VN0540
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
400V
MIL视觉筛选可用
R
DS （ ON）
（最大）
35
I
D（上）
（分钟）
250mA
订单号码/套餐
TO-92
VN0540N3
DIE
VN0540ND
7
先进的DMOS技术
这些增强模式（常关）晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征，这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
特点
s
无二次击穿
s
低功耗驱动要求
s
易于并联的
s
低C
国际空间站
和快速开关速度
s
优良的热稳定性
s
积分源极 - 漏极二极管
s
高输入阻抗和高增益
s
互补N和P沟道器件
应用
s
电机控制
s
转换器
s
放大器器
s
开关
s
电源电路
s
驱动器（继电器，锤子，螺线管，灯，
存储器，显示器，双极型晶体管等）的
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
* 1.6毫米的情况下10秒的距离。
SGD
TO-92
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
注：请参阅尺寸封装外形部分。
7-161
VN0540
热特性
包
TO-92
I
D
（连续） *
100mA
I
D
（脉冲的）
400mA
功耗
@ T
C
= 25
°
C
1.0W
θ
jc
°
C / W
125
θ
ja
°
C / W
170
I
DR
*
100mA
I
DRM
400mA
*
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
民
400
2
-3.5
4
-4.5
100
10
500
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
250
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
0.8
400
100
300
340
30
25
0.9
180
45
8
2
55
10
5
10
10
10
10
V
ns
V
GS
= 0V时，我
SD
= 0.5A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 0.5A
ns
V
DD
= 25V ，我
D
= 250毫安
R
根
= 25
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
35
1.5
A
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 5V, V
DS
= 25V
V
GS
= 10V, V
DS
= 25V
V
GS
= 5V ，我
D
= 20mA下
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.1A
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.1A
V
DS
= 25V ，我
D
= 0.1A
mA
%/°C
m
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
10V
90%
输入
0V
10%
t
（上）
t
D（上）
V
DD
产量
0V
90%
90%
t
r
t
（关闭）
t
D（关闭）
t
F
脉冲
发电机
R
根
V
DD
R
L
产量
D.U.T.
10%
10%
输入
7-162
QQ：2880707522 复制
