VN0300
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
30V
R
DS （ ON）
（最大）
1.2
I
D（上）
（分钟）
1.0A
订单号码/套餐
TO-92
VN0300L
特点
无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
高输入阻抗和高增益
互补N和P沟道器件
先进的DMOS技术
这些增强模式（常关）晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征，这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
应用
电机控制
转换器
放大器器
开关
电源电路
驱动器（继电器，锤子，螺线管，灯，
存储器，显示器，双极型晶体管等）的
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
* 1.6毫米的情况下10秒的距离。
SGD
BV
DSS
BV
DGS
±
30V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
TO-92
注：请参阅尺寸封装外形部分。
11/12/01
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1
VN0300
热特性
包
I
D
（连续） *
0.64A
I
D
（脉冲的）
3A
功耗
@ T
C
= 25
°
C
1W
θ
jc
°
C / W
125
θ
ja
°
C / W
170
TO-92
*
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
民
30
0.8
2.5
100
10
500
I
D（上）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
（上）
t
（关闭）
V
SD
通态漏电流
静态漏 - 源极导通电阻
1
3.3
1.2
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
二极管的正向压降
0.9
200
190
110
50
30
30
ns
V
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 20V
F = 1 MHz的
V
DD
= 25V ，我
D
= 1.0A
R
根
= 25
I
SD
= 0.63A ，V
GS
= 0V
m
A
A
典型值
最大
单位
V
V
nA
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=10A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 30V
T
A
= 125°C
V
GS
= 10V, V
DS
= 10V
V
GS
= 5V ，我
D
= 0.3A
V
GS
= 10V ，我
D
= 1A
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.5A
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
10V
90%
输入
0V
脉冲
发电机
R
根
10%
t
（上）
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
t
D（上）
V
DD
10%
10%
输入
产量
0V
90%
90%
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2
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
V
DD
R
L
产量
D.U.T.
11/12/01
QQ：2880707522 复制
