VNB35NV04 / VNP35NV04
/
VNV35NV04 / VNW35NV04
“ OMNIFET II ” ：
岗AUTOPROTECTED功率MOSFET
TYPE
VNB35NV04
VNP35NV04
VNV35NV04
VNW35NV04
（*）对于PowerSO -10只
R
DS （ ON）
I
LIM
V
钳
10
10 m (*)
30 A
40 V
1
3
1
D
2
PAK
PowerSO-10
n
线性电流限制
n
热关机
n
短路保护
n
综合CLAMP
n
低电流消耗在输入PIN
n
诊断反馈通过投入
3
1
2
1
3
2
TO-220
TO-247
针
n
ESD保护
n
直接进入之门
功率MOSFET （模拟驱动）
n
兼容标准电源
MOSFET
订购代码：
VNB35NV04
D
2
PAK
TO-220
VNP35NV04
VNV35NV04
PowerSO-10
TO-247
VNW35NV04
描述
该VNB35NV04 ， VNP35NV04 ， VNV35NV04 ，
VNW35NV04是设计在单片器件
意法半导体的VIPower M0-3技术，
框图
用于替换标准的电源
从DC MOSFET，最高到25KHz的应用程序。
内置热关断，线性电流限制
和过压钳位保护在恶劣的芯片
环境。故障的反馈可以由被检测
监测电压在输入引脚。
漏
2
过压
钳
输入
1
门
控制
过度
温度
线性
当前
限
3
来源
FC01000
2004年3月
1/19
VNB35NV04 / VNP35NV04 / VNV35NV04 / VNW35NV04
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
IN
I
IN
R
在MIN
I
D
I
R
V
ESD1
V
ESD2
P
合计
T
j
T
c
T
英镑
参数
漏源电压（V
IN
=0V)
输入电压
输入电流
最小输入阻抗系列
漏电流
反向DC输出电流
静电放电（ R = 1.5KΩ ， C = 100pF的）
只输出引脚的静电释放
（ R = 330Ω ， C = 150pF的）
总功耗在T
c
=25°C
工作结温
情况下的工作温度
储存温度
价值
TO-220
PowerSO-10
PAK
内部钳位
内部钳位
+/-20
4.7
内部限制
-30
4000
2
单位
TO-247
V
V
mA
A
A
V
V
208
W
°C
°C
°C
16500
125
125
125
内部限制
内部限制
-55到150
连接图（ TOP VIEW ）
输入
输入
输入
输入
输入
6
7
8
9
10
11
漏
5
4
3
2
1
来源
来源
北卡罗来纳州
来源
来源
（* ）为销的配置相关的TO- 220，TO- 247 ，D
2
PAK ，看到提纲第1页。
电流和电压公约
I
D
V
DS
漏
I
IN
R
IN
输入
来源
V
IN
2/19
VNB35NV04 / VNP35NV04 / VNV35NV04 / VNW35NV04
热数据
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
(*)
当
PowerSO-10
热阻结案件} } } MAX
1
热阻结到环境最大
50(*)
参数
价值
D2PAK
1
50(*)
TO-220
1
50
TO-247
0.6
30
单位
° C / W
° C / W
安装在一个标准的单面FR4板为50mm
2
铜（至少35个
m
厚）连接到所有漏引脚。
电气特性
（ -40°C <牛逼
j
< 150℃，除非另有规定）
关闭
符号
V
钳
V
CLTH
V
INTH
I
国际空间站
V
INCL
I
DSS
参数
漏极 - 源极钳位
电压
漏极 - 源极钳位
阈值电压
输入阈值电压
从输入电源电流
针
输入源钳位
电压
零输入电压漏
电流（V
IN
=0V)
测试条件
V
IN
= 0V ;我
D
=15A
V
IN
= 0V ;我
D
=2mA
V
DS
=V
IN
; I
D
=1mA
V
DS
=0V; V
IN
=5V
I
IN
=1mA
I
IN
=-1mA
V
DS
=13V; V
IN
= 0V ;牛逼
j
=25°C
V
DS
=25V; V
IN
=0V
6
-1.0
民
40
36
0.5
100
6.8
2.5
150
8
-0.3
30
75
典型值
45
最大
55
单位
V
V
V
A
V
A
ON
最大
符号
参数
静态漏源
阻力
测试条件
V
IN
= 5V ;我
D
= 15A ;牛逼
j
=25°C
V
IN
= 5V ;我
D
= 15A ;牛逼
j
=150°C
PowerSO-10
10
20
D
2
PAK
的TO-220 / TO-247
13
24
单位
R
DS （ ON）
m
3/19
1
VNB35NV04 / VNP35NV04 / VNV35NV04 / VNW35NV04
电气特性（续）
(T
j
= 25 ℃，除非另有规定）
动态
符号
g
fs
(*)
C
OSS
参数
前锋
跨
输出电容
测试条件
V
DD
= 13V ;我
D
=15A
V
DS
= 13V ; F = 1MHz的; V
IN
=0V
民
典型值
35
1300
最大
单位
S
pF
开关
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
（ di / dt的）
on
Q
i
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通电流斜率
总的输入充电
测试条件
V
DD
= 15V ;我
D
=15A
V
根
= 5V ;
根
=R
在MIN
=4.7
（参见图1）
V
DD
= 15V ;我
D
=15A
V
根
= 5V ;
根
=2.2K
（参见图1）
V
DD
= 15V ;我
D
=15A
V
根
= 5V ;
根
=R
在MIN
=4.7
V
DD
= 12V ;我
D
= 15A ; V
IN
=5V
I
根
= 2.13毫安（参见图5）
民
典型值
150
840
980
600
4
27
34
31
18
118
最大
500
2500
3000
1500
12
100
120
110
单位
ns
ns
ns
ns
s
s
s
s
A / μs的
nC
源漏二极管
符号
V
SD
(*)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
SD
= 15A ; V
IN
=0V
I
SD
= 15A ;的di / dt = 100A / μs的
V
DD
= 30V ; L = 200μH
民
典型值
0.8
400
1.4
7
最大
单位
V
ns
C
A
反向恢复电流（见测试电路，图2）
栅栏（ -40°C <牛逼
j
< 150℃，除非另有规定）
符号
I
LIM
t
DLIM
T
JSH
T
JRS
I
gf
E
as
参数
漏电流限制
阶跃响应电流
极限
过热
关闭
过热复位
故障灌电流
单脉冲
雪崩能量
测试条件
V
IN
=6V; V
DS
=13V
V
IN
=6V; V
DS
=13V
民
30
典型值
45
50
150
135
10
1.7
175
200
最大
60
单位
A
s
°C
°C
mA
J
V
IN
=5V; V
DS
= 13V ;牛逼
j
=T
JSH
起始物为
j
= 25°C ; V
DD
=24V
V
IN
= 5V ;
根
=R
在MIN
= 4.7Ω ; L = 24mH
（参见图3 & 4）
15
20
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/19
2
VNB35NV04 / VNP35NV04 / VNV35NV04 / VNW35NV04
保护功能
在正常操作时，输入引脚
电连接到所述内部的栅
通过一个低阻抗路径的功率MOSFET 。
那么该设备就像一个标准的电源
MOSFET和可被用作从直流开关
到25KHz的。从用户的唯一的区别
观点出发是一个小直流电流I
国际空间站
（典型值。
100
A）流入输入引脚，以供应
的内部电路。
该器件集成：
- 过电压钳位保护：
内部设定为45V ，随着崎岖
功率MOSFET的雪崩特性
舞台给这个设备无与伦比的耐用性和
能量处理能力。此功能主要是
重要的驱动感性负载时。
- 线性电流限制电路：
限制了漏极电流I
D
到我
LIM
无论
输入引脚的电压是。当限流器是
活性，器件工作在线性区域中，所以
功耗可能超过的能力
散热器。这两种情况下，与结温
增加，并且如果这个阶段持续足够长的时间，
连接点
温度
五月
到达
该
过热阈值T
JSH
.
- 过热和短路
保护：
这些是基于感测芯片的温度
并且不依赖于输入电压。该
传感元件在芯片上的位置
功率级区域，确保快速，准确的检测
的结温。过热
切口发生在范围为150 190℃ ，典型
值是170℃。该设备是自动
当芯片温度下降约重启
15 ℃以下，停机的温度。
- 状态反馈信号：
在过温故障状态的情况下
(T
j
＆ GT ;吨
JSH
） ，设备会尝试下沉诊断
电流I
gf
通过输入引脚，以
指示故障状态。如果从低驱动
阻抗源，该电流可以被用于
以警告的装置的控制电路
关机。如果驱动器的阻抗足够高
使得输入引脚驱动器不能够提供
目前我
gf
，在输入引脚将降至0V 。
这
不会但是影响设备的操作：
不要求被放置在所述电流能力
以外的输入引脚驱动器，以便能够
供正常运行的驱动电流I
国际空间站
.
该器件的其他特点是ESD
根据人体模型保护
并从一个TTL逻辑驱动能力
电路。
5/19
VNB35NV04 / VNP35NV04
/
VNV35NV04 / VNW35NV04
“ OMNIFET II ” ：
岗AUTOPROTECTED功率MOSFET
TYPE
VNB35NV04
VNP35NV04
VNV35NV04
VNW35NV04
（*）对于PowerSO -10只
R
DS （ ON）
I
LIM
V
钳
10
10 m (*)
30 A
40 V
1
3
1
D
2
PAK
PowerSO-10
n
线性电流限制
n
热关机
n
短路保护
n
综合CLAMP
n
低电流消耗在输入PIN
n
诊断反馈通过投入
3
1
2
1
3
2
TO-220
TO-247
针
n
ESD保护
n
直接进入之门
功率MOSFET （模拟驱动）
n
兼容标准电源
MOSFET
订购代码：
VNB35NV04
D
2
PAK
TO-220
VNP35NV04
VNV35NV04
PowerSO-10
TO-247
VNW35NV04
描述
该VNB35NV04 ， VNP35NV04 ， VNV35NV04 ，
VNW35NV04是设计在单片器件
意法半导体的VIPower M0-3技术，
框图
用于替换标准的电源
从DC MOSFET，最高到25KHz的应用程序。
内置热关断，线性电流限制
和过压钳位保护在恶劣的芯片
环境。故障的反馈可以由被检测
监测电压在输入引脚。
漏
2
过压
钳
输入
1
门
控制
过度
温度
线性
当前
限
3
来源
FC01000
2003年7月
1/19
VNB35NV04 / VNP35NV04 / VNV35NV04 / VNW35NV04
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
IN
I
IN
R
在MIN
I
D
I
R
V
ESD1
V
ESD2
P
合计
T
j
T
c
T
英镑
参数
漏源电压（V
IN
=0V)
输入电压
输入电流
最小输入阻抗系列
漏电流
反向DC输出电流
静电放电（ R = 1.5KΩ ， C = 100pF的）
只输出引脚的静电释放
（ R = 330Ω ， C = 150pF的）
总功耗在T
c
=25°C
工作结温
情况下的工作温度
储存温度
价值
PowerSO-10
TO-220
内部钳位
内部钳位
+/-20
4.7
内部限制
-30
4000
16500
125
125
125
内部限制
内部限制
-55到150
208
D
2
PAK
TO-247
V
V
mA
A
A
V
V
W
°C
°C
°C
单位
连接图（ TOP VIEW ）
输入
输入
输入
输入
输入
6
7
8
9
10
11
漏
5
4
3
2
1
来源
来源
北卡罗来纳州
来源
来源
（* ）为销的配置相关的TO- 220，TO- 247 ，D
2
PAK ，看到提纲第1页。
电流和电压公约
I
D
V
DS
漏
I
IN
R
IN
输入
来源
V
IN
2/19
VNB35NV04 / VNP35NV04 / VNV35NV04 / VNW35NV04
热数据
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
(*)
当
PowerSO-10
热阻结案件} } } MAX
1
热阻结到环境最大
50(*)
参数
价值
D2PAK
1
50(*)
TO-220
1
50
TO-247
0.6
30
单位
° C / W
° C / W
安装在一个标准的单面FR4板为50mm
2
铜（至少35个
m
厚）连接到所有漏引脚。
电气特性
（ -40°C <牛逼
j
< 150℃，除非另有规定）
关闭
符号
V
钳
V
CLTH
V
INTH
I
国际空间站
V
INCL
I
DSS
参数
漏极 - 源极钳位
电压
漏极 - 源极钳位
阈值电压
输入阈值电压
从输入电源电流
针
输入源钳位
电压
零输入电压漏
电流（V
IN
=0V)
测试条件
V
IN
= 0V ;我
D
=15A
V
IN
= 0V ;我
D
=2mA
V
DS
=V
IN
; I
D
=1mA
V
DS
=0V; V
IN
=5V
I
IN
=1mA
I
IN
=-1mA
V
DS
=13V; V
IN
= 0V ;牛逼
j
=25°C
V
DS
=25V; V
IN
=0V
6
-1.0
民
40
36
0.5
100
6.8
2.5
150
8
-0.3
30
75
典型值
45
最大
55
单位
V
V
V
A
V
A
ON
最大
符号
参数
静态漏源
阻力
测试条件
V
IN
= 5V ;我
D
= 15A ;牛逼
j
=25°C
V
IN
= 5V ;我
D
= 15A ;牛逼
j
=150°C
PowerSO-10
10
20
D
2
PAK
的TO-220 / TO-247
13
24
单位
R
DS （ ON）
m
3/19
1
VNB35NV04 / VNP35NV04 / VNV35NV04 / VNW35NV04
电气特性（续）
(T
j
= 25 ℃，除非另有规定）
动态
符号
g
fs
(*)
C
OSS
参数
前锋
跨
输出电容
测试条件
V
DD
= 13V ;我
D
=15A
V
DS
= 13V ; F = 1MHz的; V
IN
=0V
民
典型值
35
1300
最大
单位
S
pF
开关
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
（ di / dt的）
on
Q
i
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通电流斜率
总的输入充电
测试条件
V
DD
= 15V ;我
D
=15A
V
根
= 5V ;
根
=R
在MIN
=4.7
（参见图1）
V
DD
= 15V ;我
D
=15A
V
根
= 5V ;
根
=2.2K
（参见图1）
V
DD
= 15V ;我
D
=15A
V
根
= 5V ;
根
=R
在MIN
=4.7
V
DD
= 12V ;我
D
= 15A ; V
IN
=5V
I
根
= 2.13毫安（参见图5）
民
典型值
150
840
980
600
4
27
34
31
18
118
最大
500
2500
3000
1500
12
100
120
110
单位
ns
ns
ns
ns
s
s
s
s
A / μs的
nC
源漏二极管
符号
V
SD
(*)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
SD
= 15A ; V
IN
=0V
I
SD
= 15A ;的di / dt = 100A / μs的
V
DD
= 30V ; L = 200μH
民
典型值
0.8
400
1.4
7
最大
单位
V
ns
C
A
反向恢复电流（见测试电路，图2）
栅栏（ -40°C <牛逼
j
< 150℃，除非另有规定）
符号
I
LIM
t
DLIM
T
JSH
T
JRS
I
gf
E
as
参数
漏电流限制
阶跃响应电流
极限
过热
关闭
过热复位
故障灌电流
单脉冲
雪崩能量
测试条件
V
IN
=6V; V
DS
=13V
V
IN
=6V; V
DS
=13V
民
30
典型值
45
50
150
135
10
1.7
175
200
最大
60
单位
A
s
°C
°C
mA
J
V
IN
=5V; V
DS
= 13V ;牛逼
j
=T
JSH
起始物为
j
= 25°C ; V
DD
=24V
V
IN
= 5V ;
根
=R
在MIN
= 4.7Ω ; L = 24mH
（参见图3 & 4）
15
20
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/19
2
VNB35NV04 / VNP35NV04 / VNV35NV04 / VNW35NV04
保护功能
在正常操作时，输入引脚
电连接到所述内部的栅
通过一个低阻抗路径的功率MOSFET 。
那么该设备就像一个标准的电源
MOSFET和可被用作从直流开关
到25KHz的。从用户的唯一的区别
观点出发是一个小直流电流I
国际空间站
（典型值。
100
A）流入输入引脚，以供应
的内部电路。
该器件集成：
- 过电压钳位保护：
内部设定为45V ，随着崎岖
功率MOSFET的雪崩特性
舞台给这个设备无与伦比的耐用性和
能量处理能力。此功能主要是
重要的驱动感性负载时。
- 线性电流限制电路：
限制了漏极电流I
D
到我
LIM
无论
输入引脚的电压是。当限流器是
活性，器件工作在线性区域中，所以
功耗可能超过的能力
散热器。这两种情况下，与结温
增加，并且如果这个阶段持续足够长的时间，
连接点
温度
五月
到达
该
过热阈值T
JSH
.
- 过热和短路
保护：
这些是基于感测芯片的温度
并且不依赖于输入电压。该
传感元件在芯片上的位置
功率级区域，确保快速，准确的检测
的结温。过热
切口发生在范围为150 190℃ ，典型
值是170℃。该设备是自动
当芯片温度下降约重启
15 ℃以下，停机的温度。
- 状态反馈信号：
在过温故障状态的情况下
(T
j
＆ GT ;吨
JSH
） ，设备会尝试下沉诊断
电流I
gf
通过输入引脚，以
指示故障状态。如果从低驱动
阻抗源，该电流可以被用于
以警告的装置的控制电路
关机。如果驱动器的阻抗足够高
使得输入引脚驱动器不能够提供
目前我
gf
，在输入引脚将降至0V 。
这
不会但是影响设备的操作：
不要求被放置在所述电流能力
以外的输入引脚驱动器，以便能够
供正常运行的驱动电流I
国际空间站
.
该器件的其他特点是ESD
根据人体模型保护
并从一个TTL逻辑驱动能力
电路。
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