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VN16BSP
ISO高侧智能功率固态继电器
表1.一般特点
TYPE
VN16BPS
V
DSS
40 V
R
DS ( ON)
0.06
I
OUT
5.6 A
V
CC
26 V
图1.包装
最大连续输出
电流: 20 A @ T
c
= 85°C
5V逻辑电平兼容的输入
热关断
欠压保护
开漏输出诊断
电感的负荷快速退磁
非常低备用电源
耗散
1
10
PowerSO-10
描述
该VN16BPS是用一个单片器件制造
意法半导体
的VIPower
技术,
用于驱动电阻性或电感性负载
与一侧接地。
内置热关断保护从芯片
随温度和短路。
开漏输出诊断表明:开放
加载在截止状态,在导通状态,输出短路到
V
CC
和过热。快速退磁
感性负载是通过实现负( -18V )
在关断时的负载电压。
表2.订购代码
PowerSO-10
VN16BSP
磁带和卷轴
VN16BSP13TR
第2版
2004年6月
1/11
VN16BSP
图2.框图
表3.绝对最大额定值
符号
V
( BR ) DSS
I
OUT
I
OUT
( RMS)
I
R
I
IN
– V
CC
I
STAT
V
ESD
P
合计
T
j
T
英镑
参数
漏源击穿电压
输出电流(续)在T
c
= 85 °C
RMS输出电流在T
c
= 85 °C
反向输出电流在T
c
= 85°C (F >赫兹)
输入电流
反向电源电压
目前状态
静电放电( 1.5 kΩ的, 100 pF的)
在T功耗
c
=
25 °C
结工作温度
储存温度
价值
40
20
20
–20
±10
–4
±10
2000
82
-40至150
-55到150
单位
V
A
A
A
mA
V
mA
V
W
°C
°C
2/11
VN16BSP
图3.连接图
图4.电流和电压公约
表4.热数据
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
参数
热阻结案件
最大
价值
1.5
50
单位
° C / W
° C / W
热阻结到环境
(1)
最大
注: 1.当使用最小建议焊盘尺寸在FR - 4电路板安装。
3/11
VN16BSP
电气特性
( 8 < V
CC
< 16 V ; -40
T
j
125°C除非另有说明)
表5.电源
符号
V
CC
I
n(2)
R
on
I
S
V
DS ( MAX)
R
j
参数
电源电压
额定电流
导通状态电阻
电源电流
最大电压降
输出到GND内部
阻抗
T
c
= 85°C ; V
DS ( ON)
0.5; V
CC
= 13 V
I
OUT
=在; V
CC
= 13 V ;牛逼
j
= 25 °C
关闭状态; V
CC
= 13 V ;牛逼
j
25 °C
I
OUT
= 20 A; V
CC
= 13 V ;牛逼
c
= 85 °C
T
j
= 25 °C
1
5
10
测试条件
分钟。
6
5.6
0.038
25
典型值。
13
马克斯。
26
8.8
0.06
50
1.8
20
单位
V
A
A
V
K
注: 2. =根据对高端汽车开关ISO定义的额定电流。额定电流的电流在T
c
= 85 °C
为13V的电池电压,产生0.5 V的电压降
表6.开关
符号
t
d(on)(3)
t
r(3)
t
d(off)(3)
t
f(3)
( di / dt的)
on
( di / dt的)
关闭
V
德马格
参数
导通延迟时间
输出电流
输出上升时间
当前
关断的延迟时间
输出电流
秋季输出时间
当前
导通电流斜率
关断电流斜率
感性负载钳
电压
测试条件
R
负载
= 1.6
R
负载
= 1.6
R
负载
= 1.6
R
负载
= 1.6
R
负载
= 1.6
;
V
CC
= 13 V
R
负载
= 1.6
;
V
CC
= 13 V
R
负载
= 1.6
;
L = 1毫亨
分钟。
5
40
10
40
0.008
0.008
–24
–18
典型值。
50
100
100
100
马克斯。
500
680
500
680
0.1
0.1
–14
单位
s
s
s
s
A / μs的
A / μs的
V
注: 3。请参阅开关时间波形。
表7.逻辑输入
符号
V
IL
V
IH
V
我( HYST )
I
IN
V
ICL
参数
输入低电平电压
输入高电平电压
输入电压滞后
输入电流
输入钳位电压
V
IN
= 5 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
IN
= 10毫安
I
IN
= -10毫安
5
6
–0.7
3.5
0.2
1
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
1.5
注4
1.5
100
7
单位
V
V
V
A
V
V
注: 4 V
IH
在内部钳位在6V左右。有可能通过计算外部电阻将该引脚连接到一个较高的电压
以不超过在输入端销10毫安。
4/11
VN16BSP
电气特性
(续)
表8.保护和诊断功能
(续)
符号
V
STAT
V
美元
V
SCL
T
TSD
T
SD ( HYST )。
T
R
V
OL(5)
I
OL
t
povl(6)
t
pol(6)
参数
状态电压输出低电平
欠压SHUT DOWN
状态钳位电压
热关断温度
热关断滞后
复位温度
开路电压电平
打开负载电流水平
状态延迟
状态延迟
50
关闭状态
导通状态
125
2.5
0.15
5
400
3.8
5
0.85
10
2500
I
STAT
= 10毫安
I
STAT
= -10毫安
测试条件
I
STAT
= 1.6毫安
3.5
5
140
5
6
–0.7
160
15
分钟。
典型值。
马克斯。
0.4
6
7
180
50
单位
V
V
V
V
°C
°C
°C
V
A
s
s
注: 5.我
OL (关闭)
= (V
CC
-V
OL
)/R
OL
(参见图5)。
6. t
povl
t
POL
:ISO定义(参见图6) 。
图5注5相关人士
图6注6有关的数字
5/11
VN16BSP
ISO高侧智能功率固态继电器
牛逼YPE
VN16BSP
s
V
DSS
40 V
R
DS (上
)
0.06
I
OUT
5.6 A
V
CC
26 V
s
s
s
s
s
s
最大连续输出
电流: 20A @ T
c
= 85
o
C
5V逻辑电平兼容的输入
热关断
欠压保护
开漏输出诊断
电感的负荷快速
退磁
非常低备用电源
耗散
10
1
PowerSO-10
描述
该VN16BSP是用一个单片器件制造
SGS - THOMSON垂直智能电源
技术,用于驱动电阻或
感性负载与一侧接地。
内置热关断保护从芯片
随温度和短路。
开漏输出诊断表明:开放
加载在截止状态,在导通状态,输出短路到
V
CC
和过热。
框图
感性负载的快速退磁的是
通过在负极( -18V )负载电压archivied
打开-O FF
1998年3月
1/9
VN16BSP
绝对最大额定值
SYMB OL
V
( BR ) DSS
I
OUT
I
R
I
IN
-V
CC
I
STAT
V
ESD
P
合计
T
j
T
s TG
参数
漏源击穿电压
输出电流(续)在T
c
= 85
o
C
反向输出电流在T
c
= 85 C (F >赫兹)
输入电流
反向电源电压
目前状态
静电放电( 1.5 kΩ的, 100 pF的)
在T功耗
c
= 25 C
结工作温度
储存温度
o
o
价值
40
20
20
-20
±10
-4
±10
2000
82
-40至150
-55到150
单位
V
A
A
A
mA
V
mA
V
W
o
o
I
OUT
( RMS ) RMS输出电流在T
c
= 85
o
C
C
C
连接图
电流和电压公约
2/9
VN16BSP
热数据
R
吨HJ -CA SE
R
吨hj- AMB
热阻结案件
热阻结到环境( $ )
最大
最大
1.5
50
o
o
C / W
C / W
( $ )当使用最小建议焊盘尺寸在FR - 4电路板安装
电气特性
( 8 < V
CC
< 16 V ; -40
T
j
125
o
C除非另有说明)
动力
SYMB OL
V
CC
中(*)
R
on
I
S
V
DS ( MAX)
R
i
参数
电源电压
额定电流
导通状态电阻
电源电流
T
c
= 85 C V
DS ( ON)
0.5 V
CC
= 13 V
I
OUT
“在
关圣吃
o
o
o
测试电导率银行足球比赛s
分钟。
6
5.6
0.038
典型值。
13
马克斯。
26
8.8
0.06
取消它
V
A
A
V
K
V
CC
= 13 V
V
CC
= 13 V
T
j
= 25 C
T
j
25 C
o
o
25
1
5
10
50
1.8
20
最大压降我
OUT
= 20 A
输出到GND内部T
j
= 25 C
阻抗
V
CC
= 13 V T,
c
= 85 C
开关
SYMB OL
t
D(上)
(^)
t
r
(^)
t
D(关闭)
(^)
t
f
(^)
( di / dt的)
on
( di / dt的)
关闭
V
德马格
参数
导通延迟时间
输出电流
上升时间华氏度安输出
当前
测试电导率银行足球比赛s
R
负载
= 1.6
R
负载
= 1.6
分钟。
5
40
10
40
V
CC
= 13 V
V
CC
= 13 V
L = 1毫亨
0.008
0.008
-24
-18
典型值。
50
100
100
100
马克斯。
500
680
500
680
0.1
0.1
-14
取消它
s
s
s
s
A / μs的
A / μs的
V
关断延迟时间为O由于F R
负载
= 1.6
输出电流
秋季牛逼IME输出
当前
导通电流斜率
关断电流斜率
感性负载钳
电压
R
负载
= 1.6
R
负载
= 1.6
R
负载
= 1.6
R
负载
= 1.6
逻辑输入
SYMB OL
V
I L
V
I H
V
我( HYST )。
I
IN
V
ICL
参数
输入低电平
电压
输入高电平
电压
输入滞后
电压
输入电流
输入钳位电压
V
I N
= 5 V
I
IN
= 10毫安
I
IN
= -10毫安
T
j
= 25 C
5
6
-0.7
o
测试电导率银行足球比赛s
分钟。
典型值。
马克斯。
1.5
取消它
V
V
V
A
V
V
3.5
0.2
1
()
1.5
100
7
3/9
VN16BSP
电气特性
(续)
保护和诊断功能(续)
SYMB OL
V
STAT
V
美元
V
SCL
T
TSD
T
SD ( HYS吨。 )
T
R
V
OL
I
OL
t
povl
t
宝升
参数
状态电压输出
欠压合页
状态钳位电压
热关断
温度
热关断
迟滞
复位温度
开路电压电平
打开负载电流
水平
状态延迟
状态延迟
关闭状态(注2 )
导通状态
(注3)
(注3)
50
125
2.5
0.15
5
400
3.8
5
0.85
10
2500
I
STAT
= 10毫安
I
STAT
= -10毫安
测试电导率银行足球比赛s
I
STAT
= 1.6毫安
3.5
5
140
5
6
-0.7
160
15
分钟。
典型值。
马克斯。
0.4
6
7
180
50
取消它
V
V
V
V
o
C
C
C
o
o
V
A
s
s
( * )在=额定电流根据对高端汽车开关ISO定义(见注1 )
( ^ )看Switchig时间波形
( )的V
IH
在内部钳位在6V左右。有可能通过计算不通过外部电阻将该引脚连接到一个较高的电压
超过10 mA的输入引脚。
注1:额定电流是指在T
c
= 85
o
下进行13V的电池电压产生0.5V的电压降
注2 :我
OL (关闭)
= (V
CC
-V
OL
)/R
OL
(见图)
注3:吨
PO VL
t
POL
: ISO定义(见图)
注2有关图
注3相关图
4/9
VN16BSP
开关时间波形
功能说明
该装置具有一个诊断输出哪个
表明负载开路的导通状态,负载开路的
断开状态时,在温度条件和
坚持上到V
CC
.
从输入信号中的下降沿,将
状态输出,最初低信号故障
条件(温度过高或负载开路
导通状态) ,将返回到高电平状态与
不同的延迟在温度过高( tpovl )
而在案件分别开开负载( tpol )的。
此功能允许歧视性质
检测到的故障。为了保护设备不受
短路和过电流状态,则
热保护器接通电源集成
MOS关在一个最小的结温
140
o
C.当这个温度返回到125
o
C
该开关将自动打开了。在
几乎短路保护无反应
延迟,传感器位于所述电源内
MOS区。该器件的内部功能
确保电感的快速退磁
与典型的电压的负载(Ⅴ
德马格
) -18V的。这
功能可以大大地减少了功率
根据下式耗散:
P
DEM
= 0.5
L
负载
负载
)
2
[(V
CC
+V
德马格
)/V
德马格
]
f
其中f =开关频率和
V
德马格
=退磁电压。
这使得芯片的最大电感
温度达到停机温度
在一个指定的热环境是一个函数
负载电流为固定的V
CC
, V
德马格
和f
根据上面的公式。在该装置中,如果
GND引脚断开,与V
CC
超过16V时,它会关闭。
保护
设备
针对
电池反接
为了防止一个在设备的最简单的方法
连续反向电池电压( -26V )是
将1脚( GND )之间的肖特基二极管和
地,如图所示,在典型的应用电路
(fig.3).
的两端的电压降的影响
此二极管如下:
如果输入被拉到电源GND ,负极
-V电压
f
由设备可见。 (VIL , VIH
阈值和VSTAT都增加了与Vf的
对于电源GND) 。
欠压关断级别increa- SED
通过Vf的。
如果没有必要的控制单元来处理
提到电源外部模拟信号
GND ,最好的办法是连接
所述控制单元的参考电位节点[ 1]
(见应用电路在图3) ,这成为
对于整个控制公用信号接地
板避免了V的转变
ih
, V
il
和V
STAT
。这
溶液允许使用一个标准的二极管。
5/9
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    VN16BSP
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881677436 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881620402 复制

电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
VN16BSP
ST(意法)
23+
700000
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
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ST
24+
9
SOP-10
100%原装正品,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1184826453 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
VN16BSP
ST
20+
3000
PowerSO-10ExposedBottomPad
全新原装环保
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1965785011 复制

电话:0755-23919407
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
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STM
17+
9600
SOP-14
进口原装正品现货
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电话:0755-83222787/23999932
联系人:林小姐 胡先生 张先生
地址:深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
VN16BSP
ST
24+
4800
SOP-10
授权分销 现货热卖
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
VN16BSP
STMicroelectronics
24+
10000
10-PowerSO
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
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VN16BSP
ST/意法
24+
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全新原装现货,原厂代理。
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VN16BSP
STM
2025+
3645
SOP-10
全新原装、公司现货热卖
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ST
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