VNP20N07FI
VNB20N07/VNV20N07
"OMNIFET" ：
岗AUTOPROTECTED功率MOSFET
TYPE
VNP20N07FI
VNB20N07
VNV20N07
s
s
s
s
s
s
V
钳
70 V
70 V
70 V
R
DS （ ON）
0.05
0.05
0.05
I
LIM
20 A
20 A
20 A
s
s
s
线性电流限制
热关机
短路保护
综合CLAMP
低电流消耗在输入PIN
诊断反馈通过投入
针
ESD保护
直接进入之门
功率MOSFET （模拟驱动）
兼容标准电源
MOSFET
ISOWATT220
1
2
3
10
3
1
1
描述
该VNP20N07FI ， VNB20N07和VNV20N07
是
单片
器件
制作
运用
意法半导体VlPower M0技术，
用于替换标准的电源
MOSFET，在直流电到50KHz的应用程序。内建的
热关断，线性电流限制和
过压钳位保护在恶劣的芯片
框图（ * ）
D2PAK
TO-263
PowerSO-10
enviroments 。
故障的反馈可以通过监视来检测
电压在输入引脚。
（ * ） PowerSO - 10引脚配置：输入= 6,7,8,9,10 ; SOURCE = 1,2,4,5 ;排水= TAB
1998年6月
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VNP20N07FI-VNB20N07-VNV20N07
绝对最大额定值
符号
参数
PowerSO-10
D2PAK
V
DS
V
in
I
D
I
R
V
ESD
P
合计
T
j
T
c
T
英镑
漏源电压（V
in
= 0)
输入电压
漏电流
反向DC输出电流
静电放电（ C = 100 pF的， R = 1.5 KΩ ）
总功耗在T
c
= 25
o
C
工作结温
情况下的工作温度
储存温度
83
内部限制
内部限制
-55到150
价值
ISOWATT220
V
V
A
A
V
34
W
o
o
o
单位
内部钳位
18
内部限制
-28
2000
C
C
C
热数据
ISOWATT220
R
THJ情况
热阻结案件
R
THJ - AMB
热阻结到环境
最大
最大
3.75
62.5
PowerSO-10
1.5
50
D2PAK
1.5
62.5
o
o
C / W
C / W
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
符号
V
钳
V
CLTH
V
INCL
I
DSS
I
我是SS
参数
漏极 - 源极钳位
电压
漏极 - 源极钳位
阈值电压
输入源反向
钳位电压
零输入电压
漏电流（V
in
= 0)
从供电电流
输入引脚
测试条件
I
D
= 200毫安
I
D
= 2毫安
I
in
= -1毫安
V
DS
= 13 V
V
DS
= 25 V
V
DS
= 0 V
V
in
= 0
V
in
= 0
V
in
= 10 V
250
V
in
= 0
V
in
= 0
分钟。
60
55
-1
-0.3
50
200
500
典型值。
70
马克斯。
80
单位
V
V
V
A
A
A
开（ *）
符号
V
IN（日）
R
DS （ ON）
参数
输入阈值
电压
静态漏源
阻力
V
DS
= V
in
测试条件
I
D
+ Ii
n
= 1毫安
分钟。
0.8
典型值。
马克斯。
3
0.05
0.07
单位
V
V
in
= 10 V I
D
= 10 A
V
in
= 5 V
I
D
= 10 A
动态
符号
g
fs
()
C
OSS
2/13
参数
前锋
跨
输出电容
测试条件
V
DS
= 13 V
V
DS
= 13 V
I
D
= 10 A
F = 1 MHz的
V
in
= 0
分钟。
13
典型值。
17
500
800
马克斯。
单位
S
pF
VNP20N07FI-VNB20N07-VNV20N07
电气特性
（续）
开关
()
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
（ di / dt的）
on
Q
i
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通电流斜率
总的输入充电
测试条件
V
DD
= 15 V
V
根
= 10 V
（参见图3）
V
DD
= 15 V
V
根
= 10 V
（参见图3）
V
DD
= 15 V
V
in
= 10 V
V
DD
= 12 V
I
d
= 10 A
R
根
= 10
分钟。
典型值。
90
240
430
150
800
1.5
6
3.5
60
60
马克斯。
180
400
800
300
1200
2.2
10
5.5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
A / μs的
nC
I
d
= 10 A
R
根
= 1000
I
D
= 10 A
R
根
= 10
I
D
= 10 A
V
in
= 10 V
源漏二极管
符号
V
SD
()
t
rr
()
Q
rr
()
I
RRM
()
参数
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 10 A
测试条件
V
in
= 0
165
0.55
6.5
分钟。
典型值。
马克斯。
1.6
单位
V
ns
C
A
I
SD
= 10 A
的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 30 V
T
j
= 25
o
C
（见测试电路，图5 ）
保护
符号
I
LIM
t
DLIM
()
T
JSH
()
T
JRS
()
I
gf
()
E
as
()
参数
漏电流限制
阶跃响应
电流限制
过热
关闭
过热复位
故障灌电流
单脉冲
雪崩能量
V
in
= 10 V
V
in
= 5 V
起始物为
j
= 25
o
C
V
DD
= 20 V
V
in
= 10 V R
根
= 1 KΩ L = 10毫亨
0.95
V
in
= 10 V
V
in
= 5 V
V
in
= 10 V
V
in
= 5 V
150
135
50
20
测试条件
V
DS
= 13 V
V
DS
= 13 V
分钟。
14
14
典型值。
20
20
29
70
马克斯。
28
28
60
140
单位
A
A
s
s
o
C
C
o
mA
mA
J
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ** ）设计/特性保证参数
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VNP20N07FI-VNB20N07-VNV20N07
保护功能
在正常操作时，输入引脚
电连接到所述内部的栅
功率MOSFET 。那么该设备就像一个
标准功率MOSFET ，并且可以用作
切换从直流到50KHz 。唯一的区别
从用户的观点看是一个小的直流
电流（I
国际空间站
）流入输入引脚，以
供给内部电路。
该器件集成：
-
过热和短路
保护：这些都是基于传感
芯片的温度，并且不依赖于
输入电压。感测的位置
在功率级区域中的芯片上的元件
确保快速，准确的检测结
温度。温度熔断器发生在
最低150
o
C.该设备是自动
当芯片温度下降重新启动
低于135
o
C.
-
过压
钳
保护：
内部设定为70V ，随着崎岖
电源的雪崩特性
MOSFET级给这个设备无可比拟
耐用性和能量处理能力。
开车时，此功能主要是重要的
感性负载。
漏极电流Id到伊利姆无论输入
引脚电压。当限流器是活动的，
该设备工作于线状区域，从而
功耗可能超过的能力
散热器。这两种情况下，和结
温度提高，而如果这个阶段持续
足够长的时间，结温可达
过温阈值T
JSH
.
-
状态反馈信号：在发生的情况下，
过热故障状态，一个状态
反馈是通过输入引脚提供。
内部保护电路断开
从栅极输入，而是将其连接到
通过100的等效电阻接地
.
该故障可以通过监视来检测
电压输入引脚，这将接近
地电位。
该器件的其他特点是ESD
根据人体模型保护
并从一个TTL逻辑驱动能力
电路（与在研发小幅增加
DS （ ON）
).
-
线性电流限幅电路：限制
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VNP20N07FI-VNB20N07-VNV20N07
对于ISOWATT220热阻抗
为D2PAK热阻抗/ PowerSO - 10
降额曲线
输出特性
跨
静态漏源导通电阻与输入
电压
5/13
QQ：2881677436 复制
