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VN770P

四路智能电源固态继电器

有关完整的H桥配置

牛逼YPE

VN770P

DS （ ON）

0.270

OUT

9 A

26 V

一侧的桥配置*总电阻

理想的低电压桥

线性电流限制

非常低备用电源

耗散

短路保护功能

状态标志诊断

开漏输出诊断

集成钳位电路

欠压保护

ESD保护

SO-28

描述

该VN770P是由三个形成的器件

装在一个标准SO28单片芯片

包装：双高边和两个低边

开关。无论是双高边和低边

开关采用意法半导体制成

的VIPower技术。此装置适用于

驱动桥配置的直流电动机，以及

作为要用作四开关为任何低

施加电压。双高边开关

具有内置热关断保护

从以上的温度和短路芯片，

状态输出提供指示的开路负载

在关闭和开启状态，过温条件

并坚持上到V

。低压侧开关

2 OMNIFET类型（完全autoprotected电源

在MOSFET的VIPower 技术）。他们有

内置热关断，线性电流限制

和过压钳位。故障反馈

热干预可以通过检测

监测电压在输入引脚。

双通道高边开关

从输入信号中的下降沿，将

状态输出，最初低信号故障

条件（温度过高或负载开路

导通状态），将返回到高电平状态与

不同的延迟在温度过高（ tpovl ）

而在开放的情况下，开放式负载（

TPOL

）分别。

此功能允许歧视性质

检测到的故障。为了保护设备不受

1998年9月

短路和过电流状态，则

热保护器接通电源集成

MOS关在一个最小的结温

140

C.当这个温度返回到125

该开关将自动打开了。在

几乎短路保护无反应

延迟，传感器（每个信道）被

位于内每两个功率MOS领域。

这种定位使得与操作设备

自动热循环和一个通道

另外一个在正常负载。一个内部函数

设备的保证了快速退磁

的感性负载具有典型的电压（V

德马格

)

的-18V 。此功能允许大大降低

根据下式的功耗：

DEM

= 0.5

负载

)

[(V

德马格

)/V

德马格

]

其中f =开关频率和

德马格

=退磁电压。

在该装置中，如果GND引脚断开，用

不超过16V ，两个频道将切换

关。

低边开关

在正常操作时，输入引脚

电连接到所述内部的栅

功率MOSFET 。那么该设备就像一个

标准功率MOSFET ，并且可以用作

切换从直流到50KHz 。唯一的区别

从用户的观点看是一个小的直流

电流（I

国际空间站

）流入输入引脚，以

供给内部电路。

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VN770P

框图

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VN770P

接线图

引脚功能

1, 3, 25, 28

4, 11

5, 10, 19, 24

12, 14, 15, 18

16, 17

20, 21

22, 23

26, 27

名字

排水3

输入3

北卡罗来纳州

GND

输入1

FUNCT离子

开关3 （低压侧开关）的漏极

输入开关3 （低侧开关）的

没有连接

排水开关的1和2 （高侧开关）和电源电压

开关1和2（高边开关）的地

输入开关1 （高边开关）的

开关的DIAG编号STIC诊断1和2（高侧SWITC HES）

输入2

漏极4

输入4

SO URCE 4

SO URCE 2

SO URCE 1

SO URCE 3

输入开关2 （高边开关）的

开关4 （低压侧开关）的漏极

输入开关4 （低侧开关）的

开关4 （低压侧开关）的源

开关2 （高边开关）的来源

开关1 （高边开关）的来源

开关3 （低压侧开关）的源

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VN770P

保护电路

双高压侧开关

为了防止一个在设备的最简单的方法

连续反向电池电压（ -26V ）是

插入2脚（ GND）之间的一个小电阻和

地面上。建议的电阻值约为

150Ω 。在任何情况下，最大电压降上

该电阻不应该克服0.5V 。

如果没有必要的控制单元来处理

提到电源外部模拟信号

GND ，最好的办法是连接

所述控制单元对所述基准电位

器件接地（见应用电路在图3中），

变成为公用信号接地

整个控制电路板，避免V的转变

, V

和

STAT

低侧开关

该器件集成：

感性负载。

过热和短路

保护：这些都是基于传感

芯片的温度，并且不依赖于

输入电压。感测的位置

在功率级区域中的芯片上的元件

确保快速，准确的检测结

温度。温度熔断器发生在

最低150

C.该设备是自动

当芯片温度下降重新启动

低于135

状态反馈信号：在发生的情况下，

过热故障状态，一个状态

反馈是通过输入引脚提供。

内部保护电路断开

从栅极输入，而是将其连接到

通过100的等效电阻接地

该故障可以通过监视来检测

电压输入引脚，这将接近

地电位。

这些器件的其他特点是ESD

根据人体模型保护

并从一个TTL逻辑驱动能力

电路（与在研发小幅增加

DS （ ON）

过压

钳

保护：

内部设定为42V ，随着崎岖

电源的雪崩特性

MOSFET级给这个设备无可比拟

耐用性和能量处理能力。

开车时，此功能主要是重要的

真值表

（仅适用于双通道高边开关）

输入1

正常工作

输入2

SO URCE 1 SOURCE 2 DIAG NO STIC

欠压

牛逼有源冰箱关闭

公开赛负荷

通道1

通道2

通道1

通道2

本安输出短路到V

通道1

通道2

注：低侧开关具有可以通过监测电压输入引脚来检测故障的反馈。

L =逻辑低电平时， H =逻辑高电平，X =无关

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VN770P

绝对最大额定值

(-40

<牛逼

＆ LT ; 150

高边开关

符号

（ BR ） DSS

OUT

I N

-V

STAT

ESD

合计

s TG

参数

漏源击穿电压

输出电流（续）

反向安输出电流

输入电流

反向电源电压

圣当前的ATU

静电放电（ C = 100 pF的， R = 1.5 KΩ ）

在T功耗

= 25

结操作时间emperature

圣ORAGE温度

价值

-9

±10

-4

±10

2000

内部限制

-40至150

-55到150

UNI吨

低压侧开关

Symbo升

（ BR ） DSS

ESD

吨OT

英镑

参数

漏源击穿电压

输入电压

漏电流

反向DC输出电流

选rostatic放电（ C = 100 pF的， R = 1.5 KΩ ）

总功耗在T

= 25 C

操作Junct离子牛逼emperature

存储牛逼emperature

价值

内部钳位

内部限制

-14

2000

内部限制

-55到150

单位

热数据

吨HJ -CA SE

吨HJ- AMB

热阻结案件（高边开关）

热阻结案件（低侧开关）

热阻结到环境

最大

C / W

两个高边开关电气特性

（ 8 < V

< 16 V ; -40

≤

125

C除非另有说明）

动力

符号

中（*）

0：N

DS （ MAX）

参数

电源电压

额定电流

导通状态电阻

电源电流

= 85

（C V）

DS （O N）

≤

0.5 V

= 13 V

OUT

= I

= 13 V

F国家

试验共nditio NS

分钟。

1.6

0.13

典型值。

马克斯。

2.6

0.2

单位

= 25 C

= 13 V

= 13

= 25

= 85 C

1.44

100

2.3

最大压降我

OUT

= 7.5 A

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