VMMK-2103
0.5到6GHz旁路的E-pHEMT LNA在晶圆级封装
数据表
描述
Avago的VMMK- 2103是一款易于使用的砷化镓MMIC绕行
低噪声放大器，提供了良好的噪声系数和增益平坦0.5
6 GHz的在小型化的晶片级封装（WLP ） 。该
偏置电路采用了省电功能，它是
从输入端口进行访问。该器件包含一个IN-
其中从事放大器时tegrated旁路开关
处于关闭状态，从而在改善
同时消耗最少的输入压缩点
电流。
在输入和输出匹配到50 Ω （优于2:1
驻波比）在整个带宽;无需外部匹配
是必要的。该放大器是用纤维制作的增强
E- pHEMT技术和业界领先的晶圆级
封装。该WLP无铅封装小，超薄
还可以处理和安置标准0402选秀
然后将装配。
特点
1 ×0.5 mm表面贴装封装
超薄（ 0.25毫米）
LNA旁路功能
5V电源
RoHS6 +无卤
产品规格（在3GHz ， VD = VC = 5V ， 23毫安典型值）。
噪声系数： 2.1分贝典型
损失在旁路模式： 2.3分贝
相关增益： 14分贝
输入IP3增益模式： + 8dBm的
输入IP3在旁路模式： +21 dBm的
输入P1dB的增益模式：为0dBm
输入P1dB为在旁路模式： + 17dBm的
WLP 0402 ， 1毫米X 0.5毫米X 0.25毫米
应用
CY
低噪声和驱动器，用于蜂窝/ PCS和WCDMA
基站
2.4 GHz的的3.5GHz ， 5-6GHz WLAN和WiMax笔记本电脑
计算机，接入点和移动无线应用
引脚连接（顶视图）
输入
/ VC
产量
/ Vdd的
802.16 & 802.20 BWA系统
WLL和MMDS收发器
雷达，无线电和ECM系统
CY
输入
/ VC
AMP
产量
/ Vdd的
注意：遵守注意事项
处理静电敏感设备。
ESD机型号= 50V
ESD人体模型= 125V
请参考Avago的应用笔记A004R ：
静电放电，危害及防治。
注意：
“C” =器件代码
“Y” =月守则
表1.绝对最大额定值
[1]
符号
Vd
Vc
Id
P
IN，最大
P
DISS
总胆固醇
θJC
参数/条件
电源电压（ RF输出）
[2]
旁路控制电压
器件的电流
[2]
CW RF输入功率（ RF输入）
[3]
总功耗
最大通道温度
热阻
[4]
单位
V
V
mA
DBM
mW
°C
° C / W
绝对最大
8
6
40
+20
320
150
110
笔记
1.操作超过任何这些条件可能会导致该器件造成永久性损坏。
2.偏置假设DC静态条件
3.在DC （在两种模式下的典型偏压）和RF应用到设备的电路板温度Tb = 25°C
4.热电阻结点测量采用IR法登
表2 DC和RF规格
T
A
= 25°C ，频率为3 GHz的， VD = 5V ，VC = 5V ，Z
in
=Z
OUT
= 50Ω （除非另有规定）
符号
Id
Id_leakage
[6]
NF
[1]
Ga
[1]
Ga_Bypass
[1,6]
IIP3_Gain
[2,3]
IIP3_Bypass
[ 2,4,6]
IP1dB_Gain
[2]
IP1dB_Bypass
[2,6]
IRL
[2]
ORL
[2]
ts
[5]
参数/条件
器件的电流
目前在旁路模式
噪声系数
相关的增益
在旁路模式相关的增益
输入IP3的增益模式
输入IP3在旁路模式
输入P1dB的增益模式
输入P - 1分贝在旁路模式
输入回波损耗
输出回波损耗
开关时间
单位
mA
mA
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
dB
s
最低
16
–
12
-4.1
典型值。
23
0.6
2.1
14
-2.3
8
21
0
17
最大
30
1.5
2.7
16
–
–
–
-11
-13
0.1
–
–
注意事项：
使用300um GS生产晶圆探针获得1.测量数据
使用300um GSG探针PCB基板上获得2.测量数据
3. IIP3测试条件： F1 = 3.0GHz的， F2 = 3.01GHz ， PIN = -10dBm增益模式的表征期间的典型表现
4. IIP3测试条件： F1 = 3.0GHz的， F2 = 3.01GHz ，引脚= 0dBm的旁路模式的表征期间的典型表现
（图20）使用测试板测量5.切换时间
6.旁路模式偏置电压VD = 5V ，VC = 0V
2
产品的一致性分布图在3.0千兆赫， VD = 5V ，VC = 5V
LSL
USL
LSL
USL
.016
.018
.02
.022
.024
.026
.028
.03
0
.0002
.0005
.0008
.001
.0012
.0015
ID @ VD = VC = 5V ，平均= 23毫安， LSL = 16毫安， USL = 30毫安
Id_bypass @ VD = 5V ，VC = 0V ，平均= 0.6毫安， USL = 1.5毫安
LSL
USL
LSL
12
13
14
15
16
-4
-3
-2
获得@ 3 GHz的平均值= 14分贝， LSL = 12分贝， USL = 16分贝
绕道增益@ 3 GHz的平均值= -2.3dB ， LSL = -4.1dB
USL
1.8
1.9
2
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
NF @ 3 GHz的平均值= 2.1分贝， USL = 2.7分贝
注意事项：
基于500的部分样品的粒度分布数据，从3批初步鉴定过程中。
测量使用300um GS生产晶圆探针获得。
分配给该产品的未来晶片可具有上限和下限之间的任何标称值。
3
VMMK- 2103典型性能
(T
A
= 25 ° C，Z
in
= Z
OUT
= 50
除非另有说明）
20
15
S21 （ dB）的
NF（ dB）的
1
VD = 5V ，VC = 5V
VD = 5V ，VC = 0V
0
1
2
3
4
频率（千兆赫）
5
6
7
0
0
1
2
3
4
频率（千兆赫）
5
6
7
图2.噪声系数
[1]
0
VD = 5V ，VC = 5V
VD = 5V ，VC = 0V
-5
S22 （ dB）的
-10
-15
-20
VD = 5V ，VC = 5V
VD = 5V ，VC = 0V
0
10
5
0
-5
VD = 5V ，VC = 5V
VD = 5V ，VC = 0V
2
3
图1.小信号增益
[1]
0
-5
S11（ dB）的
-10
-15
-20
0
1
2
3
4
频率（千兆赫）
5
6
7
1
2
3
4
频率（千兆赫）
5
6
7
图3.输入回波损耗
[1]
图4.输出回波损耗
[1]
0
-5
输入IP3 （ dBm的）
S12 （ dB）的
-10
-15
-20
-25
0
1
2
3
4
频率（千兆赫）
5
6
7
VD = 5V ，VC = 5V
VD = 5V ，VC = 0V
25
20
15
10
5
0
2
3
4
频率（千兆赫）
图6.输入三阶截点[1,2]
5
VD = 5V ，VC = 5V
VD = 5V ，VC = 0V
6
7
图5.隔离
[1]
注意事项：
上一个GSG探针基底取1.数据完全去嵌入到封装的参考平面
2.输入IP3数据在引脚= 0dBm的采取旁路模式（VC = 0V） ;增益模式下，引脚= -15dBm
4
VMMK- 2103典型性能
（续）
(T
A
= 25 ° C，Z
in
= Z
OUT
= 50
除非另有说明）
25
20
输入P1dB的（ DBM）
15
10
5
0
-5
1
2
3
4
频率（千兆赫）
5
6
7
0
0
1
2
3
VD （ V）
4
5
6
VD = 5V ，VC = 5V
VD = 5V ，VC = 0V
ID （MA ）
10
图8.总电流，在VC = 5V
[1]
3
2
VD = 5V ，VC = 5V
VD = 3V ，VC = 3V
VD = 5V ，VC = 0V
VD = 3V ，VC = 0V
NF（ dB）的
1
Vd=Vc=5V
Vd=Vc=3V
0
1
2
3
频率（千兆赫）
4
5
6
7
0
0
1
2
3
4
频率（千兆赫）
5
6
7
图10噪声系数过的Vdd
[1]
0
-5
S22 （ dB）的
-10
-15
-20
20
30
在1分贝增益压缩图7.输入功率
[1]
20
15
S21 （ dB）的
10
5
0
-5
图9.增益过的Vdd
[1]
0
-5
S11（ dB）的
-10
-15
-20
VD = 5V ，VC = 5V
VD = 3V ，VC = 3V
VD = 5V ，VC = 0V
VD = 3V ，VC = 0V
VD = 5V ，VC = 5V
VD = 3V ，VC = 3V
VD = 5V ，VC = 0V
VD = 3V ，VC = 0V
0
1
2
3
4
频率（千兆赫）
5
6
7
0
1
2
3
4
频率（千兆赫）
5
6
7
在VDD图11.输入回波损耗
[1]
图12.输出回波损耗过的Vdd
[1]
注意事项：
上一个GSG探针基底取1.数据完全去嵌入到封装的参考平面
5
QQ：2881677436 复制
