摩托罗拉
半导体技术资料
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通过VN2410L / D
TMOS场效应晶体管
N通道 - 增强
2
门
3漏
VN2410L
1来源
最大额定值
等级
漏 - 源极电压
漏极 - 栅极电压
栅 - 源电压
- 连续
- 不重复( TP
≤
50
s)
连续漏电流
漏电流脉冲
功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储温度
符号
VDSS
VDGR
VGS
VGSM
ID
IDM
PD
TJ , TSTG
价值
240
60
±
20
±
40
200
500
350
2.8
—
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
MADC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-04 ,风格22
TO-92 (TO- 226AA )
热特性
特征
热阻,结到环境
最大无铅焊接温度的
目的, 1/16“从案例10
秒
符号
R
θJA
TL
最大
312.5
300
单位
° C / W
°C
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
民
最大
单位
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
(VGS = 0时, n = 100
A)
零栅极电压漏极电流
( VDS = 120伏, VGS = 0 )
( VDS = 120伏, VGS = 0 , TA = 125°C )
网关体泄漏
(VDS = 0 ,V GS =
±15
V)
栅极阈值电压
(VDS = VGS , ID = 1.0 mA)的
通态漏电流( 1 )
( VGS = 10V , VDS
≥
2.0 VDS ( ON) )
漏源导通电阻( 1 )
( VGS = 2.5V, ID = 0.1 A)
( VGS = 10V , ID = 0.5 A)
正向跨导( 1 )
( VDS = 10V , ID = 0.5 A)
1.脉冲测试;脉冲宽度和LT ; 300
s,
占空比
V( BR ) DSS
IDSS
—
—
IGSS
VGS ( TH)
ID (上)
RDS ( ON)
—
—
政府飞行服务队
300
10
10
—
mS
—
0.8
1.0
10
500
±100
2.0
—
NADC
VDC
ADC
240
—
VDC
μAdc
v
2.0%.
TMOS是摩托罗拉公司的注册商标。
REV 1
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
摩托罗拉1997年公司
1
VN2410L
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数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数,包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
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