TN2410L ， VN2406D / L VN2410L / LS
Vishay Siliconix公司
N沟道240 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
产品型号
TN2410L
VN2406D
VN2406L
VN2410L
VN2410LS
240
V
（ BR ） DSS
敏（ V）
r
DS （ ON）
最大值（W）的
10 @ V
GS
= 4.5 V
6 @ V
GS
= 10 V
V
GS （ TH）
(V)
为0.5 1.8
0.8-2
0.8-2
0.8-2
0.8-2
I
D
(A)
0.18
1.12
0.18
0.18
0.19
6
@ V
GS
= 10 V
10 @ V
GS
= 10 V
10 @ V
GS
= 10 V
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： 3.5
W
二次击穿免费： 260 V
低功率/电压驱动
低输入和输出泄漏
优良的热稳定性
好处
D
D
D
D
D
低失调电压
全电压运行
轻松驱动无缓冲器
低电压错误
无高温“失控”
应用
D
高电压驱动器：继电器，螺线管，灯，
锤子，显示器，晶体管等。
D
电话静音开关，振铃电路
D
电源供应器，转换器
D
电机控制
“器件标识
前视图
TO-226AA
(TO-92)
S
G
D
1
TN2410L
“S”型的TN
2410L
XXYY
TO-220AB
（制表漏）
1
“器件标识
前视图
S
G
D
TO-92S
（铜引线框架）
1
“器件标识
前视图
2
VN2406L
“S”型的VN
2406L
XXYY
G
D
S
VN2406D
2
VN2406D
“S”
XXYY
3
顶视图
VN2406D
“S” = Siliconix公司徽标
XXYY
=日期代码
2
VN2410LS
“S”型的VN
2410LS
XXYY
“S” = Siliconix公司徽标
XXYY
=日期代码
顶视图
VN2410LS
3
顶视图
TN2410L
VN2406L
VN2410L
VN2410L
“S”型的VN
2410L
XXYY
“S” = Siliconix公司徽标
XXYY
=日期代码
3
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 150_C)
漏电流脉冲
a
功耗
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J
, T
英镑
TN2410L
240
"20
0.18
0.11
1
0.8
0.32
156
VN2406D
b
240
"20
1.12
0.7
3
20
8
6.25
c
VN2406L
240
"20
0.18
0.11
1.7
0.8
0.32
156
-55到150
VN2410L
240
"20
0.18
0.11
1.7
0.8
0.32
156
VN2410LS
240
"20
0.19
0.12
2
0.9
0.4
139
单位
V
A
W
° C / W
_C
热阻，结到环境
工作结
存储温度范围
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。参考案例为所有温度测试。
。最大结到外壳
文档编号： 70204
S- 04279 -REV 。女， 16月， 01
www.vishay.com
11-1
TN2410L ， VN2406D / L VN2410L / LS
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
TN2410L
VN2406D/L
VN2410L/LS
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
V
GS
= 0 V，I
D
= 100
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"15
V
260
1.4
240
0.5
1.8
240
0.8
2
"100
"500
"10
240
0.8
2
"100
"500
nA
V
门体漏
I
GSS
T
J
= 125_C
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 192 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 125_C
0.01
1
1
100
10
500
10
500
A
10
mA
m
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 120 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 125_C
通态漏电流
b
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V
I
D（上）
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 0.1 A
V
GS
= 3.5 V，I
D
= 0.05 A
0.8
1.5
7.5
4.5
4
7.5
3.5
6.5
500
530
115
0.25
1
10
15
10
20
6
14.8
100
300
135
50
20
135
50
20
300
135
50
20
pF
mS
10
24.7
W
1
漏源导通电阻
b
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 0.2 A
r
DS （ ON）
T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 A
T
J
= 125_C
正向跨导
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.2 A
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.5 A
30
5
开关
c
t
ON
开启时间
t
D（上）
t
r
t
关闭
打开-O FF时间
t
D（关闭）
t
f
笔记
一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v
2%.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
V
DD
= 60 V ，R
L
= 150
W
I
D
^
0.4 A，V
根
= 10 V
R
G
= 25
W
5
3
2
26
20
6
60
23
34
23
34
VNDB24
35
8
8
8
8
ns
www.vishay.com
11-2
文档编号： 70204
S- 04279 -REV 。女， 16月， 01
TN2410L ， VN2406D / L VN2410L / LS
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
欧姆地域特征
1.0
V
GS
= 10 V
4.0 V
I
D
- 漏电流（mA ）
200
输出特性为低栅极驱动
V
GS
= 3 V
2.6 V
0.8
I
D
- 漏极电流（ A）
160
2.4 V
120
2.2 V
80
2.0 V
40
0.6
3.5 V
0.4
3.0 V
2.5 V
0.2
2.0 V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
1.8 V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
传输特性
0.5
V
DS
= 15 V
0.4
T
J
= –55_C
I
D
- 漏极电流（ A）
0.3
25_C
125_C
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
12
导通电阻与栅极至源极电压
8
6
1.0 A
4
I
D
= 0.1 A
2
0.5 A
0.2
0.1
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
4
8
12
16
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
6
V
GS
= 10 V
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
5
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
（归一化）
2.25
归一化的导通电阻
- 结温
V
GS
= 10 V
2.00
1.75
0.1 A
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
I
D
= 0.5 A
4
3
2
1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
I
D
- 漏极电流（ A）
–50
–10
30
70
110
150
T
J
=结温（ ° C）
www.vishay.com
文档编号： 70204
S- 04279 -REV 。女， 16月， 01
11-3
TN2410L ， VN2406D / L VN2410L / LS
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
阈值区域
10
V
DS
= 5 V
T
J
= 150_C
I
D
- 漏电流（mA ）
1
- 电容（pF ）
400
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
300
电容
200
C
国际空间站
100
0.1
25_C
C
OSS
C
RSS
–55_C
0.01
0.3
0.7
1.1
1.5
0
0
10
20
30
40
50
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
15.0
I
D
= 0.5 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
12.5
吨 - 开关时间（纳秒）
100
负载条件影响的开关
V
DS
= 60 V
R
G
= 25
W
t
D（关闭）
t
f
10
10.0
V
DS
= 120 V
7.5
192 V
5.0
t
D（上）
2.5
t
r
0
0
400
800
1200
1600
2000
Q
g
- 总栅极电荷（ PC）
1
0.01
0.1
I
D
- 漏极电流（ A）
1
推动性的影响对切换
100
V
DD
= 60 V
R
L
= 150
W
I
D
= 0.4 A
t
D（关闭）
吨 - 开关时间（纳秒）
I
S
- 源电流（ A）
1
源极 - 漏极二极管正向电压
T
J
= 150_C
0.1
T
J
= 25_C
10
t
f
t
D（上）
t
r
1
1
2
5
10
20
50
100
R
G
- 栅极电阻（W）的
0.01
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
SD
- 源极 - 漏极电压（ V）
www.vishay.com
11-4
文档编号： 70204
S- 04279 -REV 。女， 16月， 01
TN2410L ， VN2406D / L VN2410L / LS
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
标准化的有效瞬态热阻抗，结到环境（ TO- 226AA ）
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
注意事项：
P
DM
0.01
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
2.每单位基础= R
thJA
= 156
_
C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
1K
10 K
t
1
- 方波脉冲持续时间（秒）
文档编号： 70204
S- 04279 -REV 。女， 16月， 01
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TN2410L ， VN2406D / L VN2410L / LS
Vishay Siliconix公司
N沟道240 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
产品型号
TN2410L
VN2406D
VN2406L
VN2410L
VN2410LS
240
V
（ BR ） DSS
敏（ V）
r
DS （ ON）
最大值（W）的
10 @ V
GS
= 4.5 V
6 @ V
GS
= 10 V
V
GS （ TH）
(V)
为0.5 1.8
0.8-2
0.8-2
0.8-2
0.8-2
I
D
(A)
0.18
1.12
0.18
0.18
0.19
6
@ V
GS
= 10 V
10 @ V
GS
= 10 V
10 @ V
GS
= 10 V
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： 3.5
W
二次击穿免费： 260 V
低功率/电压驱动
低输入和输出泄漏
优良的热稳定性
好处
D
D
D
D
D
低失调电压
全电压运行
轻松驱动无缓冲器
低电压错误
无高温“失控”
应用
D
高电压驱动器：继电器，螺线管，灯，
锤子，显示器，晶体管等。
D
电话静音开关，振铃电路
D
电源供应器，转换器
D
电机控制
“器件标识
前视图
TO-226AA
(TO-92)
S
G
D
1
TN2410L
“S”型的TN
2410L
XXYY
TO-220AB
（制表漏）
1
“器件标识
前视图
S
G
D
TO-92S
（铜引线框架）
1
“器件标识
前视图
2
VN2406L
“S”型的VN
2406L
XXYY
G
D
S
VN2406D
2
VN2406D
“S”
XXYY
3
顶视图
VN2406D
“S” = Siliconix公司徽标
XXYY
=日期代码
2
VN2410LS
“S”型的VN
2410LS
XXYY
“S” = Siliconix公司徽标
XXYY
=日期代码
顶视图
VN2410LS
3
顶视图
TN2410L
VN2406L
VN2410L
VN2410L
“S”型的VN
2410L
XXYY
“S” = Siliconix公司徽标
XXYY
=日期代码
3
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 150_C)
漏电流脉冲
a
功耗
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J
, T
英镑
TN2410L
240
"20
0.18
0.11
1
0.8
0.32
156
VN2406D
b
240
"20
1.12
0.7
3
20
8
6.25
c
VN2406L
240
"20
0.18
0.11
1.7
0.8
0.32
156
-55到150
VN2410L
240
"20
0.18
0.11
1.7
0.8
0.32
156
VN2410LS
240
"20
0.19
0.12
2
0.9
0.4
139
单位
V
A
W
° C / W
_C
热阻，结到环境
工作结
存储温度范围
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。参考案例为所有温度测试。
。最大结到外壳
文档编号： 70204
S- 04279 -REV 。女， 16月， 01
www.vishay.com
11-1
TN2410L ， VN2406D / L VN2410L / LS
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
TN2410L
VN2406D/L
VN2410L/LS
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
V
GS
= 0 V，I
D
= 100
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"15
V
260
1.4
240
0.5
1.8
240
0.8
2
"100
"500
"10
240
0.8
2
"100
"500
nA
V
门体漏
I
GSS
T
J
= 125_C
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 192 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 125_C
0.01
1
1
100
10
500
10
500
A
10
mA
m
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 120 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 125_C
通态漏电流
b
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V
I
D（上）
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 0.1 A
V
GS
= 3.5 V，I
D
= 0.05 A
0.8
1.5
7.5
4.5
4
7.5
3.5
6.5
500
530
115
0.25
1
10
15
10
20
6
14.8
100
300
135
50
20
135
50
20
300
135
50
20
pF
mS
10
24.7
W
1
漏源导通电阻
b
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 0.2 A
r
DS （ ON）
T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 A
T
J
= 125_C
正向跨导
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.2 A
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.5 A
30
5
开关
c
t
ON
开启时间
t
D（上）
t
r
t
关闭
打开-O FF时间
t
D（关闭）
t
f
笔记
一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v
2%.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
V
DD
= 60 V ，R
L
= 150
W
I
D
^
0.4 A，V
根
= 10 V
R
G
= 25
W
5
3
2
26
20
6
60
23
34
23
34
VNDB24
35
8
8
8
8
ns
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11-2
文档编号： 70204
S- 04279 -REV 。女， 16月， 01
TN2410L ， VN2406D / L VN2410L / LS
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
欧姆地域特征
1.0
V
GS
= 10 V
4.0 V
I
D
- 漏电流（mA ）
200
输出特性为低栅极驱动
V
GS
= 3 V
2.6 V
0.8
I
D
- 漏极电流（ A）
160
2.4 V
120
2.2 V
80
2.0 V
40
0.6
3.5 V
0.4
3.0 V
2.5 V
0.2
2.0 V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
1.8 V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
传输特性
0.5
V
DS
= 15 V
0.4
T
J
= –55_C
I
D
- 漏极电流（ A）
0.3
25_C
125_C
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
12
导通电阻与栅极至源极电压
8
6
1.0 A
4
I
D
= 0.1 A
2
0.5 A
0.2
0.1
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
4
8
12
16
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
6
V
GS
= 10 V
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
5
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
（归一化）
2.25
归一化的导通电阻
- 结温
V
GS
= 10 V
2.00
1.75
0.1 A
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
I
D
= 0.5 A
4
3
2
1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
I
D
- 漏极电流（ A）
–50
–10
30
70
110
150
T
J
=结温（ ° C）
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S- 04279 -REV 。女， 16月， 01
11-3
TN2410L ， VN2406D / L VN2410L / LS
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
阈值区域
10
V
DS
= 5 V
T
J
= 150_C
I
D
- 漏电流（mA ）
1
- 电容（pF ）
400
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
300
电容
200
C
国际空间站
100
0.1
25_C
C
OSS
C
RSS
–55_C
0.01
0.3
0.7
1.1
1.5
0
0
10
20
30
40
50
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
15.0
I
D
= 0.5 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
12.5
吨 - 开关时间（纳秒）
100
负载条件影响的开关
V
DS
= 60 V
R
G
= 25
W
t
D（关闭）
t
f
10
10.0
V
DS
= 120 V
7.5
192 V
5.0
t
D（上）
2.5
t
r
0
0
400
800
1200
1600
2000
Q
g
- 总栅极电荷（ PC）
1
0.01
0.1
I
D
- 漏极电流（ A）
1
推动性的影响对切换
100
V
DD
= 60 V
R
L
= 150
W
I
D
= 0.4 A
t
D（关闭）
吨 - 开关时间（纳秒）
I
S
- 源电流（ A）
1
源极 - 漏极二极管正向电压
T
J
= 150_C
0.1
T
J
= 25_C
10
t
f
t
D（上）
t
r
1
1
2
5
10
20
50
100
R
G
- 栅极电阻（W）的
0.01
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
SD
- 源极 - 漏极电压（ V）
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S- 04279 -REV 。女， 16月， 01
TN2410L ， VN2406D / L VN2410L / LS
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
标准化的有效瞬态热阻抗，结到环境（ TO- 226AA ）
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
注意事项：
P
DM
0.01
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
2.每单位基础= R
thJA
= 156
_
C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
1K
10 K
t
1
- 方波脉冲持续时间（秒）
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S- 04279 -REV 。女， 16月， 01
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TN2410L ， VN2406D / L VN2410L / LS
Vishay Siliconix公司
N沟道240 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
产品型号
TN2410L
VN2406D
VN2406L
VN2410L
VN2410LS
240
V
（ BR ） DSS
敏（ V）
r
DS （ ON）
最大值（W）的
10 @ V
GS
= 4.5 V
6 @ V
GS
= 10 V
V
GS （ TH）
(V)
为0.5 1.8
0.8-2
0.8-2
0.8-2
0.8-2
I
D
(A)
0.18
1.12
0.18
0.18
0.19
6
@ V
GS
= 10 V
10 @ V
GS
= 10 V
10 @ V
GS
= 10 V
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： 3.5
W
二次击穿免费： 260 V
低功率/电压驱动
低输入和输出泄漏
优良的热稳定性
好处
D
D
D
D
D
低失调电压
全电压运行
轻松驱动无缓冲器
低电压错误
无高温“失控”
应用
D
高电压驱动器：继电器，螺线管，灯，
锤子，显示器，晶体管等。
D
电话静音开关，振铃电路
D
电源供应器，转换器
D
电机控制
“器件标识
前视图
TO-226AA
(TO-92)
S
G
D
1
TN2410L
“S”型的TN
2410L
XXYY
TO-220AB
（制表漏）
1
“器件标识
前视图
S
G
D
TO-92S
（铜引线框架）
1
“器件标识
前视图
2
VN2406L
“S”型的VN
2406L
XXYY
G
D
S
VN2406D
2
VN2406D
“S”
XXYY
3
顶视图
VN2406D
“S” = Siliconix公司徽标
XXYY
=日期代码
2
VN2410LS
“S”型的VN
2410LS
XXYY
“S” = Siliconix公司徽标
XXYY
=日期代码
顶视图
VN2410LS
3
顶视图
TN2410L
VN2406L
VN2410L
VN2410L
“S”型的VN
2410L
XXYY
“S” = Siliconix公司徽标
XXYY
=日期代码
3
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 150_C)
漏电流脉冲
a
功耗
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J
, T
英镑
TN2410L
240
"20
0.18
0.11
1
0.8
0.32
156
VN2406D
b
240
"20
1.12
0.7
3
20
8
6.25
c
VN2406L
240
"20
0.18
0.11
1.7
0.8
0.32
156
-55到150
VN2410L
240
"20
0.18
0.11
1.7
0.8
0.32
156
VN2410LS
240
"20
0.19
0.12
2
0.9
0.4
139
单位
V
A
W
° C / W
_C
热阻，结到环境
工作结
存储温度范围
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。参考案例为所有温度测试。
。最大结到外壳
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TN2410L ， VN2406D / L VN2410L / LS
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
TN2410L
VN2406D/L
VN2410L/LS
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
V
GS
= 0 V，I
D
= 100
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"15
V
260
1.4
240
0.5
1.8
240
0.8
2
"100
"500
"10
240
0.8
2
"100
"500
nA
V
门体漏
I
GSS
T
J
= 125_C
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 192 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 125_C
0.01
1
1
100
10
500
10
500
A
10
mA
m
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 120 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 125_C
通态漏电流
b
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V
I
D（上）
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 0.1 A
V
GS
= 3.5 V，I
D
= 0.05 A
0.8
1.5
7.5
4.5
4
7.5
3.5
6.5
500
530
115
0.25
1
10
15
10
20
6
14.8
100
300
135
50
20
135
50
20
300
135
50
20
pF
mS
10
24.7
W
1
漏源导通电阻
b
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 0.2 A
r
DS （ ON）
T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 A
T
J
= 125_C
正向跨导
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.2 A
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.5 A
30
5
开关
c
t
ON
开启时间
t
D（上）
t
r
t
关闭
打开-O FF时间
t
D（关闭）
t
f
笔记
一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v
2%.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
V
DD
= 60 V ，R
L
= 150
W
I
D
^
0.4 A，V
根
= 10 V
R
G
= 25
W
5
3
2
26
20
6
60
23
34
23
34
VNDB24
35
8
8
8
8
ns
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S- 04279 -REV 。女， 16月， 01
TN2410L ， VN2406D / L VN2410L / LS
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
欧姆地域特征
1.0
V
GS
= 10 V
4.0 V
I
D
- 漏电流（mA ）
200
输出特性为低栅极驱动
V
GS
= 3 V
2.6 V
0.8
I
D
- 漏极电流（ A）
160
2.4 V
120
2.2 V
80
2.0 V
40
0.6
3.5 V
0.4
3.0 V
2.5 V
0.2
2.0 V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
1.8 V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
传输特性
0.5
V
DS
= 15 V
0.4
T
J
= –55_C
I
D
- 漏极电流（ A）
0.3
25_C
125_C
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
12
导通电阻与栅极至源极电压
8
6
1.0 A
4
I
D
= 0.1 A
2
0.5 A
0.2
0.1
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
4
8
12
16
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
6
V
GS
= 10 V
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
5
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
（归一化）
2.25
归一化的导通电阻
- 结温
V
GS
= 10 V
2.00
1.75
0.1 A
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
I
D
= 0.5 A
4
3
2
1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
I
D
- 漏极电流（ A）
–50
–10
30
70
110
150
T
J
=结温（ ° C）
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TN2410L ， VN2406D / L VN2410L / LS
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
阈值区域
10
V
DS
= 5 V
T
J
= 150_C
I
D
- 漏电流（mA ）
1
- 电容（pF ）
400
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
300
电容
200
C
国际空间站
100
0.1
25_C
C
OSS
C
RSS
–55_C
0.01
0.3
0.7
1.1
1.5
0
0
10
20
30
40
50
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
15.0
I
D
= 0.5 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
12.5
吨 - 开关时间（纳秒）
100
负载条件影响的开关
V
DS
= 60 V
R
G
= 25
W
t
D（关闭）
t
f
10
10.0
V
DS
= 120 V
7.5
192 V
5.0
t
D（上）
2.5
t
r
0
0
400
800
1200
1600
2000
Q
g
- 总栅极电荷（ PC）
1
0.01
0.1
I
D
- 漏极电流（ A）
1
推动性的影响对切换
100
V
DD
= 60 V
R
L
= 150
W
I
D
= 0.4 A
t
D（关闭）
吨 - 开关时间（纳秒）
I
S
- 源电流（ A）
1
源极 - 漏极二极管正向电压
T
J
= 150_C
0.1
T
J
= 25_C
10
t
f
t
D（上）
t
r
1
1
2
5
10
20
50
100
R
G
- 栅极电阻（W）的
0.01
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
SD
- 源极 - 漏极电压（ V）
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TN2410L ， VN2406D / L VN2410L / LS
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
标准化的有效瞬态热阻抗，结到环境（ TO- 226AA ）
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
注意事项：
P
DM
0.01
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
2.每单位基础= R
thJA
= 156
_
C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
1K
10 K
t
1
- 方波脉冲持续时间（秒）
文档编号： 70204
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