侧的每个
这两个功率MOS区。这种定位
允许该设备与在一个信道操作
自动热循环，并在另一
正常负荷。该器件的内部功能
确保电感的快速退磁
与典型的电压的负载（Ⅴ
德马格
） -18V的。这
功能可以大大降低功率
根据下式耗散：
P
DEM
= 0.5
L
负载
(I
负载
)
2
[(V
CC
+V
德马格
)/V
德马格
]
f
其中f =开关频率和
V
德马格
=退磁电压。
这使得芯片的最大电感
温度到达切断温度在
一个指定的热环境是一个函数
负载电流为固定的V
CC
, V
德马格
和f
根据上面的公式。在该装置中，如果
GND引脚断开，与V
CC
不超过
16V，两个通道将关闭。
保护
该
电池反接
设备
针对
为了防止一个在设备的最简单的方法
连续反向电池电压（ -26V ）是
插入销2 （GND）之间的肖特基二极管和
地，如图所示，在典型的应用电路
（图2）。
跨越这个电压下降的后果
二极管如下：
- 如果输入被拉至电源GND ，负极
-V电压
f
由设备可见。 （V
il
, V
ih
阈值和V
STAT
增加了V
f
同
对于电源GND） 。
- 欠压关断层面增加
V
f
.
如果没有必要的控制单元来处理
提到电源外部模拟信号
GND ，最好的办法是连接
所述控制单元的基准电位，该装置
地面（见应用电路在图3中），其
成为整个公用信号接地
控制板避免了换挡的V
il
, V
ih
和V
STAT
.
该解决方案允许使用标准二极管。
5/11
VND05B
/
VND05B （ 011Y ） / VND05B （ 012Y ）
双通道
高侧智能功率固态继电器
TYPE
VND05B
VND05B （ 011Y ）
VND05B （ 012Y ）
V
DSS
40V
R
DS （ ON）
200m
I
n
(*)
1.6A
V
CC
26 V
输出电流（连续） ： AT 9A
T
c
=85
°
每通道
s
5V逻辑电平兼容的输入
s
热关断
s
欠压保护
s
开漏输出诊断
s
电感的负荷快速退磁
s
非常低STAND -BY功耗
s
HEPTAWATT
（垂直）
HEPTAWATT
（水平）
HEPTAWATT
（在线）
描述
该VND05B ， VND05B （ 011Y ） ， VND05B （ 012Y ）是
a
单片
设备
设计
in
意法半导体的VIPower技术，意
用来驱动阻性或感性负载一个
侧连接到地。本设备具有两个
渠道，共同诊断。内建的
热关断保护从芯片
过热和短路。状态
在输出上提供负载开路的指示
状态，负载开路处于关闭状态，过温
条件和坚持上到V
CC
.
框图
订购代码
HEPTAWATT垂直
VND05B
HEPTAWATT水平VND05B （ 011Y ）
HEPTAWATT在线
VND05B （ 012Y ）
(*) I
n
=额定根据为高端汽车开关ISO定义的电流（见注1 ）
1999年11月
1/11
1
VND05B / VND05B （ 011Y ） / VND05B （ 012Y ）
绝对最大额定值
符号
V
（ BR ） DSS
I
OUT
I
OUT
（ RMS）
I
R
I
IN
-V
CC
I
STAT
V
ESD
P
合计
T
j
T
英镑
参数
漏源击穿电压
输出电流（连续）在T
c
=85°C
RMS输出电流在T
c
= 85 ° C和F >赫兹
反向输出电流在T
c
=85°C
输入电流
反向电源电压
目前状态
静电放电（ R = 1.5KΩ ， C = 100pF的）
在T功耗
c
=25°C
结工作温度
储存温度
价值
40
9
9
-9
+/- 10
-4
+/- 10
2000
59
-40至150
-55到150
单位
V
A
A
A
mA
V
mA
V
W
°C
°C
连接图顶视图
电流和电压公约
2/11
1
VND05B / VND05B （ 011Y ） / VND05B （ 012Y ）
热数据
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
参数
热阻结案件
热阻结到环境
（最大）
（最大）
价值
2.1
60
单位
° C / W
° C / W
电气特性
(8V<V
CC
<16V ; -40
°C≤
T
j
≤
125
°C
;除非另有规定）
动力
符号
V
CC
I
n
(*)
R
ON
I
S
V
DS （ MAX）
R
i
参数
电源电压
额定电流
导通状态电阻
电源电流
最大电压降
输出到GND内部
阻抗
测试条件
T
c
= 85°C ; V
DS （ ON）
≤0.5V;
V
CC
=13V
I
OUT
=I
n
; V
CC
= 13V ;牛逼
j
=25°C
关闭状态;牛逼
j
= 25°C ; V
CC
=13V
I
OUT
= 7.5A ;牛逼
j
= 85°C ; V
CC
=13V
T
j
=25°C
民
6
1.6
0.13
1.44
5
10
典型值
13
最大
26
2.6
0.2
100
2.3
20
单位
V
A
A
V
K
35
开关
符号
t
D（上）
(^)
t
r
(^)
t
D（关闭）
(^)
t
f
(^)
（ di / dt的）
on
（ di / dt的）
关闭
参数
导通延迟时间
输出电流
上升的输出电流的时间
关断的延迟时间
输出电流
落下的输出电流的时间
导通电流斜率
关断电流斜率
测试条件
R
OUT
=5.4
R
OUT
=5.4
R
OUT
=5.4
R
OUT
=5.4
R
OUT
=5.4
R
OUT
=5.4
民
5
10
10
10
0.003
0.005
典型值
25
50
75
35
最大
200
180
250
180
0.1
0.1
单位
s
s
s
s
A / μs的
A / μs的
逻辑输入
符号
V
IL
V
IH
V
我（ HYST ）
I
IN
V
ICL
参数
输入低电平电压
输入高电平电压
输入电压滞后
输入电流
输入钳位电压
测试条件
民
3.5
0.2
V
IN
= 5V ;牛逼
j
=25°C
I
IN
=10mA
I
IN
=-10mA
5
典型值
最大
1.5
()
1.5
100
7
单位
V
V
V
A
V
V
0.9
30
6
-0.7
3/11
1
VND05B / VND05B （ 011Y ） / VND05B （ 012Y ）
电气特性
（续）
保护和诊断
符号
V
STAT
V
美元
V
SCL
T
TSD
T
TSD （ HYST ）
T
R
V
OL
I
OL
t
povl
t
POL
参数
测试条件
低输出电压的状态我
STAT
=1.6mA
欠压的停工
状态钳位电压
I
STAT
= 10毫安
I
STAT
= -10mA
热关断
温度
热关断
滞后温度
复位温度
开路电压电平
打开负载电流水平
过热状态
延迟
打开负载状态的延迟
140
民
3.5
5
典型值
4.5
6
-0.7
160
180
50
125
2.5
5
最大
0.4
6
7
单位
V
V
V
V
°C
°C
°C
V
mA
s
s
关闭状态（注2 ）
在国家
（注3）
（注3）
4
5
180
10
2500
5
50
500
(*) I
n
=额定根据为高端汽车开关ISO定义的电流（见注1 ）
（ ^ ）看开关时间波形
（ ）的V
IH
在内部钳位在6V左右。有可能通过计算不通过外部电阻将该引脚连接到一个较高的电压
超过10 mA的输入引脚。
注1：额定电流是指在T
c
= 85 ℃， 13V的电池电压产生0.5V的电压降
注2 ：我
OL （关闭）
= (V
CC
-V
OL
)/R
OL
注3：吨
povl
t
POL
： ISO定义
注2有关图
注3相关图
4/11
2
VND05B / VND05B （ 011Y ） / VND05B （ 012Y ）
开关时间波形
功能说明
该装置具有用于在发生故障时输出
两个通道指示开路负载的导通
状态，负载开路处于关闭状态，过热
条件和坚持上到V
CC
.
从输入信号的下降沿时，状态
输出，起初低到信号故障条件
（通态过热或开路） ，会去
备份到高状态具有不同的延迟的情况下
过温（T
povl
），并在开放的情况下，负载
(t
POL
）分别。此功能允许
辨别所检测到的故障的性质。对
保护器件免受短路和
过流条件下，热保护变成
集成的功率MOS关在最低限度
140结温
°
C.当此
温度恢复至125
°C
该开关是
自动上缴了。在短路的
几乎没有延迟，传感器保护反应
（每个声道一个）位于内侧的每个
这两个功率MOS区。这种定位
允许该设备与在一个信道操作
自动热循环，并在另一
正常负荷。该器件的内部功能
确保电感的快速退磁
与典型的电压的负载（Ⅴ
德马格
） -18V的。这
功能可以大大降低功率
根据下式耗散：
P
DEM
= 0.5
L
负载
(I
负载
)
2
[(V
CC
+V
德马格
)/V
德马格
]
f
其中f =开关频率和
V
德马格
=退磁电压。
这使得芯片的最大电感
温度到达切断温度在
一个指定的热环境是一个函数
负载电流为固定的V
CC
, V
德马格
和f
根据上面的公式。在该装置中，如果
GND引脚断开，与V
CC
不超过
16V，两个通道将关闭。
保护
该
电池反接
设备
针对
为了防止一个在设备的最简单的方法
连续反向电池电压（ -26V ）是
插入销2 （GND）之间的肖特基二极管和
地，如图所示，在典型的应用电路
（图2）。
跨越这个电压下降的后果
二极管如下：
- 如果输入被拉至电源GND ，负极
-V电压
f
由设备可见。 （V
il
, V
ih
阈值和V
STAT
增加了V
f
同
对于电源GND） 。
- 欠压关断层面增加
V
f
.
如果没有必要的控制单元来处理
提到电源外部模拟信号
GND ，最好的办法是连接
所述控制单元的基准电位，该装置
地面（见应用电路在图3中），其
成为整个公用信号接地
控制板避免了换挡的V
il
, V
ih
和V
STAT
.
该解决方案允许使用标准二极管。
5/11
QQ：2880707522 复制
